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光催化,今日重磅Nature!

化學(xué)摻雜是控制有機(jī)半導(dǎo)體(OSCs)中載流子濃度和輸運(yùn)的重要方法,并最終提高器件性能。
然而,傳統(tǒng)的摻雜策略,通常依賴于使用高活性(強(qiáng))摻雜劑,這些摻雜劑在摻雜過程中被消耗。在溫和的條件下,用弱和/或廣泛可及的摻雜劑實(shí)現(xiàn)有效摻雜,仍然是一個(gè)相當(dāng)大的挑戰(zhàn)。
在此,來自瑞典林雪平大學(xué)的楊馳遠(yuǎn) & Simone Fabiano等研究者報(bào)告了先前描述的光催化摻雜OSCs的概念,該概念使用空氣作為弱氧化劑(p摻雜劑)并在室溫下操作。相關(guān)論文以題為“Photocatalytic doping of organic semiconductors”于2024年05月15日發(fā)表在Nature上。
光催化,今日重磅Nature!
化學(xué)摻雜,對(duì)于優(yōu)化各種基于OSCs的器件的性能具有關(guān)鍵作用,包括發(fā)光二極管、光伏器件、熱電器件、場(chǎng)效應(yīng)晶體管和電化學(xué)器件。雖然存在許多可以實(shí)現(xiàn)高效化學(xué)摻雜的摻雜方法,但它們通常依賴于使用強(qiáng)氧化還原劑(摻雜劑)通過直接電子轉(zhuǎn)移過程來改變OSC的氧化還原狀態(tài)。
然而,這些強(qiáng)摻雜劑的高化學(xué)反應(yīng)性可能產(chǎn)生副產(chǎn)物,使其穩(wěn)定性降低,特別是n摻雜劑,這對(duì)其廣泛采用提出了挑戰(zhàn)。此外,一些研究最多的摻雜劑是特別合成的,價(jià)格昂貴。使用廣泛可用、廉價(jià)、弱或低效的摻雜劑可以解決這些問題,但它們通常需要熱激活或輻射激活或金屬催化鍵裂解來激活它們。
此外,目前還沒有一種摻雜劑能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)OSCs的氧化(p摻雜)和還原(n摻雜)。因此,開發(fā)一種使用廣泛可用的摻雜劑的摻雜策略對(duì)于增強(qiáng)與半導(dǎo)體器件的兼容性至關(guān)重要。
光催化劑(PCs)作為電子載體,在犧牲弱氧化劑或還原劑的基礎(chǔ)上氧化或還原芳香族化合物。由于其在氧化還原反應(yīng)中的選擇性和效率,PCs在有機(jī)合成中得到了廣泛的應(yīng)用。因此,關(guān)于PCs是否可以介導(dǎo)OSCs的氧化(p摻雜)或還原(n摻雜),這一過程的效率和可推廣性,以及其潛在的技術(shù)意義,產(chǎn)生了有趣的問題。
在這里,為了證明一般概念,研究者探索了由摻雜劑、主要是吖啶衍生物的PC、有機(jī)鹽和各種π共軛p型或n型OSC聚合物之一組成的季元體系的光催化摻雜過程。研究者表明,基態(tài)的摻雜劑和PC不能從OSCs或向OSCs提取或提供電子(圖1a,b)。然而,當(dāng)光激發(fā)發(fā)生時(shí),PC可以氧化或還原OSC,并被摻雜劑再生(圖1c-e)。
圖1提供了光催化p摻雜和n摻雜循環(huán)的分解?;谶灌さ腜Cs被使用是因?yàn)樗鼈兊纳虡I(yè)可用性、空氣穩(wěn)定性和在激發(fā)態(tài)或自由基還原態(tài)下的強(qiáng)氧化或還原特性。研究者選擇了三種不同的吖啶衍生物進(jìn)行光催化摻雜研究:Acr-Me+(10-甲基吖啶高氯酸鹽),Mes-Acr-Me+(9-甲基亞基-10-甲基吖啶四氟硼酸鹽)和Mes-Acr-Ph+(9-甲基亞基-3,6-二叔丁基-10-苯基吖啶四氟硼酸鹽)。
研究者將它們的活性與其他空氣穩(wěn)定的有機(jī)PCs進(jìn)行了比較,例如苝二亞胺(PDI-C6C7)和伊紅Y(2′,4′,5′,7′ -四溴熒光素二鈉鹽)(圖1f)。鹽如LiTFSI和[EMIM][TFSI]被用作氧化還原惰性反離子來穩(wěn)定摻雜共軛聚合物骨架上的電荷。研究者使用通常是弱或低效的氧化劑(p-摻雜劑),如空氣中的二氧(O2)或二苯二硫((PhS)2),和弱還原劑(n-摻雜劑),如三乙胺(Et3N),來再生PCs。
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圖1 光催化摻雜概念。
光催化p摻雜方法簡(jiǎn)單有效,如圖2中Acr-Me+氧化PBTTT的案例研究所示。Acr-Me+ (0.01 M)與鹽LiTFSI (0.1 M)一起溶解在乙酸正丁酯和乙腈的混合物中。選擇該溶劑混合物是因?yàn)槠渑cPBTTT的正交性以及Acr-Me+和LiTFSI的良好溶解度,兩者在溶液中沒有明顯的相互作用。
將PBTTT薄膜浸泡在Acr-Me:LiTFSI溶液中,用455nm藍(lán)光照射12 min,使Acr-Me+在O2(空氣中)存在下光激活到激發(fā)態(tài)(Acr-Me+*), O2作為弱p摻雜劑。然后將p摻雜的PBTTT薄膜從PC溶液中取出,洗滌并干燥,如圖2a所示,Acr-Me:LiTFSI溶液被回收并可以多次重復(fù)使用。
PBTTT薄膜的紫外-可見-近紅外吸收光譜顯示,在沒有Acr-Me+的情況下,或者在黑暗中與Acr-Me+在一起時(shí),O2不能摻雜PBTTT(圖2b),但在藍(lán)光照射下,在近紅外區(qū)域觀察到強(qiáng)烈的極化吸收。
X射線光電子能譜(XPS)結(jié)果表明,在無Acr-Me+和有Acr-Me+的情況下,TFSI -陰離子均不能穿透PBTTT層。然而,當(dāng)光照射時(shí),觀察到來自TFSI的強(qiáng)氟F(1s)和氧O(1s) XPS核心電平信號(hào)(圖2c)。
進(jìn)一步分析硫S(2p)、F(1s)和氮N(1s)的XPS核能級(jí)峰(圖2d)表明,隨著輻照時(shí)間的增加,TFSI陰離子含量增加,導(dǎo)致PBTTT聚合物主鏈帶正電。
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圖2 PBTTT的光催化p摻雜。
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圖3 光催化p摻雜過程的機(jī)理和普遍性。
研究者使用Et3N作為光學(xué)透明還原劑來原位研究PET過程(圖3a-d)。由于Mes-Acr-Me+和Mes-Acr-Ph+在Et3N存在下具有優(yōu)異的穩(wěn)定性,研究者選擇它們作為代表性的PCs。在Mes-Acr-Me+*(或Mes-Acr-Ph+*)和Et3N之間的PET誘導(dǎo)形成還原的Mes-Acr-Me?(或Mes-Acr-Ph?)。隨后,Mes-Acr-Me?(或Mes-Acr-Ph?)被O2氧化(或(PhS)2;),提供減少的物種。
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圖4 光催化n摻雜和同時(shí)光催化p摻雜和n摻雜。
最后,研究者分析了OSCs的光催化還原(n摻雜)和同時(shí)光催化p摻雜和n摻雜(圖4a,b)。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo),首先將PC光激活以產(chǎn)生可以氧化弱n摻雜劑的激發(fā)態(tài)PC。當(dāng)后者被氧化時(shí),PC被轉(zhuǎn)化為其還原形式,隨后被光激活以獲得能夠摻雜n- OSCs的激發(fā)還原態(tài)(圖4c)。在此過程中,n型OSC受來自PC的還原態(tài)或激發(fā)還原態(tài)的電子,從而使基態(tài)PC再生。
研究結(jié)果表明,在沒有光或PC的情況下,Et3N只能勉強(qiáng)摻雜BBL(圖4d)。然而,在光和PC的存在下,Et3N大量摻雜BBL,在400 nm, 720 nm和865 nm處產(chǎn)生強(qiáng)烈的負(fù)極化子吸收峰,與化學(xué)和電化學(xué)n摻雜BBL薄膜中觀察到的相似。光催化n摻雜后,BBL的電導(dǎo)率提高了5個(gè)多數(shù)量級(jí),從未摻雜BBL的小于10?5 S cm-1到光照射僅2 min后的大于1 S cm-1(圖4e)。DFT計(jì)算再次表明,簡(jiǎn)化和激發(fā)簡(jiǎn)化PC都可以減小BBL,但后者更受青睞。
綜上所述,研究者報(bào)道了一個(gè)以前未發(fā)表的光催化摻雜OSCs的概念,該概念在室溫下提供了一個(gè)簡(jiǎn)單有效的基于溶液的過程。
通過調(diào)節(jié)光照射劑量,可以很容易地控制摻雜水平。與傳統(tǒng)摻雜方法依賴于在摻雜過程中消耗的高活性摻雜劑相比,光催化摻雜使用可回收的、空氣穩(wěn)定的PCs,只消耗TSFI基鹽和(空氣中的)O2等弱摻雜劑。
這種光催化方法通用性強(qiáng),適用范圍廣,可制得p摻雜、n摻雜以及同時(shí)p摻雜和n摻雜的高導(dǎo)電性O(shè)SCs。此外,它可以將氧化還原惰性反離子直接插入到最初未摻雜的OSC薄膜中,而不會(huì)對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)產(chǎn)生負(fù)面影響。
這些結(jié)果強(qiáng)調(diào)了光催化摻雜在有機(jī)電子學(xué)基礎(chǔ)和應(yīng)用研究中的重要性。
【參考文獻(xiàn)】
Jin, W., Yang, CY., Pau, R.?et al.?Photocatalytic doping of organic semiconductors.?Nature (2024).

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