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準(zhǔn)二維鐵磁化合物Fe?GaTe??的物性研究

可解離的準(zhǔn)二維鐵磁化合物在近年來(lái)引起研究人員的廣泛關(guān)注,其中的代表性進(jìn)展是單層CrGeTe3CrI3長(zhǎng)程鐵磁序的發(fā)現(xiàn),它為研究維度依賴的磁相變和高性能自旋電子器件提供了優(yōu)良體系。新發(fā)現(xiàn)的準(zhǔn)二維Fe3GaTe2具有高居里溫度(Tc=342 K)和強(qiáng)垂直磁各向異性,Ga/Te原子與Fe原子的反鐵磁耦合與強(qiáng)烈偏離巡游Stoner模型等行為表明Fe3GaTe2具有豐富物性和重要研究?jī)r(jià)值。
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近期,中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心A02組的博士生陳昭旭在郭建剛研究員指導(dǎo)下,通過(guò)標(biāo)度分析與電磁輸運(yùn)對(duì)塊材到二維極限下的Fe3GaTe2進(jìn)行了系統(tǒng)研究。圖1(a)給出了Fe3GaTe2的(00l)面衍射峰與晶體結(jié)構(gòu),其c=1.6112 nm。對(duì)單晶減薄后,發(fā)現(xiàn)在厚度小于3 nm的樣品中,出現(xiàn)了類似金屬-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變,10 K以下的電阻可以用Mott變程躍遷擬合,如圖1(b)所示。在Deguchi-Takahashi圖中,T0代表頻率空間中動(dòng)力學(xué)自旋漲落譜的能量寬度,當(dāng)T0Tc相近時(shí),局域磁性占據(jù)主導(dǎo)。但塊材Fe3GaTe2Tc/T0為0.14,表明其為弱巡游鐵磁性,Rhodes-Wohlfarth曲線分析同樣支持這一結(jié)論,見圖1(c)。此外,有效磁矩Peff與自發(fā)磁矩Ps的比值與Tc/T0關(guān)系可以被Takahashi理論描述,暗示著自旋漲落的存在。標(biāo)度分析擬合出塊材Fe3GaTe2鐵磁-順磁相變的臨界指數(shù)為β=0.398(3),γ=1.10(1),δ=3.77(6),表明它是首個(gè)符合長(zhǎng)程交換作用的三維Ising層狀鐵磁體。圖1(d)是169 nm厚度樣品的反?;魻栯娮枨€,其中,140-150K的曲線在磁化翻轉(zhuǎn)過(guò)程中存在一個(gè)電阻跳躍,這與交換相互作用與磁各向異性強(qiáng)度比值的提升相關(guān)。
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準(zhǔn)二維鐵磁化合物Fe?GaTe??的物性研究
圖1 (a) Fe3GaTe2的 (00l) 面衍射峰與晶體結(jié)構(gòu)示意圖。(b)不同層數(shù)樣品的歸一化電阻與溫度曲線。(c) Deguchi-Takahashi圖,藍(lán)色虛線代表Takahashi曲線Peff/Ps=1.4×(Tc/To)-2/3。插圖為Rhodes-Wohlfarth圖,紅色曲線是巡游鐵磁體的經(jīng)驗(yàn)曲線,藍(lán)色虛線代表局域磁性。(d) 169 nm厚Fe3GaTe2的反?;魻栯娮?。
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圖2(a)是溫度依賴的塊材Fe3GaTe2磁相圖,Tc以下存在一個(gè)隱藏的磁相變,可能與鐵磁、反鐵磁相互競(jìng)爭(zhēng)誘導(dǎo)的三重臨界點(diǎn)相關(guān)。圖2(b)中,Tc隨厚度降低而減小,1 nm厚度Fe3GaTe2Tc為200 K,這是已報(bào)道二維極限下鐵磁化合物最高的本征Tc。同時(shí),樣品厚度的降低導(dǎo)致Tc1持續(xù)上升,Tc2基本保持不變。在10 nm左右時(shí),Tc1Tc2相等,表明矯頑場(chǎng)附近的反磁化形核導(dǎo)致整個(gè)樣品的磁化翻轉(zhuǎn)
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準(zhǔn)二維鐵磁化合物Fe?GaTe??的物性研究
圖2 (a) 基于標(biāo)度分析得到的Fe3GaTe2?沿c軸的磁相圖。(b) 溫度-厚度的電子相圖?!癋ull Inverted Magnetization”代表Fe3GaTe2中表現(xiàn)出方形滯的磁相;“Partial Inversion”代表在磁化翻轉(zhuǎn)的過(guò)程中表現(xiàn)出突然“跳躍”的相,Tc1Tc2分別代表磁化翻轉(zhuǎn)過(guò)程的轉(zhuǎn)變溫度與鐵磁順-磁相變溫度。
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該工作系統(tǒng)研究了Fe3GaTe2磁相變與溫度和樣品厚度的依賴關(guān)系,確認(rèn)其為首個(gè)具有長(zhǎng)程交換作用的三維Ising鐵磁體,為二維鐵磁半導(dǎo)體的研究提供了參考。以上成果以“High-Tc?Ferromagnetic Semiconductor in Thinned 3D Ising Ferromagnetic Metal Fe3GaTe2”為題發(fā)表在Nano Lett. 24, 993-1000 (2024),該工作得到了北京自然科學(xué)基金(220005)的支持。

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