金屬的溶解及其逆過(guò)程對(duì)腐蝕和電沉積都是不可或缺的一部分;然而,許多關(guān)于溶解過(guò)程的機(jī)理細(xì)節(jié)都難以破譯。這些因素包括在電極電位下,金屬和溶劑相互作用的競(jìng)爭(zhēng)如何對(duì)離子溶解動(dòng)力學(xué)和電荷轉(zhuǎn)移的影響。勞倫斯利物莫國(guó)家實(shí)驗(yàn)室Shubham Sharma,Tuan Anh Pham和Brandon C. Wood 等人引入了一個(gè)基于密度泛函理論的計(jì)算框架和電子的大標(biāo)準(zhǔn)處理,直接預(yù)測(cè)了在恒定勢(shì)下金屬溶解的勢(shì)能景觀。以鋁為例,證明了溶解動(dòng)力學(xué)是由兩個(gè)物理過(guò)程之間的競(jìng)爭(zhēng)動(dòng)力學(xué),分別與金屬-金屬鍵斷裂和離子遷移之間的競(jìng)爭(zhēng)動(dòng)力學(xué)。
計(jì)算方法
在整個(gè)工作過(guò)程中,作者考慮了一個(gè)無(wú)氧化物的鋁(Al)表面,這對(duì)于理解低pH條件下或溶液質(zhì)量傳輸被抑制的縫隙中的腐蝕特別相關(guān)。所有的計(jì)算都使用基于網(wǎng)格的投影增強(qiáng)波(GPAW)代碼中的DFT實(shí)現(xiàn),并具有真實(shí)空間網(wǎng)格基集,采用PBE交換關(guān)聯(lián)函數(shù)進(jìn)行電子計(jì)算,真空度設(shè)置為18?。晶格常數(shù)優(yōu)化采用21 × 21 × 21的 k點(diǎn)網(wǎng)格進(jìn)行,表面計(jì)算采用4×4×1網(wǎng)格進(jìn)行。此外,我們選擇研究常見(jiàn)的Al(111)表面,該表面采用3×3×3板建模,其中板的最底層在體位置受到約束。在與表面垂直的方向上,平板的周期性圖像之間的距離至少為50 ?。采用溶劑化凝膠法進(jìn)行了恒定勢(shì)表面計(jì)算,在第一個(gè)離子溶劑化殼層中對(duì)顯式水分子進(jìn)行溶解能計(jì)算。
圖1顯示了原子對(duì)原子的溶解過(guò)程是如何從一個(gè)完整的Al(111)表面進(jìn)行到一個(gè)溶劑化的Al3+水配合物。以一個(gè)外加原子為例,溶解過(guò)程可分為兩個(gè)步驟:(i)打破金屬-金屬鍵,形成全離子溶劑化,用反應(yīng)I1→I2表示;(ii)離子通過(guò)EDL遷移到本體溶液中,用I2→FS表示。溶解動(dòng)力學(xué)由這一過(guò)程的演化決定,而溶解的熱力學(xué)驅(qū)動(dòng)力可以定義為固相中鋁原子(IS)向浸在溶劑中的+3離子轉(zhuǎn)變的總反應(yīng)能。
圖1 ?從Al(111)表面出發(fā)的原子逐溶解的反應(yīng)示意圖,以初始吸附原子為例
在繼續(xù)研究表面及其相關(guān)動(dòng)力學(xué)之前,首先計(jì)算了Al/Al3+氧化還原電位,這為驗(yàn)證我們的模擬結(jié)果提供了方便的參考。電勢(shì)是通過(guò)計(jì)算反應(yīng)能來(lái)計(jì)算的,反應(yīng)能與大塊金屬內(nèi)部的原子躍遷到浸入溶劑中的Al3+水合離子絡(luò)合物有關(guān),并伴有三個(gè)電子轉(zhuǎn)移到金屬(見(jiàn)支持信息)。得到氧化還原電位的值為- 1.48 VSHE,與實(shí)驗(yàn)值-1.68 VSHE基本一致。作者指出,純隱式溶劑化模型不足以準(zhǔn)確描述溶劑化離子。例如,如圖2A和圖S1所示,僅使用單個(gè)顯式水分子和隱式溶劑模型導(dǎo)致氧化還原電位為+2.09 VSHE,大大高于實(shí)驗(yàn)值。當(dāng)使用[Al(H2O)n]3+簇來(lái)描述溶劑化離子時(shí),這種差異在很大程度上得到了糾正,該簇含有6個(gè)明確的水分子,形成了一個(gè)完整的溶劑化殼。這證實(shí)了結(jié)合六個(gè)明確的水分子形成第一個(gè)水化殼以及隱性溶劑化可以合理地用于評(píng)估金屬的溶解能量。圖2A中的結(jié)果主要關(guān)注Al/Al3+氧化還原電位作為整體性質(zhì)。實(shí)際上,溶解是一種表面現(xiàn)象,它是由溶解原子的化學(xué)鍵局部決定的(圖1)。這又取決于多種因素,如表面取向、晶界和缺陷的存在以及特定的溶液環(huán)境。在此基礎(chǔ)上,作者進(jìn)一步研究了不同配位數(shù)的Al原子的氧化還原電位。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn),將重點(diǎn)放在無(wú)缺陷的單晶Al(111)表面,并考慮表面原子產(chǎn)生最低和最高的配位數(shù)。這些物質(zhì)的氧化還原電位的計(jì)算如圖2B和C所示。電位是通過(guò)計(jì)算圖1中初始狀態(tài)(is)和最終狀態(tài)(FS)之間的能量差得到的。正如預(yù)期的那樣,溶解表面原子所需的能量(0.41 V)比溶解表面原子所需的能量少得多。I1 |Z
圖2 Al表面的溶解反應(yīng)能
除了Al/Al3+氧化還原電位外,模擬方案還可以擴(kuò)展到在恒定電位下的溶解動(dòng)力學(xué)。這里作者關(guān)注附加原子,如圖1所示,溶解過(guò)程可以直觀地分為兩個(gè)反應(yīng)階段:金屬-金屬鍵的斷裂和形成一個(gè)完整的離子溶劑化(I1→I2);以及離子-水配合物通過(guò)EDL(I2→FS)遷移到本體溶液中。在這里,I1態(tài)使用5個(gè)顯式水分子,它們代表部分溶劑化殼,一個(gè)額外的水分子在隱式溶劑深處,而I2態(tài)的離子溶劑化使用6個(gè)顯式水分子。I1和I2幾何圖形代表了[Al(H2O)5 ] 3+和[(H2O)6 ] 3+配合物的I1 |Z和I2 |Z所獲得的最小能量結(jié)構(gòu),分別如圖3所示。
在外加電位存在下,通過(guò)改變[Al(H2O)5 ] 3+和[(H2O)6 ] 3+配合物的位置,得到了I1 |Z和I2 |Z沿表面法向的勢(shì)能分布圖。在每一步中,優(yōu)化這些配合物的構(gòu)型,并將配體固定在Z方向上。通過(guò)對(duì)圖S3所示結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,得到了I1 |Z=0結(jié)構(gòu),其中不允許吸附原子在與表面垂直的方向上松弛。與I1→I2步驟相關(guān)的過(guò)渡態(tài)和對(duì)應(yīng)的反應(yīng)勢(shì)壘(ΔE?diss)近似為I1 |Z和I2 |Z構(gòu)型勢(shì)能分布的交集。這樣,由于第6個(gè)水分子的存在,與離子溶劑化的臨時(shí)重構(gòu)相關(guān)的動(dòng)力學(xué)不包括在模擬中。最后,通過(guò)I2 |Z的勢(shì)能分布圖,得到了與I2→FS相關(guān)的過(guò)渡態(tài)及其對(duì)應(yīng)的反應(yīng)勢(shì)壘(ΔE?ion)與表面距離的函數(shù)關(guān)系。圖3顯示了- 1 VSHE的典型應(yīng)用電位下,金屬配原子與表面距離的函數(shù)圖。注意到I2 |Z在長(zhǎng)距離處能量的緩慢收斂是由于[(H2O)6] 3+配合物與帶電電極之間的靜電相互作用(見(jiàn)圖S4),即,它依賴于靜電勢(shì)。為了減輕這種緩慢的收斂并保持熱力學(xué)一致性,分別在恒電位和恒電荷+ 3下處理電極和水離子絡(luò)合物,得到I2 |Z的最終態(tài)(FS)。
圖3 ?在-1 VSHE處的溶解動(dòng)力學(xué)作為吸附原子和Al(111)表面之間的距離的函數(shù)
根據(jù)這一模擬方案,作者進(jìn)行了Bader電荷分析,以闡明溶解金屬的電荷狀態(tài)的空間演化。I1 |Z和I2 |Z幾何形狀與表面距離的函數(shù)關(guān)系分別如圖4A和B所示。發(fā)現(xiàn),由于與外顯水的相互作用和初始金屬-金屬鍵的拉伸,吸附原子(紅線)在I1 |Z=0構(gòu)型中已經(jīng)表現(xiàn)出陽(yáng)離子特征,其電荷狀態(tài)約為+1.1。正如預(yù)期的那樣,隨著金屬-金屬鍵的繼續(xù)拉伸,水合吸附原子變得越來(lái)越氧化,直到鍵完全斷裂。如圖4A所示,一旦金屬-金屬鍵斷裂,電荷大小的下降是由于I1 |Z進(jìn)入溶液時(shí)沒(méi)有考慮到完整的六水溶劑化殼層。另一方面,在I2 |Z中具有完整第一水化殼層的Al配合原子(圖4B),當(dāng)離子配合物從以金屬-金屬相互作用為主的狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橐越饘?溶劑相互作用為主的狀態(tài)時(shí),產(chǎn)生+2的電荷狀態(tài)。這表明,隨著金屬的溶解,它首先演變成+2狀態(tài),然后過(guò)渡到預(yù)期的+3狀態(tài);當(dāng)金屬離子遷移到體溶液中時(shí),后者出現(xiàn)外層電子轉(zhuǎn)移現(xiàn)象。
根據(jù)電荷密度分析,可以解釋離子靠近表面的低電荷狀態(tài),當(dāng)溶劑化離子靠近金屬表面時(shí),顯示出高度的離域電荷,導(dǎo)致電子從表面溢出到金屬離子中。對(duì)溶解離子的電荷態(tài)演化的研究結(jié)果與馬庫(kù)斯理論一致,該理論認(rèn)為多價(jià)離子的溶解涉及一系列單電子步驟,因?yàn)橥瑫r(shí)轉(zhuǎn)移多個(gè)電子所需的重組能要高得多。作者的分析還指出,溶解和離子遷移機(jī)制之間的電荷轉(zhuǎn)移反應(yīng)具有根本不同的性質(zhì),分別由I1 |Z和I2 |Z構(gòu)型表示。對(duì)于前者,金屬-金屬鍵主導(dǎo)電荷轉(zhuǎn)移,導(dǎo)致溶解金屬中心和累積水合金屬離子配合物的電荷狀態(tài)相似,分別由圖4A中的紅色和藍(lán)色線表示。另一方面,由于離子在I2構(gòu)型中完全溶劑化,金屬中心的電荷狀態(tài)保持穩(wěn)定在≈2.6,而溶劑化配合物中的其余電荷則在周?chē)乃肿又须x域(圖4B)。還發(fā)現(xiàn),正是這些水分子和金屬表面之間的電荷轉(zhuǎn)移,導(dǎo)致整個(gè)離子絡(luò)合物在從表面遷移時(shí),電荷態(tài)增加到+3。
圖4 ?-1 VSHE的I1 |Z和I2 |Z構(gòu)型作為原子和Al(111)表面之間距離的Bader電荷分析
整個(gè)溶解過(guò)程的能量學(xué)如圖5所示,圖1中所示的與每一步相關(guān)的反應(yīng)能差與施加的電位(U)呈簡(jiǎn)單的線性關(guān)系。每條曲線的斜率是與該步驟相關(guān)的沿反應(yīng)坐標(biāo)的電荷轉(zhuǎn)移,由SJM得到。例如,從IS到FS的整個(gè)反應(yīng)產(chǎn)生斜率為~ 3(黑線),這與整個(gè)Al溶解過(guò)程中總共轉(zhuǎn)移了3個(gè)電子相一致。對(duì)熱力學(xué)剖面的考察揭示了重要的附加發(fā)現(xiàn)。特別是,從Al原子到部分溶劑化離子(IS→I1,品紅色線)的轉(zhuǎn)變總是能量上的有利。另一方面,在非常低的電勢(shì)下,通過(guò)破壞金屬-金屬鍵(I1→I2,綠線)形成完整的溶劑化殼層和溶劑化離子通過(guò)EDL (I2→FS,藍(lán)線)遷移到體溶液中是熱力學(xué)上不利的;它們分別在- 1.0 VSHE和- 1.5 VSHE左右變得有利。最后,從純熱力學(xué)的角度來(lái)看,在采樣電位范圍內(nèi),I1→I2是溶解過(guò)程中最困難的步驟。如果考慮動(dòng)力學(xué)的影響,情況就更有趣了。特別是,Al溶解可以由兩個(gè)動(dòng)力學(xué)限制過(guò)程中的任何一個(gè)控制,這兩個(gè)過(guò)程與金屬-金屬鍵斷裂和離子通過(guò)EDL遷移有關(guān)(圖5B,分別為紅色和藍(lán)色線)。與熱力學(xué)相反,動(dòng)力學(xué)勢(shì)壘對(duì)電勢(shì)表現(xiàn)出更非線性的行為。在低于- 1.7 VSHE的電位下,離子遷移是限速過(guò)程,而在更高的電位下,通過(guò)打破金屬-金屬鍵形成完整的離子溶劑化的過(guò)程占主導(dǎo)地位。總的來(lái)說(shuō),這些結(jié)果表明溶解動(dòng)力學(xué)對(duì)電極電位的復(fù)雜依賴,指出了在涉及電化學(xué)溶解的模擬中考慮電位偏置影響的重要性。
圖5 (A)反應(yīng)能和(B)反應(yīng)勢(shì)壘的電勢(shì)依賴性
總之,作者提出了一個(gè)簡(jiǎn)單的基于DFT的模擬協(xié)議,通過(guò)巨正則來(lái)預(yù)測(cè)恒定偏置勢(shì)下的溶解動(dòng)力學(xué)、電荷轉(zhuǎn)移和熱力學(xué)。應(yīng)用于金屬鋁作為一個(gè)演示案例,我們的方法被用來(lái)證明鋁的溶解可以由兩個(gè)潛在的動(dòng)力學(xué)限制過(guò)程中的任何一個(gè)來(lái)控制。這些過(guò)程與金屬-金屬鍵斷裂和離子通過(guò)電雙層遷移有關(guān)。這些效應(yīng)包括熵效應(yīng),以及與水的輸運(yùn)和離子溶劑化的臨時(shí)重構(gòu)相關(guān)的動(dòng)力學(xué),這可能在馬庫(kù)斯理論的背景下高度相關(guān)。同樣,還需要進(jìn)一步的努力來(lái)了解隱式溶劑化模型的選擇以及用來(lái)表示離子溶劑化的顯式水分子的數(shù)量如何影響溶解動(dòng)力學(xué)。
Sharma, S., Zagalskaya, A., Weitzner, S. E., Eggart, L., Cho, S., Hsu, T., … & Wood, B. C. (2023). Metal dissolution from first principles: Potential-dependent kinetics and charge transfer. Electrochimica Acta, 437, 141443.
原創(chuàng)文章,作者:計(jì)算搬磚工程師,如若轉(zhuǎn)載,請(qǐng)注明來(lái)源華算科技,注明出處:http://m.xiubac.cn/index.php/2024/03/12/620af8b744/