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“天才少年”曹原的導(dǎo)師Pablo Jarillo-Herrero，又又又發(fā)Science！

第一作者：Kenji?Yasuda、Evan?Zalys-Geller

通訊作者：Raymond?Ashoori、Pablo?Jarillo-Herrero、Kenji?Yasuda

通訊單位：麻省理工學(xué)院（MIT）

Pablo Jarillo-Herrero，出生于西班牙巴倫西亞，于2008年1月加入麻省理工學(xué)院，擔(dān)任物理學(xué)助理教授，并于2018年晉升為正式教授。他的獎(jiǎng)項(xiàng)包括Alfred P. Sloan獎(jiǎng)學(xué)金；David和Lucile Packard獎(jiǎng)學(xué)金；能源部早期職業(yè)獎(jiǎng)；總統(tǒng)科學(xué)家和工程師早期職業(yè)獎(jiǎng)；ONR年輕研究者獎(jiǎng)；摩爾基金會(huì)量子系統(tǒng)研究物理實(shí)驗(yàn)獎(jiǎng)；以及Oliver E. Buckley凝聚態(tài)物理獎(jiǎng)。2018年，他當(dāng)選為美國物理學(xué)會(huì)會(huì)員。2020年，Pablo Jarillo-Herrero因在旋翼學(xué)方面的開創(chuàng)性工作而獲得沃爾夫獎(jiǎng)。

論文速覽

低至原子尺度的電壓可切換集體電子現(xiàn)象的持續(xù)存在，對(duì)面積有效和能量有效的電子器件具有廣泛的影響，尤其是在新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)中。本文研究了基于雙層氮化硼中滑動(dòng)鐵電性的鐵電場效應(yīng)晶體管（FeFET）在室溫下的性能。

滑動(dòng)鐵電體代表了不同形式的原子級(jí)薄二維（2D）鐵電體，其特征是通過層間滑動(dòng)運(yùn)動(dòng)切換面外極化。采用單層石墨烯作為溝道層的FeFET器件，該器件表現(xiàn)出納秒級(jí)的超快開關(guān)速度和超過1011個(gè)開關(guān)周期的高耐用性，與最先進(jìn)的FeFET器件相當(dāng)。這些特征凸顯了2D滑動(dòng)鐵電體在激發(fā)下一代非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)方面的潛力。

圖文導(dǎo)讀

圖1：基于滑動(dòng)鐵電體的鐵電場效應(yīng)晶體管的基本特性。

圖2：開關(guān)電壓的脈寬依賴性。

圖3：滑動(dòng)鐵電體對(duì)開關(guān)周期的耐受性。

總結(jié)及展望

本文討論了滑動(dòng)鐵電材料在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)中的應(yīng)用潛力，特別是在超快切換、高耐久性、亞納米厚度和低電壓操作方面的優(yōu)勢。同時(shí)指出了實(shí)際應(yīng)用中需要解決的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，包括晶圓級(jí)合成技術(shù)和提高開關(guān)比。

提出了通過改進(jìn)器件幾何結(jié)構(gòu)來克服這些挑戰(zhàn)的方法，并提到了2D基FeFET存儲(chǔ)技術(shù)正在被半導(dǎo)體代工廠研究。研究預(yù)期能夠推動(dòng)基于滑動(dòng)鐵電材料的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展。

文獻(xiàn)信息

標(biāo)題：Ultrafast high-endurance memory based on sliding ferroelectrics

期刊：science

DOI：10.1126/science.adp3575

原創(chuàng)文章，作者：計(jì)算搬磚工程師，如若轉(zhuǎn)載，請(qǐng)注明來源華算科技，注明出處：http://m.xiubac.cn/index.php/2024/06/13/48f6bb0200/

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