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中國(guó)學(xué)者出手,聯(lián)手諾貝爾物理獎(jiǎng)得主,發(fā)重磅Nature!

中國(guó)學(xué)者出手,聯(lián)手諾貝爾物理獎(jiǎng)得主,發(fā)重磅Nature!
第一作者:王嘉
通訊作者:王嘉, Hiroshi Amano
通訊單位:名古屋大學(xué)

中國(guó)學(xué)者出手,聯(lián)手諾貝爾物理獎(jiǎng)得主,發(fā)重磅Nature!

Hiroshi Amano,中文名天野浩,現(xiàn)任名古屋大學(xué)未來(lái)材料與系統(tǒng)研究所教授,中國(guó)工程院外籍院士,日本工程院院士,美國(guó)國(guó)家工程院院士,2014年獲諾貝爾物理獎(jiǎng)。

中國(guó)學(xué)者出手,聯(lián)手諾貝爾物理獎(jiǎng)得主,發(fā)重磅Nature!

王嘉,名古屋大學(xué)高等研究院特聘助理教授、材料與可持續(xù)性系統(tǒng)研究院特聘助理教授。
論文速覽
通過(guò)摻雜替代鎂(Mg)原子展示出p-型氮化鎵(GaN)以來(lái),諸如藍(lán)色發(fā)光二極管等迅速而全面的發(fā)展,已顯著地塑造了我們的現(xiàn)代生活,并為實(shí)現(xiàn)更加碳中和的社會(huì)做出了貢獻(xiàn)。然而,GaN與Mg之間的相互作用的細(xì)節(jié)仍然大多未知。
本研究觀察到,通過(guò)在GaN上退火金屬M(fèi)g膜,可自發(fā)形成Mg插層的GaN超晶格。這是首次觀測(cè)到二維(2D)金屬嵌入半導(dǎo)體中,每個(gè)Mg單層被精確地嵌入到六角GaN的數(shù)個(gè)單層之間。該過(guò)程以間隙插層為表征,導(dǎo)致垂直于間隙層的大量單軸壓縮應(yīng)變。因此,Mg插層的GaN超晶格中的GaN層表現(xiàn)出超過(guò)-10%的異常彈性應(yīng)變(相當(dāng)于超過(guò)20 GPa的應(yīng)力),是薄膜材料中記錄的最高應(yīng)變之一。應(yīng)變改變了電子能帶結(jié)構(gòu),并顯著增強(qiáng)了壓縮方向上的空穴傳輸。
此外,Mg片誘導(dǎo)了GaN極性的周期性轉(zhuǎn)變,產(chǎn)生了由極化場(chǎng)誘導(dǎo)的凈電荷。這些特性為半導(dǎo)體摻雜和電導(dǎo)增強(qiáng),以及納米材料和金屬-半導(dǎo)體超晶格的彈性應(yīng)變工程提供了新的見(jiàn)解。
圖文導(dǎo)讀
中國(guó)學(xué)者出手,聯(lián)手諾貝爾物理獎(jiǎng)得主,發(fā)重磅Nature!
圖1:Mg插層GaN超晶格的橫截面高角環(huán)形暗場(chǎng)掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)圖像。
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圖2:由2D-Mg片誘導(dǎo)的極性轉(zhuǎn)變。
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圖3:MiGs納米結(jié)構(gòu)中高單軸壓縮應(yīng)變的插層情況。
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圖4:在n型和p型GaN上MiGs的電學(xué)性質(zhì)。
總結(jié)展望
本研究的亮點(diǎn)在于首次觀測(cè)到二維金屬M(fèi)g插層嵌入GaN體半導(dǎo)體中,形成了具有異常彈性應(yīng)變的超晶格結(jié)構(gòu)。該發(fā)現(xiàn)不僅為理解GaN與Mg之間的相互作用提供了新的視角,也為半導(dǎo)體摻雜、電導(dǎo)增強(qiáng)以及納米材料的彈性應(yīng)變工程提供了重要的科學(xué)依據(jù)。特別是,通過(guò)Mg插層誘導(dǎo)的極化場(chǎng)變化,為實(shí)現(xiàn)極化誘導(dǎo)的空穴摻雜提供了新的思路。
此外,研究還發(fā)現(xiàn),通過(guò)退火處理,可在GaN中形成具有高彈性應(yīng)變的MiGs結(jié)構(gòu),這種應(yīng)變改變了電子能帶結(jié)構(gòu),并顯著增強(qiáng)了空穴的傳輸性能。這些發(fā)現(xiàn)有望推動(dòng)高性能電子器件的發(fā)展,特別是在提高半導(dǎo)體器件的電導(dǎo)和載流子遷移率方面具有重要的應(yīng)用潛力。
文獻(xiàn)信息
標(biāo)題:Observation of 2D-magnesium-intercalated gallium nitride superlattices
期刊:Nature
DOI:10.1038/s41586-024-07513-x

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