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【計(jì)算論文精讀】DFT異質(zhì)結(jié)界面設(shè)計(jì),表面能、化學(xué)勢(shì)、內(nèi)聚能、功函數(shù)、電荷布居、p帶中心、d帶中心、能帶、自由能等研究!

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研究背景
堿性陰離子交換膜燃料電池受到陽(yáng)極氫氧化反應(yīng)(HOR)緩慢動(dòng)力學(xué)的阻礙,而異質(zhì)結(jié)構(gòu)催化劑在調(diào)整電子結(jié)構(gòu)以提高催化性能方面具有巨大的潛力。近日,中國(guó)石油大學(xué)(華東)趙聯(lián)明、徐靜等人通過(guò)密度泛函理論計(jì)算系統(tǒng)地研究了鎳與過(guò)渡金屬氮化物(Ni/TMN,TMN=δ3?MoN,δ1?MoN和WN)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的堿性HOR性能。
計(jì)算方法
作者使用DMol3程序進(jìn)行自旋極化DFT計(jì)算,并且使用廣義梯度近似的Perdew Burke Ernzerhof(PBE)泛函來(lái)計(jì)算交換相關(guān)能量。此外,作者采用Grimme的色散校正方法來(lái)描述長(zhǎng)程靜電力,并且使用密度泛函半核贗勢(shì)和雙數(shù)值加極化基組來(lái)分別描述金屬離子核和價(jià)電子函數(shù),以及將實(shí)際空間全局軌道截止半徑設(shè)定為5.1?。
在幾何優(yōu)化過(guò)程中,作者將能量收斂標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置為1×10?5 Ha,最大力收斂標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置為2×10?3 Ha ??1,最大位移收斂標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置為5×10?2?,并且采用5×5×1 Monkhorst Pack網(wǎng)格對(duì)布里淵區(qū)進(jìn)行k點(diǎn)采樣,而在計(jì)算狀態(tài)密度時(shí),作者將k點(diǎn)的值增加到8×8×1。此外,作者使用LST/QST方法來(lái)搜索基元反應(yīng)的過(guò)渡態(tài),并通過(guò)振動(dòng)頻率分析對(duì)過(guò)渡態(tài)進(jìn)行確認(rèn)。
結(jié)果與討論
【計(jì)算論文精讀】DFT異質(zhì)結(jié)界面設(shè)計(jì),表面能、化學(xué)勢(shì)、內(nèi)聚能、功函數(shù)、電荷布居、p帶中心、d帶中心、能帶、自由能等研究!
圖1. 表面能與化學(xué)勢(shì)的關(guān)系
如圖1所示,所有TMN的N-端接表面的表面能始終低于TM端接表面,表明TMN(0001)表面更傾向于被N原子端接。因此,作者通過(guò)在TMN(0001)襯底的N端表面負(fù)載Ni納米線來(lái)構(gòu)建Ni/TMN異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
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圖2. 最優(yōu)結(jié)構(gòu)的俯視圖和側(cè)視圖
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圖3.(a)內(nèi)聚能(b)功函數(shù)(c)電荷布居(d)變形電子密度
如圖2所示,在Ni/δ3?MoN、Ni/δ1?MoN和Ni/WN構(gòu)型中,由于Ni和TMN的晶格參數(shù)失配性,與純Ni(111)(2.453?)相比,Ni/δ3?MoN(2.408?)、Ni/δ1?MoN(2.438?)和Ni/WN(2.403?)中的d(Ni–Ni)分別降低1.8%、0.6%和2.1%。表明鎳納米線與TMN匹配良好。盡管異質(zhì)結(jié)構(gòu)中支撐的鎳納米線輕微變形,但整體結(jié)構(gòu)保持穩(wěn)定。為了進(jìn)一步驗(yàn)證結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,作者計(jì)算了TMN支撐鎳納米線、孤立鎳納米線和鎳本體的內(nèi)聚能(圖3a)。如圖3a所示,TMN支撐的鎳納米線(5.00~5.21 eV)的內(nèi)聚能明顯高于孤立鎳納米線(3.80 eV)和鎳體(4.44 eV),這表明鎳納米線更傾向于錨固在TMN襯底上,而不是擴(kuò)散或聚集。
如圖3b所示,Ni,δ3?MoN、δ1?MoN和WN的功函數(shù)分別為5.09 eV,7.24、7.43和7.54eV。因此,Ni/TMN中的電子傾向于從低功函數(shù)的Ni轉(zhuǎn)移到高功函數(shù)的TMN,這也得到了Hirshfeld電荷布居和變形電子密度(DED)分析的證實(shí)。根據(jù)Hirschfeld電荷布居分析(見(jiàn)圖3c),Ni/TMN中的Ni間原子帶0.054~0.065|e|的正電荷,而N間原子積累的負(fù)電荷(?0.258~?0.265|e|)比亞N原子(?0.210~?0.211| e|)更多,進(jìn)一步表明了從Ni間原子到N間原子的電子轉(zhuǎn)移。此外,如圖3d-f所示,,Ni間原子周圍存在明顯的電子耗盡,而N間原子上發(fā)生了電子積累。電子密度的空間重新分布表明Ni和TMN之間存在強(qiáng)烈的電荷交換和電子調(diào)諧,從而可以有效調(diào)節(jié)其吸附性能。
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圖4. p帶中心(εp)和d帶中心(δd
如圖4a-c所示,與單相TMN相比,Ni/δ3?MoN、Ni/δ1?MoN和Ni/WN異質(zhì)結(jié)界面中N間的p帶中心(εp)分別負(fù)移至?4.37、?3.96和?3.70 eV。此外,Ni d帶中心(εd)從單相Ni的?1.78 eV移動(dòng)到Ni/δ3?MoN、Ni/δ1?MoN和Ni/WN的?1.70、?1.59和?1.61 eV(見(jiàn)圖4d)。Ni/TMN中升高的Ni d帶中心表明,更多未被占據(jù)的3d軌道將用于接收吸附質(zhì)的電子,從而影響其與吸附質(zhì)的結(jié)合能。
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圖5. 能帶圖
如圖5所示,在Ni和Ni/TMN上OH*吸附狀態(tài)的軌道耦合狀態(tài)圖中,OH*的O-2p態(tài)和Ni/TMN的Ni-3d態(tài)之間的電子云重合度明顯大于單相Ni,表明成鍵軌道填充增加,并使OH*吸附增強(qiáng)。因此,Ni/TMN界面處調(diào)節(jié)的電子結(jié)構(gòu)可以調(diào)節(jié)OH*吸附。
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圖6. 自由能圖
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圖7. 自由能曲線
如圖6a顯示,在OH?吸附的自由能圖(即OH?→ OH*+e?)中,作者發(fā)現(xiàn)OH?在TMN催化劑上吸收0.15~0.23eV的熱量形成OH*,而在Ni上是放熱過(guò)程(ΔG=?0.14eV)。在Ni/TMN上,Ni間位置的OH?吸附釋放的熱量進(jìn)一步增加至?0.38~?0.46 eV,表明吸附的OH*可以容易地在異質(zhì)結(jié)界面上形成。如圖6b所示,Ni/TMN上H2 → 2H*的自由能勢(shì)壘僅為0.12~0.33eV,略高于Ni催化劑(0.06eV),但明顯低于TMN(0.43~0.78eV)。與Tafel機(jī)制相比,Ni/TMN,Ni和TMN上的H2 + OH* → H* + H2O過(guò)程需要克服0.34~0.64 eV、0.44 eV和1.01~1.39 eV的較高自由能勢(shì)壘(見(jiàn)圖6c)。
如圖6d所示,由于異質(zhì)結(jié)界面可以調(diào)節(jié)H*和OH*的吸附能,使得Ni/TMN(0.49~0.72eV)上H* + OH* → H2O的自由能勢(shì)壘遠(yuǎn)低于Ni(1.15eV)和TMN(1.55~1.83eV)?;谏鲜鼋Y(jié)果,本工作中所考慮催化劑上的最佳HOR途徑是Tafel-H*+OH*復(fù)合機(jī)制,并且H*和OH*的復(fù)合是HOR的速率決定步驟(RDS)(見(jiàn)圖7),而Ni與TMN的非均相化可以有效促進(jìn)堿性介質(zhì)中的HOR活性,并且Ni/δ1?MoN具有最佳的HOR活性。
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圖8. 比例關(guān)系圖
如圖8a所示,Ea的值隨著|ΔGH*|的增加而線性增加(Ea=0.71|ΔGH*|+0.57,R2=0.92)。同時(shí),Ea與ΔGOH*呈正線性關(guān)系(Ea=1.84ΔGOH*+1.37,R2=0.94),表明自由能勢(shì)壘隨著OH*吸附的增強(qiáng)而降低。此外,如圖8c所示,作者構(gòu)建了2.5ΔGOH*+|ΔGH*|和HOR活性的線性圖,關(guān)系式為Ea=0.37×(2.5ΔGOH*+|△GH*|)+0.96,R2=0.95,表明HOR活性對(duì)OH*吸附強(qiáng)度更敏感。因此,與H*吸附相比,改變OH*吸附能力能更有效地改善Ni/TMN催化劑的HOR催化活性。
結(jié)論與展望
作者發(fā)現(xiàn),Ni/TMN上的HOR優(yōu)先通過(guò)初始H2解離成兩個(gè)吸附的H*,然后與吸附的OH*復(fù)合生成水分子,并且H* + OH* → H2O過(guò)程為速率決定步驟。界面處相互調(diào)節(jié)的電子結(jié)構(gòu)可以提高界面Ni的d帶和OH*的p帶之間的能級(jí)重合程度,從而提高OH*的吸附自由能(ΔGOH*)。
同時(shí),界面N的p帶向下移動(dòng)也削弱了H*的吸附自由能(ΔGH*),從而可以顯著加速HOR中H*和OH*的復(fù)合過(guò)程,進(jìn)而使Ni/TMN具有高HOR活性。在所有考慮的催化劑中,Ni/δ1?MoN具有最佳的HOR活性,這是由于其具有接近熱中性的ΔGH*和最強(qiáng)的ΔGOH*
文獻(xiàn)信息
Zhao L, Tong Y, Ding Y, et al. Designing interface structures of nickel with transition metal nitrides for enhanced hydrogen electro-oxidation[J]. Surfaces and Interfaces, 2023: 102659.
https://doi.org/10.1016/j.surfin.2023.102659
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