最近，中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心表面物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SF06課題組的朱學(xué)濤研究員和郭建東研究員指導(dǎo)博士生李佳德等，利用自主研發(fā)的具有能量-動(dòng)量二維成像解析能力的高分辨率電子能量損失譜儀（2D-HREELS），全面研究了典型二維極性材料單層六方氮化硼（h-BN）中LO聲子的非解析行為，并研究了其二維PhP的性質(zhì)。通過(guò)2D-HREELS的高精度測(cè)量，他們成功觀測(cè)到了單層h-BN的所有聲子模式從布里淵區(qū)中心到邊界的色散（圖2c、d）?；诖?，他們證明了LO聲子色散確實(shí)具有“V”形的非解析行為（圖3a、b）：首先，LO和TO聲子在布里淵區(qū)中心簡(jiǎn)并；其次，LO聲子的色散在布里淵區(qū)中心附近呈現(xiàn)有限的正斜率。

此外，他們還研究了襯底電子的屏蔽效應(yīng)對(duì)LO聲子行為的影響。通過(guò)對(duì)比Cu箔和Cu單晶襯底上生長(zhǎng)的單層h-BN的不同LO聲子行為，表明襯底與h-BN的距離是影響屏蔽強(qiáng)度的一個(gè)關(guān)鍵因素。對(duì)Cu單晶上單層h-BN的測(cè)量發(fā)現(xiàn)，其LO聲子的線性色散行為被完全抑制，在布里淵區(qū)中心表現(xiàn)為“U”形的色散（圖3d、e）。相比于表面原子級(jí)平整的Cu單晶，Cu箔的粗糙表面增加了其與h-BN的平均距離，導(dǎo)致Cu箔襯底的電子對(duì)h-BN屏蔽不完全，從而保留了“V”形的非解析色散行為。

該工作得到了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃，國(guó)家自然科學(xué)基金，中國(guó)科學(xué)院戰(zhàn)略先導(dǎo)（B）計(jì)劃和中國(guó)科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)的資助。（來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院物理研究所）