研究團隊合成了磷鎢酸亞納米片填料,并基于此開發(fā)了一種聚合物基亞納米復(fù)合電介質(zhì),顯著提升了聚合物電介質(zhì)的高溫儲能性能。這種磷鎢酸亞納米片由磷鎢酸骨架和油胺表面活性劑構(gòu)成,厚度不足1納米,橫向尺寸達到3微米,具有柔性,可在聚合物基體內(nèi)部呈現(xiàn)出多種狀態(tài),如波浪狀、彎曲狀、彎折狀等。
圖1?磷鎢酸亞納米片和聚合物-亞納米片復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)
圖2?亞納米片的四方晶相結(jié)構(gòu)與表征
該亞納米片具有較高的機械強度,且其橫向尺寸可以有效傳遞面內(nèi)方向的載荷。因此,亞納米片可以在極小含量下顯著提升聚合物復(fù)合電介質(zhì)的力學(xué)性能。其次,彌散分布的亞納米片可以迫使電介質(zhì)內(nèi)部的擊穿路徑繞其擴展,且其橫向尺寸、彎曲形狀可以有效增大擊穿路徑擴展的長度和難度,進而提升復(fù)合電介質(zhì)的擊穿場強。
圖3?磷鎢酸亞納米片的機械增強和擊穿路徑阻礙
該亞納米片具有極大的比表面積,可引入大量表面活性劑-聚合物界面。二者具有高結(jié)合能,可以顯著減少界面缺陷;二者的能級失配還可構(gòu)成載流子陷阱,抑制空間電荷遷移。此外,密度泛函理論計算揭示了該亞納米片中具有顯著的面內(nèi)電子離域特性,電子得失行為更容易發(fā)生(圖4)。磷鎢酸骨架獨特的周期排布團簇結(jié)構(gòu)賦予其極強的電荷捕獲和容納能力,可通過內(nèi)部大量W離子的變價而進一步捕獲空間電荷,顯著降低高溫漏電流。因此,極小含量的亞納米片(0.5 wt.%)便可使復(fù)合電介質(zhì)的高溫儲能性能獲得顯著提升,在200 °C和150 °C下的能量密度分別達到8.1 J/cm和7.2 J/cm3(充放電效率為90%)。
圖4?亞納米片的電子離域特性
圖5?磷鎢酸亞納米片的電荷捕獲的儲能性能
除此之外,這種亞納米復(fù)合電介質(zhì)可耐受200 °C環(huán)境中50萬次的充放電循環(huán),且儲能性能對測試電極面積的變化保持穩(wěn)定。更為重要的是,研究團隊依托烏鎮(zhèn)實驗室,采用工業(yè)化流延設(shè)備首次實現(xiàn)了百米級長度的亞納米復(fù)合電介質(zhì)薄膜的卷對卷生產(chǎn),所獲得的薄膜具有穩(wěn)定的儲能性能,展現(xiàn)出廣闊的工業(yè)化應(yīng)用前景。
圖 6?聚合物-亞納米片復(fù)合材料的服役可靠性和大規(guī)模制備
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