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?【DFT+實(shí)驗(yàn)】中南Nano Lett.:自重構(gòu)策略!V-NiS實(shí)現(xiàn)高效水氧化

?【DFT+實(shí)驗(yàn)】中南Nano Lett.:自重構(gòu)策略!V-NiS實(shí)現(xiàn)高效水氧化
調(diào)整電催化劑的電活性表面種類,是實(shí)現(xiàn)高效析氧反應(yīng)(OER)的重大挑戰(zhàn)?;诖?,中南大學(xué)潘軍研究員和譚鵬飛博士等人報(bào)道了一種創(chuàng)新的原位浸出策略,通過(guò)陽(yáng)離子氧化調(diào)節(jié),以實(shí)現(xiàn)這些催化劑的活性自重構(gòu)。釩(V)作為陽(yáng)離子被引入硫化鎳(Ni3S2)中,在低氧化電位下被氧化,導(dǎo)致隨后浸出到電解質(zhì)中并引發(fā)自重構(gòu)(記為V-NiS)。
通過(guò)operando拉曼光譜發(fā)現(xiàn),從V-Ni3S2到Ni(OH)2再到NiOOH的結(jié)構(gòu)演變?yōu)槿竭^(guò)渡。自重構(gòu)的V-NiS在電流密度為10 mA cm-2下僅需155 mV的超低過(guò)電位,優(yōu)于無(wú)V的Ni3S2和許多其他先進(jìn)的催化劑。
?【DFT+實(shí)驗(yàn)】中南Nano Lett.:自重構(gòu)策略!V-NiS實(shí)現(xiàn)高效水氧化
通過(guò)DFT計(jì)算,作者研究了自重構(gòu)V的來(lái)源。態(tài)密度(DOS)研究表明,在費(fèi)米能級(jí)附近的V-NiS的電子態(tài)明顯高于NiS,表明費(fèi)米能級(jí)上元素的軌道雜化更大,從而促進(jìn)了電荷轉(zhuǎn)移。V原子取代Ni原子導(dǎo)致電子重新分布,電荷密度的變化證明了這一點(diǎn)。特別是,電荷密度差等值線圖顯示了從Ni到S的定向電荷轉(zhuǎn)移,表明了Ni-S鍵的共價(jià)特征。
?【DFT+實(shí)驗(yàn)】中南Nano Lett.:自重構(gòu)策略!V-NiS實(shí)現(xiàn)高效水氧化
當(dāng)V取代Ni時(shí),指向性減弱,表明V-S鍵表現(xiàn)出離子特征,更容易被氧化浸出。對(duì)比Ni-S鍵,V-S鍵更容易斷裂,從而促進(jìn)了OER過(guò)程中自重構(gòu)過(guò)程的啟動(dòng)。摻入后V的Bader電荷遠(yuǎn)高于取代后Ni的Bader電荷,顯示出電離程度有序增加,更有利于浸出。
此外,V原子的引入引起了周圍S原子之間電荷的重新分配,破壞了Ni3S2結(jié)構(gòu)內(nèi)部的對(duì)稱性,使其具有活性。
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Cationic Oxidative Leaching Engineering Modulated In Situ Self-Reconstruction of Nickel Sulfide for Superior Water Oxidation. Nano Lett., 2023

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