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新的二維鈣鈦礦材料,登頂Nature Nanotechnology!

研究背景
神經(jīng)形態(tài)計(jì)算是模仿生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行信息處理的技術(shù),因其能夠高效執(zhí)行人工智能任務(wù)而成為研究熱點(diǎn)。然而,傳統(tǒng)神經(jīng)形態(tài)硬件面臨著高能耗和性能瓶頸,特別是基于馮·諾依曼架構(gòu)的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(ANNs)需要大量的能量來實(shí)現(xiàn)計(jì)算任務(wù)。
為了解決這些問題,研究者們提出了基于新興存儲(chǔ)器的神經(jīng)形態(tài)計(jì)算硬件,這些硬件通過模擬神經(jīng)突觸的功能,實(shí)現(xiàn)了低功耗、高吞吐量的計(jì)算。然而,現(xiàn)有的憶阻器由于離子遷移控制不穩(wěn)定、編程不對(duì)稱等問題,限制了神經(jīng)形態(tài)硬件在大規(guī)模AI計(jì)算中的應(yīng)用。
成果簡介
鑒于此,韓國首爾大學(xué)Seung Ju Kim,Ho Won Jang等攜手在Nature Nanotechnology期刊上發(fā)表了題為“Linearly programmable two-dimensional halide perovskite memristor arrays for neuromorphic computing”的最新論文。研究者們提出了一種新的二維鹵化物鈣鈦礦材料,尤其是Dion–Jacobson(DJ)相鈣鈦礦,作為人工突觸的候選材料。該材料通過消除無機(jī)層之間的范德華間隙,改善了離子遷移的均勻性和穩(wěn)定性。
研究表明,基于DJ相鈣鈦礦的人工突觸能夠?qū)崿F(xiàn)高度線性和對(duì)稱的電導(dǎo)變化,具有長時(shí)間保持、多級(jí)模擬狀態(tài)和低變化性,且在潮濕環(huán)境下穩(wěn)定性良好。通過構(gòu)建7×7交叉陣列并進(jìn)行大規(guī)模圖像推理仿真,研究人員實(shí)現(xiàn)了接近理論極限的推理精度,這為神經(jīng)形態(tài)硬件的應(yīng)用開辟了新的道路。
新的二維鈣鈦礦材料,登頂Nature Nanotechnology!
研究亮點(diǎn)
1. 實(shí)驗(yàn)首次實(shí)現(xiàn)了Dion–Jacobson 2D鈣鈦礦中的高度線性和對(duì)稱電導(dǎo)變化,克服了傳統(tǒng)二維鈣鈦礦材料中存在的非線性和不對(duì)稱性問題。
2. 實(shí)驗(yàn)通過基于該鈣鈦礦材料,構(gòu)建了一個(gè)7×7的交叉陣列,成功實(shí)現(xiàn)了多級(jí)模擬狀態(tài)存儲(chǔ),具有低變化性、高設(shè)備產(chǎn)率、長時(shí)間保持能力和超過7個(gè)月的潮濕穩(wěn)定性。
3. 在該陣列的基礎(chǔ)上進(jìn)行的大規(guī)模圖像推理仿真顯示,推理準(zhǔn)確度達(dá)到了理論極限的0.08%以內(nèi),展現(xiàn)了其在神經(jīng)形態(tài)計(jì)算中的潛力。
4. 該優(yōu)秀的設(shè)備性能歸因于Dion–Jacobson 2D鈣鈦礦消除了無機(jī)層之間的間隙,使鹵化物空位能夠均勻遷移,避免了晶界的影響。這一過程通過第一性原理計(jì)算和實(shí)驗(yàn)分析得到了驗(yàn)證。
圖文解讀
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圖1:Dion–Jacobson,DJ-鹵化物鈣鈦礦halide perovskite,HP神經(jīng)形態(tài)硬件的原理和演示。
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圖2:DJ相2D 鹵化物鈣鈦礦HPs的材料表征。
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圖3:DJ-V-HP人工突觸的突觸可塑性。
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圖4: DJ相和Ruddlesden–Popper,RP相鹵化物鈣鈦礦HPS中的電阻轉(zhuǎn)換機(jī)制。
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圖5:用于AI加速的神經(jīng)形態(tài)交叉陣列。
結(jié)論展望
本文強(qiáng)調(diào)了新型材料在實(shí)現(xiàn)智能計(jì)算中的關(guān)鍵作用。DJ鈣鈦礦人工突觸的成功設(shè)計(jì)與優(yōu)化,展示了材料的微觀結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能之間的密切關(guān)系,進(jìn)一步揭示了材料在模擬生物神經(jīng)元功能中的潛力。這一發(fā)現(xiàn)不僅拓展了鈣鈦礦材料的應(yīng)用范圍,還為生物仿真器件的研發(fā)提供了新的思路。特別是,通過對(duì)材料離子遷移機(jī)理的深入分析,研究者能夠更有效地設(shè)計(jì)和調(diào)控器件性能,以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度和更長的穩(wěn)定性。此外,本文的結(jié)果還表明,綜合運(yùn)用多種表征手段可以有效提升對(duì)材料性能的理解,從而推動(dòng)智能硬件的進(jìn)步。這一研究成果為未來新型神經(jīng)形態(tài)計(jì)算設(shè)備的開發(fā)奠定了基礎(chǔ),預(yù)示著材料科學(xué)與計(jì)算技術(shù)的深度融合將帶來更智能、高效的計(jì)算解決方案。
文獻(xiàn)信息
Kim, S.J., Im, I.H., Baek, J.H. et al. Linearly programmable two-dimensional halide perovskite memristor arrays for neuromorphic computing. Nat. Nanotechnol. (2024).

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