2024年3月28日,南方科技大學(xué)鄭智平與清華大學(xué)李雋團(tuán)隊(duì)在稀土原子精確團(tuán)簇合成領(lǐng)域取得新進(jìn)展,相關(guān)研究成果以“Atomically Precise Semiconductor Clusters of Rare-earth Tellurides”為題發(fā)表在Nature Synthesis期刊上。
該課題組報(bào)道一種具有普適性的原子精確碲基稀土團(tuán)簇的合成策略,通過KC8作為還原劑還原單質(zhì)碲,合成出一系列等構(gòu)的碲基稀土團(tuán)簇,發(fā)現(xiàn)新型(Te3)4-三中心四電子結(jié)構(gòu),同時(shí)發(fā)現(xiàn)這些碲基稀土團(tuán)簇具有超低的光學(xué)帶隙,是一類新型團(tuán)簇基半導(dǎo)體材料。
論文通訊作者為南方科技大學(xué)鄭智平教授與清華大學(xué)李雋教授,南方科技大學(xué)化學(xué)系研究助理教授丁友松和博士研究生姜雪蓮為該論文的共同第一作者。
稀土碲化物作為一類新型先進(jìn)功能材料,展現(xiàn)出豐富的磁、電、熱電、磁性半導(dǎo)體、電荷密度波等性質(zhì)。這類材料的研究及應(yīng)用受困于兩大挑戰(zhàn):一是缺乏方便且普適的制備方法,高純度、大批量的制備稀土碲化物是比較困難的;二是缺乏對(duì)于材料電子結(jié)構(gòu)的深入了解。原子精確團(tuán)簇作為連接分子和塊體材料之間的重要橋梁,其合成、結(jié)構(gòu)及性質(zhì)研究不僅有利于理解材料的結(jié)構(gòu)-性質(zhì)之間的關(guān)系,并且可以作為前驅(qū)體合成高純度、高結(jié)晶性且組成可控的稀土碲化物材料。但是,由于稀土離子屬于硬Lewis酸,碲陰離子是軟Lewis堿,根據(jù)軟硬酸堿理論,稀土離子很難與碲陰離子配位,因而碲基稀土團(tuán)簇的構(gòu)筑一直是合成化學(xué)領(lǐng)域的難點(diǎn)。最新的CCDC數(shù)據(jù)庫中,包含RE-Te鍵的晶體結(jié)構(gòu)僅有42例,團(tuán)簇則只有7個(gè),遠(yuǎn)遠(yuǎn)少于傳統(tǒng)的稀土氧簇,且這些碲基稀土團(tuán)簇的合成需要使用二價(jià)稀土配合物或者Hg單質(zhì),合成條件非??量?,不具備普適性。 為了尋找具有普適性的原子精確碲基稀土團(tuán)簇的合成策略,作者提出通過KC8作為還原劑還原單質(zhì)碲,結(jié)合外圍配體保護(hù)團(tuán)簇核心,構(gòu)筑原子精確碲基稀土團(tuán)簇,成功分離出一系列等構(gòu)的碲基稀土團(tuán)簇[(Cp*RE)6(Te)3(Te2)2(Te3)]2-(Cp*:五甲基環(huán)戊二烯;RE?=?Y, Gd, Tb, Ho, Er)。
單晶結(jié)構(gòu)顯示RE6Te10中碲基配體有三種分子形式以四種配位模式支撐團(tuán)簇核心:三個(gè) Te2-均以μ3形式鏈接3個(gè)稀土離子;兩個(gè) (Te2)2-分別以μ– κ2: κ2和μ3–η2: κ: κ1連接稀土離子;線性的 (Te3)4-則以μ6-κ3: κ3: κ3形式連接6個(gè)稀土離子,這是首次在分子配合物體系中發(fā)現(xiàn)線性 (Te3)4-單元。鍵級(jí)計(jì)算顯示 (Te3)4-單元中Te-Te的鍵級(jí)只有0.5左右,鍵長約3.0 ?左右,長于Te-Te σ單鍵的2.77 ?;不僅如此,(Te3)4-單元具有22個(gè)價(jià)電子,與 I3–、(Se3)4-為等電子體,這些結(jié)構(gòu)特點(diǎn)說明 (Te3)4-?單元是典型的三中心四電子結(jié)構(gòu)。
以Y6Te10團(tuán)簇為例,作者通過理論計(jì)算進(jìn)一步闡明了這些碲基稀土團(tuán)簇內(nèi)部的化學(xué)成鍵。利用適應(yīng)性自然密度劃分方法(AdNDP)找到了線性(Te3)4-單元中的三中心四電子鍵和(Te2)2-單元的Te-Te σ鍵,證實(shí)了這些稀土團(tuán)簇中碲基配體成鍵的多樣性。能量分解分析(EDA-NOCV)和軌道能級(jí)分析闡明了金屬原子和碲配體之間的強(qiáng)相互作用本質(zhì)上主要來源于靜電相互作用,其余是由Te(5p)→Y(4d)供體-受體相互作用提供。
固體紫外可見光吸收光譜發(fā)現(xiàn)這些化合物具有很強(qiáng)、很寬的吸收峰,吸光范圍為200-1200 cm-1,可以吸收所有可見光及部分紫外和近紅外光。其光學(xué)帶隙約1.0 eV,與理論計(jì)算結(jié)果一致,與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料,如單晶硅,砷化鎵的光學(xué)帶隙相近,顯示這些團(tuán)簇可能是一類新型分子基半導(dǎo)體材料。
在這項(xiàng)工作中,作者報(bào)道了一種具有普適性的原子精確碲基稀土團(tuán)簇的合成策略,合成分離出5例等構(gòu)的碲基稀土團(tuán)簇。同時(shí)發(fā)現(xiàn)團(tuán)簇中包含三種碲簇陰離子:Te2-、(Te2)2-和線性的 (Te3)4-,結(jié)合理論計(jì)算證明 (Te3)4-?是典型的具有22個(gè)價(jià)電子三中心四電子結(jié)構(gòu)。此外,固體紫外-可見-近紅外光譜表明該類團(tuán)簇是一類可以媲美單晶硅和砷化鎵的具有超低帶隙的半導(dǎo)體材料。該方法為未來碲基稀土團(tuán)簇的構(gòu)筑提供了指導(dǎo),同時(shí)該類團(tuán)簇的獨(dú)特性質(zhì)使它們具備在未來量子材料和各種光電應(yīng)用等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用價(jià)值。
編輯 |?余? 荷
排版 | 王大雪
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