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他,現(xiàn)任國重主任、雙一流大學(xué)副校長,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)今年已發(fā)8篇Angew

他,現(xiàn)任國重主任、雙一流大學(xué)副校長,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)今年已發(fā)8篇Angew
成果簡介
近日,福州大學(xué)王心晨教授、陽燦副教授、福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所徐剛研究員等人報道了一種光化學(xué)BiVO4傳感材料,它具有大比例的(110)和(011)面以及額外的(111)面,用于在可見光驅(qū)動下選擇性檢測超低濃度硫化氫(H2S)。具體而言,所獲得的十八面體BiVO4(Octa-BiVO4)對100 ppm H2S具有高響應(yīng)值(67)和短響應(yīng)時間(47.4 s),且具有近100天的良好穩(wěn)定性,而不受潮濕空氣的干擾。
結(jié)合實(shí)驗(yàn)和理論計算結(jié)果,作者研究了H2S分子在Octa-BiVO4晶體表面的吸附和載流子轉(zhuǎn)移行為。通過調(diào)整不同晶面的比例和控制具有特征吸附的晶面,實(shí)現(xiàn)了改進(jìn)的各向異性光誘導(dǎo)載流子分離和對特定氣體的高選擇性。此外,這種晶面工程可以擴(kuò)展到其他傳感材料的合成,為基礎(chǔ)研究和技術(shù)應(yīng)用提供了巨大的機(jī)會。
相關(guān)工作以《Crystal Engineering of BiVO4 for Photochemical Sensing of H2S Gas at Ultra-low Concentration》為題在《Angewandte Chemie International Edition》上發(fā)表論文。值得注意的是,這也是王心晨教授團(tuán)隊(duì)今年在《Angewandte Chemie International Edition》上發(fā)表的第8篇論文!前期報道可見:
圖文導(dǎo)讀
他,現(xiàn)任國重主任、雙一流大學(xué)副校長,帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)今年已發(fā)8篇Angew
圖1. Deca-BiVO4與Octa-BiVO4的電鏡表征
以NH4VO3、Bi(NO3)3·5H2O為原料,尿素為添加劑,得到了(110)、(011)和(111)晶面比例較大的Octa-BiVO4,其中尿素可以控制BiVO4不同晶面的比例。相反,Deca-BiVO4是在不添加尿素的情況下合成的,作為參考樣品。
SEM圖像證實(shí),Deca-BiVO4(圖1a)和Octa-BiVO4(圖1b)均成功合成,其相應(yīng)形貌尺寸分布均勻。在可見光下,由于光生空穴(h+)的富集,BiVO4的(110)和(011)面出現(xiàn)了獨(dú)特的活性氧化位點(diǎn),即光氧化表面。此外,在Octa-BiVO4上觀察到(110)和(011)面的比例比Deca-BiVO4大,這有利于光生載流子的分離和遷移。
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圖2. 光驅(qū)動選擇性檢測超低濃度H2S
通過氣敏系統(tǒng)評估,Octa-BiVO4在室溫下的光傳感H2S的性能明顯較高,遠(yuǎn)優(yōu)于75℃無光工作的檢測性能(圖2a)。在室溫照射條件下,Octa-BiVO4對H2S的響應(yīng)值更高(67 vs. 9.6),響應(yīng)恢復(fù)時間更短(47.4-94.2 s vs. 220.2-383.4 s),表明照明的優(yōu)勢和獨(dú)特作用。同時,當(dāng)注入H2S時,Octa-BiVO4在光照下響應(yīng)快,而在黑暗中幾乎沒有響應(yīng)(圖2b),進(jìn)一步證實(shí)了光在增強(qiáng)e和h+密度方面的重要作用。光照下Octa-BiVO4暴露于H2S下電流進(jìn)一步增大,空氣凈化后回收率快。隨著H2S濃度從3到100 ppm的變化,光輔助Octa-BiVO4的響應(yīng)不斷提高(圖2c),并呈現(xiàn)線性趨勢,理論LOD為12.3 ppb(圖2d)。
為了證明光化學(xué)傳感的優(yōu)勢,將Octa-BiVO4與其他已報道的MOS用作H2S傳感材料的傳感性能進(jìn)行了比較,在低溫或室溫下其響應(yīng)時間小于500 s。除了極低的LOD外,Octa-BiVO4還具有響應(yīng)速度快、恢復(fù)時間短的高響應(yīng)性(圖2e),在報道的材料中具有很好的競爭力。
為了探索較大比例的光氧化表面和附加(111)面對氣敏性能的影響,以Deca-BiVO4作為參考進(jìn)行比較。在濃度為100 ppm H2S時,Octa-BiVO4的傳感性能遠(yuǎn)好于Deca-BiVO4(圖2f),說明(111)面在材料對目標(biāo)氣體的吸附行為中起決定性作用,導(dǎo)致了傳感性能的巨大差異。兩種樣品在光照下的穿透曲線可以解釋其吸附行為的差異,其中Octa-BiVO4的穿透時間和H2S吸附能力都優(yōu)于Deca-BiVO4(圖2g)。
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圖3. 準(zhǔn)原位/原位表征
利用準(zhǔn)原位XPS光譜研究了Octa-BiVO4在不同大氣和光照條件下的表面電子結(jié)構(gòu)變化。與黑暗條件下對H2S的吸附相比,Bi2+的強(qiáng)度增加和金屬-S鍵的出現(xiàn)說明H2S與Octa-BiVO4之間的相互作用在光照條件下得到加強(qiáng)(圖3a),這解釋了圖2a的結(jié)果,同時,V4+的減少和Bi2+的基本不變表明V位點(diǎn)吸引h+(圖3b)。本文采用氣相色譜法和脈沖火焰光度檢測器檢測可能的產(chǎn)物。在圖3c中,可以觀察到H2S轉(zhuǎn)化過程中SO2的生成。根據(jù)質(zhì)量守恒定律,部分H2S轉(zhuǎn)化為S。
測試前后Octa-BiVO4的N2吸附-解吸等溫線和原位漫反射紅外傅立葉變換光譜(圖3d)進(jìn)一步證實(shí)了這一點(diǎn),其中形成的S沉積在孔隙中,隨后氧化成SO2。為了揭示氧化過程中的反應(yīng)物質(zhì),通過獲取紫外-可見漫反射光譜(UV-vis DRS)得出的平帶電位和帶隙,計算了Octa-BiVO4的能帶結(jié)構(gòu)(圖3e)。由于價帶足以驅(qū)動-OH氧化還原反應(yīng),電子順磁共振(EPR)譜圖(圖3f)證明-OH在光氧化表面與h+結(jié)合產(chǎn)生羥基自由基(?OH),這是氧化過程中可能的反應(yīng)物質(zhì)。因此,由于H2S被?OH氧化成更高的價態(tài),Octa-BiVO4在氣敏測試后可以保持不變。
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圖4. 機(jī)理分析
從差分電荷密度結(jié)合Bader電荷分析(圖4a-b)可以發(fā)現(xiàn),從H2S轉(zhuǎn)移到Octa-BiVO4的電子約為0.103個,小于從Octa-BiVO4轉(zhuǎn)移到O2的電子(約為0.657個)。這一現(xiàn)象表明H2S的吸附和解吸速度快,響應(yīng)恢復(fù)時間短。結(jié)合實(shí)驗(yàn)結(jié)果和DFT計算,提出可能的機(jī)理如下(圖4c-d):(1)光照使h+和光還原表面分別遷移。表面豐富的-OH基團(tuán)與V原子結(jié)合,吸引h+轉(zhuǎn)化為?OH,導(dǎo)致電流增大;(2)H2S分子首先吸附在(111)面的V原子上,隨后被?OH氧化為S和SO2,導(dǎo)致電子從H2S轉(zhuǎn)移到Octa-BiVO4,進(jìn)一步提高電流;(3)H2S檢測后,空氣中被V原子吸附的O2分子捕獲e恢復(fù)電流值,再與H2O中的質(zhì)子結(jié)合轉(zhuǎn)化為-OH,完成氣敏循環(huán)。
綜上所述,本文利用BiVO4作為替代傳統(tǒng)熱化學(xué)方法的光化學(xué)傳感材料,可以在室溫下選擇性地檢測H2S,促進(jìn)綠色能源在氣敏應(yīng)用中的發(fā)展。為了提高吸附能力和響應(yīng)值,通過晶面調(diào)控制備了具有高光氧化表面和優(yōu)先暴露(111)面的Octa-BiVO4。由于光氧化表面和光還原表面載流子遷移率的差異,以及(111)面V位點(diǎn)對H2S的吸附能力,Octa-BiVO4具有響應(yīng)值高、選擇性好、穩(wěn)定性好、不受潮濕空氣干擾等優(yōu)越的氣敏性能。這項(xiàng)工作不僅為光化學(xué)傳感材料的晶面調(diào)控提供了一種可行的通用策略,而且還展示了BiVO4在先進(jìn)化學(xué)應(yīng)用中的實(shí)際潛力。
文獻(xiàn)信息
Crystal Engineering of BiVO4 for Photochemical Sensing of H2S Gas at Ultra-low Concentration,Angewandte Chemie International Edition,2023.
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202314891

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