轉(zhuǎn)載自公眾平臺：電介質(zhì)Dielectrics

本文以傳播知識為目的，如有侵權(quán)請后臺聯(lián)系我們，我們將在第一時間刪除。

圖1 (a) 順電和 (b) 鐵電態(tài)下單層TiOCl₂的俯視圖和側(cè)視圖

圖2  順電和鐵電態(tài)下單層TiOCl₂的 (a-b) PBE能帶和 (c-d) G₀W₀準(zhǔn)粒子能帶結(jié)構(gòu)

圖3 (a-b)  順電和鐵電態(tài)下準(zhǔn)粒子帶隙內(nèi)的激子能譜及其相對振子強(qiáng)度；(c-f) PEx、PEz、FEx和FEz激子的BSE能帶結(jié)構(gòu)；(g-h) PEz和FEz激子的實空間激子波函數(shù)

圖4 (a) 不同態(tài)構(gòu)型下的激子壽命和結(jié)合能；(b) 六種態(tài)對應(yīng)的激子能帶結(jié)構(gòu)

【論文鏈接】

Qu, H. & Li, Y. Giant enhancement of exciton radiative lifetime by ferroelectric polarization: The case of monolayer TiOCl₂. Phys. Rev. B, 2023, 107, 235407. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.107.235407

【其他相關(guān)文獻(xiàn)】

[1] Jiang, Z., Liu, Z., Li, Y. et al. Scaling Universality between Band Gap and Exciton Binding Energy of Two-Dimensional Semiconductors. Phys. Rev. Lett., 2017, 118, 266401. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.118.266401

[2] Jiang, Z., Li, Y., Zhang, S. et al. Realizing an intrinsic excitonic insulator by decoupling exciton binding energy from the minimum band gap. Phys. Rev. B, 2018, 98, 081408(R). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.98.081408

 點擊閱讀原文，報名計算培訓(xùn)！