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【玩轉(zhuǎn)XPS】案例解析X射線光電子能譜(XPS)八大應(yīng)用!

表面分析技術(shù) (Surface Analysis)是對(duì)材料外層(the Outer-Most Layers of Materials (<100nm))的研究的技術(shù)。

X射線光電子能譜簡(jiǎn)單介紹

XPS是由瑞典Uppsala大學(xué)的K. Siegbahn及其同事歷經(jīng)近20年的潛心研究于60年代中期研制開發(fā)出的一種新型表面分析儀器和方法。鑒于K. Siegbahn教授對(duì)發(fā)展XPS領(lǐng)域做出的重大貢獻(xiàn),他被授予1981年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

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X射線激發(fā)光電子的原理

XPS現(xiàn)象基于愛因斯坦于1905年揭示的光電效應(yīng),愛因斯坦由于這方面的工作被授予1921年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng);

X射線是由德國(guó)物理學(xué)家倫琴(Wilhelm Conrad R?ntgen,l845-1923)于1895年發(fā)現(xiàn)的,他由此獲得了1901年首屆諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

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X射線光電子能譜( XPS ,全稱為X-ray Photoelectron Spectroscopy)是一種基于光電效應(yīng)的電子能譜,它是利用X射線光子激發(fā)出物質(zhì)表面原子的內(nèi)層電子,通過(guò)對(duì)這些電子進(jìn)行能量分析而獲得的一種能譜。

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這種能譜最初是被用來(lái)進(jìn)行化學(xué)分析,因此它還有一個(gè)名稱,即化學(xué)分析電子能譜( ESCA,全稱為Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)。

XPS譜圖分析中原子能級(jí)表示方法

XPS譜圖分析中原子能級(jí)的表示用兩個(gè)數(shù)字和一個(gè)小字母表示。例如:3d5/2

(1)第一個(gè)數(shù)字3代表主量子數(shù)(n);

(2)小寫字母代表角量子數(shù) ;?

(3)右下角的分?jǐn)?shù)代表內(nèi)量子數(shù)j

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l—為角量子數(shù),l = 0, 1, 2, 3 ……,

注意:在XPS譜圖中自旋-軌道偶合作用的結(jié)果,使l不等于0(非s軌道)的電子在XPS譜圖上出現(xiàn)雙峰,而S軌道上的電子沒有發(fā)生能級(jí)分裂,所以在XPS譜圖中只有一個(gè)峰。

XPS譜圖的表示

橫坐標(biāo):動(dòng)能或結(jié)合能,單位是eV,一般以結(jié)合能為橫坐標(biāo)。

縱坐標(biāo):相對(duì)強(qiáng)度(CPS)。

結(jié)合能為橫坐標(biāo)的優(yōu)點(diǎn):

(1)結(jié)合能比動(dòng)能更能反應(yīng)電子的殼層結(jié)構(gòu)(能級(jí)結(jié)構(gòu));

(2)結(jié)合能與激發(fā)光源的能量無(wú)關(guān)。

XPS譜圖中譜峰、背底或伴峰

(1)譜峰:X射線光電子入射,激發(fā)出的彈性散 射的光電子形成的譜峰,譜峰明顯而尖銳。

(2)背底或伴峰:如光電子(從產(chǎn)生處向表面)輸 送過(guò)程中因非彈性散射(損失能量)而產(chǎn)生的 能量損失峰,X射線源的強(qiáng)伴線產(chǎn)生的伴 峰,俄歇電子峰等。

(3)背底峰的特點(diǎn):在譜圖中隨著結(jié)合能的增加,背底電子的強(qiáng)度逐漸上升 。

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XPS譜圖的背底隨結(jié)合能值的變化關(guān)系

XPS峰強(qiáng)度的經(jīng)驗(yàn)規(guī)律

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(1)主量子數(shù)小的殼層 的峰比主量子數(shù)大 的峰強(qiáng);

(2)同一殼層,角量子 數(shù)大者峰強(qiáng);

(3)n和l都相同者,j大者峰強(qiáng)。

應(yīng)用一:表面元素全分析

1. 表面元素全分析的目的?

了解樣品表面的元素組成,考察譜線之間是否存在相互干擾,并為獲取窄區(qū)譜(高分辨譜)提供能量設(shè)置范圍的依據(jù)。

2. 表面元素全分析的方法

(1)對(duì)樣品進(jìn)行快速掃描,獲取全譜;

(2)對(duì)譜圖中各譜線的結(jié)合能進(jìn)行能量校正;

(3)校正后的結(jié)合能和標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)(或譜線)對(duì) 照,確定各譜線的歸屬,即確定各譜線代 表的元素。

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二氧化鈦涂層玻璃試樣的XPS譜圖

應(yīng)用二:元素窄區(qū)譜分析

1. 元素窄區(qū)譜分析的方法?

(1)以全分析譜作為基礎(chǔ),由其確定掃描的能量范圍。

(2)與全譜相比,它的掃描時(shí)間長(zhǎng),通過(guò)的能量小,掃描步長(zhǎng)也小,這樣有利于提高測(cè) 試的分辨率。

2. 元素窄區(qū)譜分析的用途

(1)分析離子價(jià)態(tài)

做試樣的XPS譜和標(biāo)準(zhǔn)譜圖做對(duì)比,或同時(shí)做試樣和某一價(jià)態(tài)的純化合物的XPS譜,然后對(duì)比譜圖的相似性。

案例:鑒定銅紅玻璃試樣中銅的價(jià)態(tài)

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(2)確定元素不同離子價(jià)態(tài)比例

方法?

A. 對(duì)試樣做XPS分析,得到窄區(qū)譜。

B. 若譜峰不規(guī)則,則對(duì)譜線進(jìn)行擬合,得到不同價(jià)態(tài)元素的譜線;

譜峰解疊?

A. 對(duì)不同價(jià)態(tài)的譜峰分別積分得到譜峰面積;

B. 查各價(jià)態(tài)的靈敏度因子,利用公式求各價(jià)態(tài)的比例。

案例:確定二氧化鈦膜中+4價(jià)和+3價(jià)的比例

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應(yīng)用三:材料表面不同元素的定量

方法:(1)對(duì)試樣做XPS分析,得到窄區(qū)譜;(2) 根據(jù)峰面積和靈敏度因子,利用公式計(jì)算各元素的相對(duì)含量。

應(yīng)用四:化學(xué)結(jié)構(gòu)分析

依據(jù):(1)原子的化學(xué)環(huán)境與化學(xué)位移之間的關(guān)系;(2)羰基碳上電子云密度小, 1s電子結(jié)合能大(動(dòng)能?。?;(3)峰強(qiáng)度比符合碳數(shù)比。

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應(yīng)用五:深度分析

原理:用離子槍打擊材料的表面,這樣可以不斷地打擊出新的下表面,通過(guò)連續(xù)測(cè)試,循序漸進(jìn)就可以做深度分析,得到沿表層到深層元素的濃度分布。

利用離子槍依次剝落表面,進(jìn)行XPS分析,就可以得到深度分布圖譜

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案例:Ni-B合金表面Ni、B、O的表面濃度與氬刻時(shí)間的關(guān)系

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應(yīng)用六:高分子結(jié)構(gòu)分析

光降解作用?

方法:比較光照前后譜圖是否有變化,變化的程度如何。

案例:紫外光對(duì)聚丙烯酸甲酯的降解

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案例:聚偏氯乙烯降解反應(yīng)隨時(shí)間的變化

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輻射交聯(lián)?

高分子鏈之間形成新的鍵,使之成為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)高分子的反應(yīng)。交聯(lián)分為化學(xué)交聯(lián)、光交聯(lián)及輻照交聯(lián)。

交聯(lián)度的定義:表征骨架性能的參數(shù),是指交聯(lián)劑在反應(yīng)物中所 占的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。

案例:振激峰的相對(duì)強(qiáng)度與輻射劑量關(guān)系的C1s的XPS譜?

輻射劑量Sv: a:0; b: 46.38; c:85.11; d: 140.76; e:259.7

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有機(jī)物界面反應(yīng)?

方法:測(cè)反應(yīng)前后某一元素結(jié)合能的變化。

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應(yīng)用七:XPS在分子篩方面的應(yīng)用

判斷分子篩的類型

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分子篩中各陽(yáng)離子的交換度

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判斷分子篩的純度

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分子篩的酸性質(zhì)

Si/Al 比越高,O1S的結(jié)合能越大。這是由于SiO2中O1S的結(jié)合能為532.8ev,Al2O3的為530.8 ev。因此O1S的結(jié)合能越大意味著酸量越少,酸強(qiáng)度增大。

應(yīng)用八:催化劑中毒

Pd催化劑在含氮有機(jī)化合物體系中失活前后的XPS譜圖

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