通訊作者:陳海龍,中國(guó)科學(xué)院物理研究所;翁羽翔,中國(guó)科學(xué)院物理研究所
作者:鄒家定,朱銳丹,王嘉鈺,孟翰廷,王 專,陳海龍,翁羽翔
由于強(qiáng)庫(kù)倫相互作用的存在,二維過渡金屬硫化物(TMDC)的光學(xué)和電學(xué)特性在很大程度上由其中的激子(exciton)、帶電激子(trion)等多體復(fù)合物的性質(zhì)所決定。深入理解二維TMDC材料中多體相互作用機(jī)制將極大有利于發(fā)掘這些原子層厚度材料的潛在應(yīng)用價(jià)值。本研究采用高時(shí)間分辨的飛秒二維電子光譜(2DES)和寬帶泵浦探測(cè)(BBTA)技術(shù),觀測(cè)到單層WSe2中存在很強(qiáng)的電子-激子多體相互作用,并揭示相干光學(xué)聲子顯著地調(diào)節(jié)了電子-激子的耦合效應(yīng)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明電子(激子)-聲子耦合產(chǎn)生的相干振蕩信號(hào)可以持續(xù)幾個(gè)皮秒。這一發(fā)現(xiàn)可進(jìn)一步加深人們對(duì)TMDC材料中光誘導(dǎo)多體復(fù)合物形成機(jī)制的理解。
研究背景
極大減弱的介電屏蔽效應(yīng)和顯著增強(qiáng)的庫(kù)倫相互作用,使得原子層厚度的二維TMDC半導(dǎo)體材料中存在多種多樣的多體復(fù)合物。揭示與電子、空穴、激子等準(zhǔn)粒子相互作用相關(guān)的多體物理過程,已成為二維TMDC材料研究的前沿方向。光激發(fā)后,各類激子及其多體復(fù)合物可以共存,并且在聲子的參與下相互轉(zhuǎn)化。雖然聲子對(duì)于TMDC材料中的多體相互作用具有至關(guān)重要的影響,然而關(guān)于聲子調(diào)節(jié)多體過程的實(shí)驗(yàn)報(bào)導(dǎo)依然很少,光學(xué)聲子在這些過程中的作用并沒有得到很好的探討。飛秒2DES是一種基于四波混頻和時(shí)域傅里葉變換的超快非線性光譜技術(shù)。由于具備同時(shí)分辨激發(fā)光子和發(fā)射光子能量的優(yōu)勢(shì),2DES成為了研究半導(dǎo)體系統(tǒng)中相干耦合和多體效應(yīng)的有力工具。近年來,2DES展示了在研究TMDC材料中復(fù)雜多體相互作用動(dòng)力學(xué)的潛在能力。
快訊亮點(diǎn)
研究團(tuán)隊(duì)利用基于~10 fs超短脈沖的2DES和BBTA技術(shù),觀測(cè)單層WSe2材料在光激發(fā)后的超快動(dòng)力學(xué)過程以及相干耦合現(xiàn)象,取得如下實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):
(1)通過導(dǎo)帶帶邊激發(fā),在單層WSe2樣品中觀察到強(qiáng)電子-激子耦合信號(hào);
(2)證明相干光學(xué)聲子顯著調(diào)節(jié)了電子-激子多體相互作用,電子(激子)-聲子耦合信號(hào)以相干振蕩的形式持續(xù)~4.5 ps;
(3)相干聲子調(diào)節(jié)的多體信號(hào)具有明顯的功率依賴特性,高激發(fā)能量密度下可以觀察到~1.5 ps的動(dòng)力學(xué)穩(wěn)定過程。
內(nèi)容介紹
本工作采用高時(shí)間分辨的飛秒2DES和BBTA技術(shù)研究了單層WSe2樣品內(nèi)光生激子和自由載流子之間的多體相互作用。其中,2DES實(shí)驗(yàn)利用多個(gè)飛秒脈沖依次作用樣品,產(chǎn)生三階極化信號(hào),并以外差測(cè)量的方式將其收集(圖1a)。由此可在~10 fs高時(shí)間分辨下,同時(shí)實(shí)現(xiàn)激發(fā)光子與發(fā)射光子的高能量分辨。實(shí)驗(yàn)選取的寬譜激發(fā)光源覆蓋了單層WSe2的B激子吸收峰和導(dǎo)帶帶邊區(qū)域(圖1b),同時(shí)遠(yuǎn)離其A激子吸收峰。由于是帶邊激發(fā),光誘導(dǎo)的載流子和激子相互作用信號(hào)可以因此有效產(chǎn)生。2DES光譜表明在~2.30 eV對(duì)角峰位置處出現(xiàn)了反常的光誘導(dǎo)吸收信號(hào)峰X(圖1c)。由于2DES的激發(fā)頻率分辨優(yōu)勢(shì),可以排除這一信號(hào)來源于B激子的帶隙重整化以及激子結(jié)合能下降等常見的物理效應(yīng)。
圖 1 . (a) 二維電子光譜2DES技術(shù)原理示意圖;(b) 單層WSe2樣品的吸收光譜以及飛秒超快實(shí)驗(yàn)中所使用寬譜光源的光譜;(c) 光激發(fā)后不同時(shí)刻的2DES光譜。
BBTA光譜測(cè)量表明信號(hào)峰X被相干光學(xué)聲子明顯調(diào)制(圖2a),且信號(hào)峰X和B激子信號(hào)具有明顯不同的動(dòng)力學(xué)演化(圖2b)。由2DES光譜中提取的相干光學(xué)聲子振蕩信號(hào)的二維頻譜分布也明確證實(shí)了信號(hào)峰X出現(xiàn)的位置與被相干光學(xué)聲子調(diào)制的區(qū)域高度地重合(圖2c)。信號(hào)X的殘差動(dòng)力學(xué)表明相干光學(xué)聲子對(duì)這一光誘導(dǎo)吸收信號(hào)的調(diào)制時(shí)間可以持續(xù)4.3 ps。這一相干壽命與光學(xué)聲子對(duì)A激子的相干調(diào)制壽命基本一致,預(yù)示了A激子可能參與了信號(hào)峰X的形成。此外,功率依賴的BBTA實(shí)驗(yàn)(圖2d)表明信號(hào)峰X具有明顯的功率依賴特性。隨著激發(fā)能量的增加,相干振蕩信號(hào)的幅值基本線性增長(zhǎng),而振蕩壽命沒有明顯的變化。在高激發(fā)能量下,可以觀察到~1.5 ps的動(dòng)力學(xué)增長(zhǎng)過程。
圖 2 . (a) 單層WSe2的寬帶泵浦探測(cè)(BBTA)實(shí)驗(yàn)結(jié)果;(b) B激子和信號(hào)峰X的動(dòng)力學(xué)曲線,以及信號(hào)峰X的殘差振蕩。插圖表明振蕩頻率與單層WSe2的光學(xué)聲子模頻率一致;(c) 相干光學(xué)聲子振蕩信號(hào)的二維頻譜分布;(d) 信號(hào)峰X的功率依賴動(dòng)力學(xué)。
基于上述結(jié)果,研究團(tuán)隊(duì)提出了由相干聲子調(diào)制的電子-激子耦合模型(圖3a和圖3b)。首先,帶邊泵浦激發(fā)產(chǎn)生了大量自由載流子,這些自由載流子在飛秒至皮秒的時(shí)間尺度逐漸冷卻形成束縛的激子。在寬帶超短脈沖相干激發(fā)條件下,泵浦脈沖可以在連續(xù)的帶邊制備電子相干態(tài),相干波動(dòng)的能量差等于光學(xué)聲子能量。隨著自由電子和空穴逐漸形成束縛激子,這樣一種周期性的相干調(diào)制轉(zhuǎn)移至A激子,最終表現(xiàn)為相干光學(xué)聲子對(duì)A激子動(dòng)力學(xué)信號(hào)皮秒時(shí)間尺度的周期性調(diào)制。而此時(shí),當(dāng)探測(cè)脈沖的能量同樣接近WSe2的帶邊電子吸收時(shí),便產(chǎn)生了由相干光學(xué)聲子調(diào)制的電子-激子耦合信號(hào),即所觀察到的信號(hào)峰X。
圖 3. (a)單層WSe2樣品在帶邊激發(fā)后,由相干聲子調(diào)制的電子-激子相互作用示意圖;(b) 相干光學(xué)聲子參與的電子-激子耦合能級(jí)示意圖;(c) 雙邊費(fèi)曼圖描述動(dòng)力學(xué)上相干振蕩的耦合信號(hào)。
使用雙邊費(fèi)曼圖(圖3c),可以清楚描述相干光學(xué)聲子參與信號(hào)峰X的產(chǎn)生過程中所涉及的具體能級(jí)躍遷過程。根據(jù)模型預(yù)測(cè),rephasing和nonrephasing信號(hào)分別以負(fù)頻和正頻的形式在動(dòng)力學(xué)上出現(xiàn)周期性的振蕩,并且rephasing(nonrephasing)振蕩信號(hào)在二維光譜中沿對(duì)角線上移(下移)一個(gè)光學(xué)聲子能量大小。Rephasing和nonrephasing二維拍頻圖的實(shí)驗(yàn)結(jié)果(圖4)和模型預(yù)測(cè)基本一致,證實(shí)了相干聲子調(diào)制的電子-激子耦合模型的合理性。
圖 4 . Rephasing和nonrephasing過程相干光學(xué)聲子振蕩信號(hào)的二維頻譜分布。
該工作揭示了單層TMDC材料中具有強(qiáng)的電子-激子相互作用,相干光學(xué)聲子參與并顯著調(diào)制了這一多體過程。此結(jié)果表明了相干聲子能夠強(qiáng)烈調(diào)節(jié)激子的光物理屬性,并提出了通過光學(xué)激發(fā)和電學(xué)調(diào)節(jié)來操縱激子的可行性。由此可進(jìn)一步拓寬TMDC材料中多體相互作用研究的視野,并可啟發(fā)基于TMDC材料的納米光電器件或量子設(shè)備的設(shè)計(jì)和應(yīng)用。
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J. Phys. Chem. Lett. 2023, 14, 20, 4657-4665
Publication Date: May 11, 2023
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.3c00870
Copyright ? 2023 American Chemical Society
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