圖4：BM-MoS2薄膜厚度依賴(lài)的SHG和電磁模擬總結(jié)展望：本研究成功開(kāi)發(fā)了新型的BM-MoS2薄膜，該薄膜在保留單層MoS2的固有非線(xiàn)性光學(xué)特性的同時(shí)，顯著提高了光學(xué)截面，實(shí)現(xiàn)了線(xiàn)性和非線(xiàn)性光子產(chǎn)生的巨大增強(qiáng)。特別是，BM-MoS2薄膜的SHG增強(qiáng)超過(guò)了單層MoS2兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上，比GaAs單晶高出21倍。研究還展示了如何將2D單層材料的固有優(yōu)勢(shì)有效地應(yīng)用于大面積塊體薄膜中，實(shí)現(xiàn)了可擴(kuò)展的光學(xué)深度和橫向面積，對(duì)于實(shí)際技術(shù)應(yīng)用至關(guān)重要。此外，BM-MoS2薄膜可以通過(guò)各種大面積涂覆技術(shù)快速生產(chǎn)，為未來(lái)創(chuàng)造多樣化的非線(xiàn)性光學(xué)功能提供了可能性，為利用2D材料制造超薄、高效、成本效益高的NLO設(shè)備開(kāi)辟了可行的途徑。文獻(xiàn)信息：標(biāo)題：Giant second harmonic generation in bulk monolayer MoS2 thin films期刊：MatterDOI：10.1016/j.matt.2024.04.043
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