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哈工大,Nature +1!

大多數(shù)最先進的熱電材料是無機半導體。由于定向共價鍵,它們通常在室溫下表現(xiàn)出有限的塑性,例如,拉伸應變小于5%。
在此,來自吉林大學的付鈺豪、中國科學院物理研究所王玉梅以及哈爾濱工業(yè)大學深圳校區(qū)的毛俊&張倩等研究者發(fā)現(xiàn)單晶Mg3Bi2在沿(0001)平面(即ab平面)施加張力時顯示出高達100%的室溫拉伸應變。相關(guān)論文以題為“Plasticity in single-crystalline Mg3Bi2 thermoelectric material”于2024年07月10日發(fā)表在Nature上。
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金屬通常具有延展性和延展性,這得益于離域電子和金屬陽離子之間的強靜電力形成的金屬鍵。相反,由于定向共價鍵或離子鍵,半導體是脆性的,當原子滑動時,會出現(xiàn)排斥相互作用。傳統(tǒng)的熱電材料是無機半導體,其可變形性有限。
近年來,一些具有塑性變形能力的無機半導體材料被報道,如Ag2S合金、ZnS、InSe和幾種范德華材料。柔性熱電器件主要用于人體熱收集和個性化溫度調(diào)節(jié)等應用,因此在環(huán)境溫度下具有高熱電性能的材料是非常需要的。
不幸的是,室溫熱電材料是有限的,更不用說對塑性變形的額外要求了。在這里,研究者發(fā)現(xiàn)Mg3Bi2單晶在室溫下是塑性的,并且它們也顯示出有希望的熱電性能,優(yōu)于最先進的韌性半導體。
Mg3Bi2結(jié)晶為典型的抗α-La2O3結(jié)構(gòu)類型(),如圖1a所示。為了表征Mg3Bi2基材料的塑性變形能力,制備了單晶(S)和多晶(P)樣品。多晶Mg3Bi2和單晶Mg3Bi2都可以實現(xiàn)50%以上的大壓縮應變(圖1b,h)。
相比之下,Bi0.5Sb1.5Te3、Bi2Te2.7Se0.3、GeTe和ZrNiSn等熱電材料的最大壓縮應變小于5%(圖1b)。當Mg3Bi2在六角形晶格中結(jié)晶時(圖1a), Mg3Bi2與幾種六角形密排(hcp)金屬以及其他延性半導體之間的拉伸應力-應變曲線進行了比較(圖1c)。單晶Mg3Bi2抗拉伸應變高達100%,高于hcp金屬和韌性半導體,可與退火Ag2Te0.7S0.3相媲美。
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圖1 Mg3Bi2的塑性變形性能。
在此,研究者發(fā)現(xiàn)單晶Mg3Bi2在沿(0001)平面(即ab平面)施加張力時顯示出高達100%的室溫拉伸應變。這樣的值比傳統(tǒng)的熱電材料至少高出一個數(shù)量級,并且優(yōu)于許多以類似結(jié)構(gòu)結(jié)晶的金屬。
實驗結(jié)果表明,變形的Mg3Bi2中存在滑移帶和位錯,表明位錯的滑移是塑性變形的微觀機制?;瘜W鍵分析表明,Mg3Bi2中存在多個低滑移勢壘能面,表明存在多種滑移體系。
此外,滑移過程中連續(xù)的動態(tài)鍵合防止了原子面解理,從而保持了較大的塑性變形。重要的是,碲摻雜的單晶Mg3Bi2顯示出約55微瓦/厘米/開爾文平方的功率因數(shù),在室溫下沿ab平面的優(yōu)點系數(shù)約為0.65,優(yōu)于現(xiàn)有的延展性熱電材料。
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圖2 變形單晶Mg3Bi2的顯微組織表征。
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圖3 彈性體的力學性能及其強化和增韌機制。
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4 單晶Mg3Bi2?xTex沿ab平面的熱電性能。
綜上所述,研究者發(fā)現(xiàn)單晶Mg3Bi2的室溫拉伸應變?yōu)?00%。在變形的Mg3Bi2中發(fā)現(xiàn)了滑移帶和高密度的邊緣位錯,證實了位錯的滑動是塑性變形的潛在機制。
計算結(jié)果表明,在Mg3Bi2中存在多個具有低滑移勢壘能的原子面,表明在Mg3Bi2中可以激活多個滑移體系。在滑移過程中,Mg-Bi的動態(tài)鍵合持續(xù)存在,從而防止了原子平面的解理。此外,單晶Mg3Bi2基材料在室溫下的功率因數(shù)約為55 μW cm?1 K?2, zT為~0.65,優(yōu)于目前最先進的韌性熱電材料。
【參考文獻】
Zhao, P., Xue, W., Zhang, Y.?et al.?Plasticity in single-crystalline Mg3Bi2?thermoelectric material.?Nature?(2024). https://doi.org/10.1038/s41586-024-07621-8
原文鏈接:https://www.nature.com/articles/s41586-024-07621-8

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