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【DFT+實(shí)驗(yàn)】曲師大張永政教授團(tuán)隊(duì)JPCL | 通過(guò)調(diào)節(jié)電子結(jié)構(gòu)優(yōu)化CO?電還原過(guò)程中的中間體優(yōu)先吸附位點(diǎn)

【DFT+實(shí)驗(yàn)】曲師大張永政教授團(tuán)隊(duì)JPCL | 通過(guò)調(diào)節(jié)電子結(jié)構(gòu)優(yōu)化CO?電還原過(guò)程中的中間體優(yōu)先吸附位點(diǎn)
英文原題:Adjusted Preferential Adsorption of Intermediates via Regulation of the Electronic Structure during the Electrocatalytic CO2 Reduction Process

【DFT+實(shí)驗(yàn)】曲師大張永政教授團(tuán)隊(duì)JPCL | 通過(guò)調(diào)節(jié)電子結(jié)構(gòu)優(yōu)化CO?電還原過(guò)程中的中間體優(yōu)先吸附位點(diǎn)
通訊作者:張永政(曲阜師范大學(xué))

作者:Kaiyue Zhang(張凱悅), Jing Wang(王晶), Weining Zhang*(張薇寧), Dongdong Xiao(肖東東), Hongfei Yin(殷鴻飛), Zhen Lu(魯振), Meikun Fan(范美坤), Weiliu Fan(樊唯鎦), Yongzheng Zhang*(張永政) & Ping Zhang(張平)

電子結(jié)構(gòu)調(diào)控被認(rèn)為是獲得高選擇性和活性的電催化CO2-還原催化劑的有效策略之一。以往的研究主要集中在調(diào)節(jié)催化劑的電子結(jié)構(gòu)對(duì)中間體吸附強(qiáng)度的影響上,對(duì)中間體在活性位點(diǎn)的吸附構(gòu)型的作用機(jī)制還有待進(jìn)一步研究?;诖?,張永政教授與來(lái)自曲阜師范大學(xué)、山東大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)、西南交通大學(xué)的團(tuán)隊(duì)合作在?The Journal of Physical Chemistry Letters?上發(fā)表了題為Adjusted Preferential Adsorption of Intermediates via Regulation of the Electronic Structure during the Electrocatalytic CO2 Reduction Process 的研究文章。

在這項(xiàng)工作中,構(gòu)建富含S空位的CuInS2納米片(VS-CuInS2),評(píng)估表面活性位點(diǎn)的電子結(jié)構(gòu)對(duì)電化學(xué)CO2還原反應(yīng)的影響。VS-CuInS2催化劑相較于CuInS2可實(shí)現(xiàn)高甲酸選擇性的提升。原位拉曼和密度泛函理論計(jì)算闡明了碳產(chǎn)物選擇性明顯變化的緣由。硫空位的引入有效調(diào)節(jié)了金屬活性位點(diǎn)周圍的局部電子密度,誘導(dǎo)*COOH和*OCHO從CuInS2上的競(jìng)爭(zhēng)性吸附轉(zhuǎn)變?yōu)閂S-CuInS2上的特異性吸附。此外,VS-CuInS2上電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控抑制了*H的吸附,從而抑制HER副反應(yīng)。這項(xiàng)工作揭示了通過(guò)調(diào)節(jié)電子結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)CO2RR中間體的吸附轉(zhuǎn)變,補(bǔ)充了對(duì)增強(qiáng)的CO2RR機(jī)理的理解。

【DFT+實(shí)驗(yàn)】曲師大張永政教授團(tuán)隊(duì)JPCL | 通過(guò)調(diào)節(jié)電子結(jié)構(gòu)優(yōu)化CO?電還原過(guò)程中的中間體優(yōu)先吸附位點(diǎn)
圖1. CuInS2和VS-CuInS2的合成和表征。(a) 合成過(guò)程的示意圖;VS-CuInS2的(b) TEM圖像;(c和d) HRTEM圖像;(e) VS-CuInS2的HAADF-STEM圖像和對(duì)應(yīng)的元素分布圖;(f) CuInS2和(g) VS-CuInS2優(yōu)化后的(204)晶面結(jié)構(gòu)。

VS-CuInS2表現(xiàn)出納米片形貌,通過(guò)簡(jiǎn)單的水熱法和快速退火法合成,缺陷的引入沒(méi)有改變催化劑的結(jié)構(gòu)。優(yōu)化后的(204)晶面構(gòu)型表明具有較強(qiáng)晶格約束的橋硫鍵的存在可以增強(qiáng)催化劑結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,并大大降低材料的重構(gòu)率。

【DFT+實(shí)驗(yàn)】曲師大張永政教授團(tuán)隊(duì)JPCL | 通過(guò)調(diào)節(jié)電子結(jié)構(gòu)優(yōu)化CO?電還原過(guò)程中的中間體優(yōu)先吸附位點(diǎn)

圖2. CuInS2和VS-CuInS2的結(jié)構(gòu)表征。(a) 通過(guò)XPS測(cè)試計(jì)算得到的原子比;(b) EPR譜圖;g=2.003處的信號(hào)對(duì)應(yīng)硫空位;(c) PL光譜;(d) TRPL光譜;(e) 高分辨Cu 2p譜圖;(f) 高分辨In 3d譜圖。

通過(guò)分析表面原子比,VS-CuInS2較小的S/(Cu+In)值表明表面硫含量的減少,證明VS-CuInS2表面硫原子的缺失。EPR測(cè)試為硫空位的存在進(jìn)一步提供證據(jù)。較弱的PL峰和較大的TRPL值說(shuō)明硫空位作為電子捕獲中心,有效促進(jìn)電荷分離。Cu和In結(jié)合能的負(fù)移表明缺陷產(chǎn)生后,電子積聚在金屬位點(diǎn)附近。上述結(jié)果證明硫空位的引入,有效調(diào)節(jié)了金屬位點(diǎn)的電子態(tài)密度。

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圖3. CuInS2和VS-CuInS2的電化學(xué)CO2還原性能。(a) CO2飽和和Ar飽和的0.5M KHCO3電解液中的LSV曲線;(b) 不同電位下的碳產(chǎn)物的法拉第效率;(c) 不同電位下H2的法拉第效率;(d) FEformate/FECO圖;(e) 電化學(xué)阻抗譜;(f) 通過(guò)CV曲線計(jì)算得到的Cdl;(g) VS-CuInS2在-1.18V versus RHE電位下的穩(wěn)定性測(cè)試;(h) 不同電位下的甲酸能量效率。

為了揭示空位對(duì)電催化CO2還原反應(yīng)的影響,通過(guò)流動(dòng)池三電極體系對(duì)催化劑的催化性能進(jìn)行評(píng)估。以上測(cè)試結(jié)果表明適度的硫空位有利于調(diào)節(jié)催化劑的電子結(jié)構(gòu)和中間體的吸附,從而提高催化性能。

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圖4. (a) CuInS2和(b) VS-CuInS2的原位拉曼光譜。

原位拉曼測(cè)試進(jìn)一步探索CuInS2和VS-CuInS2在催化過(guò)程中的表面態(tài)的差異。一方面,CuInS2較弱的拉曼信號(hào)表明,表面可能存在*COOH和*OCHO之間的競(jìng)爭(zhēng)性吸附。另一方面,VS-CuInS2較強(qiáng)的拉曼信號(hào)驗(yàn)證了*COOH和*OCHO的吸附構(gòu)型在催化劑表面可能發(fā)生變化。

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圖5. CO2還原的DFT計(jì)算。(a) CuInS2和(b) VS-CuInS2的CO2還原產(chǎn)物甲酸和CO的吉布斯自由能圖譜;(c) *OCHO和(d) *HCOOH的O 2p軌道和In 5s/5p軌道的PDOS圖譜;(e和f) *OCHO和(g和h) *HCOOH的COHP和對(duì)應(yīng)的ICOHP值。

DFT理論計(jì)算進(jìn)一步揭示了空位依賴的電子結(jié)構(gòu)調(diào)節(jié)對(duì)CO2RR機(jī)理的影響?;诳瘴灰蕾嚨碾娮咏Y(jié)構(gòu)調(diào)節(jié),VS-CuInS2上電子密度分布的變化改變了中間體的吸附位置和強(qiáng)度,*COOH和*OCHO分別吸附在VS-CuInS2的Cu位點(diǎn)和In位點(diǎn)上,中間體的競(jìng)爭(zhēng)性吸附轉(zhuǎn)變?yōu)樘禺愋晕健R虼?,活性位點(diǎn)得到了更充分的利用,更多的碳基活性中間體而不是氫自由基吸附在VS-CuInS2表面,從而抑制了HER,提高了能量轉(zhuǎn)換效率。

這項(xiàng)工作闡明了適量引入空位調(diào)節(jié)催化劑的電子結(jié)構(gòu),從而調(diào)控CO2還原反應(yīng)中間體優(yōu)先吸附的作用機(jī)理,為設(shè)計(jì)新型高效催化劑提供見(jiàn)解。該工作以“Adjusted Preferential Adsorption of Intermediates via Regulation of the Electronic Structure during the Electrocatalytic CO2 Reduction Process”為題發(fā)表在The Journal of Physical Chemistry Letters (DOI: 10.1021/acs.jpclett.3c02883)上。文章第一作者為曲阜師范大學(xué)碩士生張凱悅,通訊作者為曲阜師范大學(xué)張永政教授。

J. Phys. Chem. Lett.?2024, 15, XXX, 34–42

Publication Date: December 21, 2023

https://doi.org/10.1021/acs.jpclett.3c02883

? 2023 American Chemical Society

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