【DFT】Appl. Surf. Sci.:硫族化鋅上H2O2的高效解離和形成 2024年4月5日 上午10:09 ? 計(jì)算 ? 閱讀 27 研究背景 過(guò)氧化氫(H2O2)是最重要的基礎(chǔ)化學(xué)品之一,因?yàn)樗诂F(xiàn)代化學(xué)工業(yè)、醫(yī)藥衛(wèi)生和環(huán)境治理等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。然而,在H2O2的生產(chǎn)和應(yīng)用過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的能源和資源消耗。而通過(guò)Fenton反應(yīng)從H2O2中產(chǎn)生活性羥基自由基(?OH)是消除溶解有機(jī)污染物的清潔、有效方法,并被認(rèn)為是應(yīng)對(duì)環(huán)境污染的一種極具潛力的策略。建立結(jié)構(gòu)-活性關(guān)系對(duì)于設(shè)計(jì)低能耗、高效率的催化劑非常重要。然而,H2O2利用效率低是限制Fenton反應(yīng)的主要因素。 近日,廣州大學(xué)呂來(lái)等人研究了過(guò)氧化氫(H2O2)在硫族化鋅(ZnX,其中X表示O、S、Se和Te)上解離和形成的原子機(jī)制。 計(jì)算方法與模型結(jié)構(gòu) 作者利用DMol3模塊進(jìn)行自旋無(wú)限制密度泛函理論計(jì)算,并選擇具有Perdew Burke Ernzerhof(PBE)泛函的廣義梯度近似(GGA)來(lái)描述交換關(guān)聯(lián)能量,以及選擇了雙數(shù)值加極化(DNP)基組和全電子相對(duì)論(AER)方法來(lái)處理核心電子。此外,作者將能量、最大力和位移的收斂標(biāo)準(zhǔn)分別設(shè)置為1.0×10?5 Ha、0.002 Ha/?和0.005?。并且采用Grimme方法來(lái)描述范德瓦爾斯(vdW)相互作用,以及通過(guò)DMol3模塊內(nèi)的LST/QST方法來(lái)搜索H2O2解離的活化能壘。 圖1 ZnX(X=O, S, Se和Te)表面的原子結(jié)構(gòu) 硫族化鋅有三種不同的同素異形相,即閃鋅礦、纖鋅礦和巖鹽。而作者主要側(cè)重于纖鋅礦相,因?yàn)槠涫菍?shí)驗(yàn)中普遍存在的相。如圖1所示,在ZnX纖鋅礦相(X表示O、S、Se和Te)的(110)和(100)表面中,ZnX(110)表面由具有六個(gè)原子層的p(2×2)晶胞構(gòu)成,而ZnX(100)表面具有四個(gè)原子層(對(duì)于ZnO)的p(3×2)晶胞或p(4×2)(對(duì)于ZnS、ZnSe和ZnTe)晶胞。在ZnX平板模型中,底下兩層的原子保持不動(dòng),并且設(shè)置厚度為20?的真空層來(lái)消除垂直方向上的周期性相互作用。 結(jié)果與討論 圖2 H2O2在ZnX表面的吸附結(jié)構(gòu)和PDOS H2O2分子的吸附是H2O2解離過(guò)程的第一步。如圖2(a)所示,H2O2傾向于吸附在Zn原子上。并且H2O2在ZnO上的吸附能比ZnS、ZnSe和ZnTe上的吸附能強(qiáng)得多。如圖2(b)和2(c)所示,H2O2在ZnX上的吸附強(qiáng)度在很大程度上取決于O-2p態(tài)和Zn-3d態(tài)之間的耦合強(qiáng)度。H2O2的O-2p態(tài)與Zn-3d態(tài)在?8至0 eV的能量區(qū)間中強(qiáng)烈雜化。相比之下,H2O2 O-2p狀態(tài)與Zn-3d態(tài)之間的雜化較弱,表明H2O2在ZnTe上的吸附強(qiáng)度較弱。 圖3 ZnO上H2O2解離的反應(yīng)能圖 圖4 ZnTe上H2O2解離的反應(yīng)能圖 反應(yīng)物和產(chǎn)物在硫族鋅表面的不同吸附特性將導(dǎo)致不同的解離動(dòng)力學(xué)。在ZnO(110)表面上,H2O2解離形成兩個(gè)吸附的OH*,相應(yīng)的活化能為0.60eV,這遠(yuǎn)小于生成一個(gè)O*原子和一個(gè)H2O*分子的活化能(1.39eV),表明H2O2更傾向于解離形成OH*,而不是形成O*和H2O*(圖3)。相比之下,H2O2在ZnO(100)表面上的解離活化能大于1.04eV,這表明在ZnO(100)表面的這一過(guò)程很難發(fā)生。這與H2O2在ZnO(1 10)和ZnO(100)表面上的吸附能一致,即H2O2在ZnO(110)表面的吸附能越強(qiáng),H2O2解離的活化能越小。相比之下,H2O2在ZnTe(1 10)和(100)表面的解離活化能都很?。ㄈ鐖D4所示),表明H2O2很容易在ZnTe上解離。 圖5 H2O和O2在ZnX表面耦合形成H2O2并解離的反應(yīng)能圖 圖6 H2O和O2耦合形成H2O2過(guò)程的初始態(tài)(IS)、過(guò)渡態(tài)(TS)和最終態(tài)(FS)的原子結(jié)構(gòu) 作者首先考慮了H2O和O2熱催化偶聯(lián)生成H2O2。該過(guò)程可分為兩個(gè)基本步驟:O2依次與兩個(gè)H2O分子反應(yīng),形成OOH和H2O2。如圖5所示,H2O2形成過(guò)程中涉及的所有基元步驟都是吸熱的,這表明H2O和O2耦合形成H2O2需要吸收能量。特別是,在ZnO、ZnS和ZnSe的(110)和(100)表面上,H2O和O2耦合的兩個(gè)基元步驟的活化能非常高,這表明在這些表面上由H2O和O2耦合形成H2O2非常困難。相應(yīng)的初始態(tài)(IS)、過(guò)渡態(tài)(TS)和最終態(tài)(FS)的原子結(jié)構(gòu)如圖6所示。 圖7 ZnX表面水氧化的自由能圖 如圖7所示,除了ZnO(110)表面外,H2O2的形成非常困難。在ZnO(110)表面上,由于OH*的弱吸附強(qiáng)度,使得OH*氧化生成H2O2的自由能與生成O*和H2O的自由能相當(dāng),表明H2O2和O2可以通過(guò)H2O的氧化同時(shí)生成。 圖8 雜原子摻雜ZnO(110)上水氧化的自由能圖 圖9 PDOS和比例關(guān)系 如圖8所示,多相原子的局部化學(xué)環(huán)境決定了反應(yīng)選擇性。Ag摻雜可以提高水氧化生成H2O2的選擇性,并且隨著原子從Cu上的Ni轉(zhuǎn)變?yōu)锳g,吸附能降低,從而證實(shí)了OH*的弱吸附將有利于水氧化形成H2O2。這也與ZnO(110)表面中異質(zhì)原子的PDOS一致。摻雜原子對(duì)OH*吸附強(qiáng)度的影響在很大程度上取決于過(guò)渡金屬d態(tài)和OH*的O-2p態(tài)之間的雜化強(qiáng)度。如圖9(a)所示,當(dāng)過(guò)渡金屬?gòu)腘i變到Ag時(shí),摻雜原子的d帶向左移動(dòng),從而導(dǎo)致更多的反鍵軌道填充,進(jìn)而使吸附強(qiáng)度減弱。 如圖9(b)所示,OH*的吸附能和ΔGdiff值之間存在線性關(guān)系,證明OH*的弱吸附強(qiáng)度可以增加OH*氧化為H2O2的選擇性。如圖9(c)所示,水氧化對(duì)H2O2的選擇性隨著φ的增加而增加。而φ和ΔGdiff之間的關(guān)系表明,φ的增加對(duì)應(yīng)于吸附強(qiáng)度的降低,然后對(duì)應(yīng)于水氧化形成H2O2的選擇性增加,而這源于活性中心的電子結(jié)構(gòu)。根據(jù)φ的定義,較大的φ值表明,在電荷重新分布后,過(guò)渡金屬原子具有更多的d軌道價(jià)電子,這與圖9(a)所示的 PDOS一致。如圖9(d)所示,水氧化的最終產(chǎn)物中H2O2的比例從原始ZnO(110)表面上的50%增加到摻Ag ZnO(110)表面上96%,證明將Ag摻雜到ZnO(110)中可以提高水氧化為H2O2的選擇性。 圖10 雜原子摻雜ZnO表面H2O2解離反應(yīng)能圖 如圖10所示,將Cu引入ZnO表面(110)和將Ni摻雜到ZnO(100)表面可以顯著降低H2O2的解離能壘。從BEP關(guān)系可知,提高最終產(chǎn)物的吸附強(qiáng)度可以降低解離反應(yīng)的能壘,而Cu摻雜增加了OH*在ZnO(110)表面上的吸附強(qiáng)度,而Ni摻雜增加了OH在ZnO(100)表面的吸附能,從而導(dǎo)致H2O2的解離能壘降低。 結(jié)論與展望 研究發(fā)現(xiàn),H2O2在ZnX上解離和形成的催化活性由表面結(jié)構(gòu)(包括表面取向和異質(zhì)原子摻雜)決定。H2O2可以在ZnO(110)、ZnSe(100)、ZnTe(110)和ZnTe(100)表面上解離形成羥基自由基,而只有ZnO(110)表面可以催化水氧化形成H2O2。此外,由于OH*的弱吸附強(qiáng)度,因此,可以通過(guò)銀原子摻雜提高ZnO(110)表面上水氧化為H2O2的選擇性,而將銅原子引入ZnO(110)表面可以促進(jìn)H2O2解離。這些結(jié)果不僅揭示了H2O2在ZnX上解離和形成的機(jī)理,而且可以為新型催化氧化體系的開(kāi)發(fā)提供有益指導(dǎo)。 文獻(xiàn)信息 Zhang P, Tan H, Wang Z, et al. Efficient H2O2 Dissociation and Formation on Zinc Chalcogenides: A Density Functional Theory Study[J]. Applied Surface Science, 2023: 156495. 原創(chuàng)文章,作者:計(jì)算搬磚工程師,如若轉(zhuǎn)載,請(qǐng)注明來(lái)源華算科技,注明出處:http://m.xiubac.cn/index.php/2024/04/05/bfb7034fc4/ 贊 (0) 0 生成海報(bào) 相關(guān)推薦 納米光子晶體催化燃燒點(diǎn)亮中紅外光源 2024年1月31日 穩(wěn)態(tài)強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)裝置在凝聚態(tài)物理學(xué)中的應(yīng)用 2024年4月9日 馮新亮院士,第93篇AM! 2024年3月10日 【計(jì)算論文精讀】Fuel:DFT研究復(fù)雜反應(yīng)網(wǎng)絡(luò),微動(dòng)力學(xué)模型探究物種覆蓋率、反應(yīng)溫度和壓力的影響 2023年11月17日 國(guó)科大&首師大合作綜述,「白盒」張量網(wǎng)絡(luò):增強(qiáng)量子機(jī)器學(xué)習(xí)的可解釋性和效率 2024年1月9日 華中科技大學(xué)吳夢(mèng)昊團(tuán)隊(duì)綜述:低勢(shì)壘鐵電的理論設(shè)計(jì) 2024年1月22日