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【MS論文精讀】太原理工Molecular Catalysis:喹啉在MoP(010)表面的加氫脫氮機(jī)理研究

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【MS論文精讀】太原理工Molecular Catalysis:喹啉在MoP(010)表面的加氫脫氮機(jī)理研究

研究背景
煤基原油中的喹啉等含氮化合物不僅會(huì)產(chǎn)生光化學(xué)煙霧,還會(huì)在一定程度上抑制催化劑的活性。近日,太原理工大學(xué)凌麗霞、王寶俊等人利用密度泛函理論(DFT)研究了喹啉在MoP(010)表面的加氫脫氮(HDN)機(jī)理。
計(jì)算方法
作者利用Materials Studio 8.0中的DMol3程序包進(jìn)行自旋無限制DFT計(jì)算,并且使用廣義梯度近似(GGA)的Perdew Wang 91(PW91)泛函來描述電子交換關(guān)聯(lián)作用,以及在所有計(jì)算中都采用了具有長(zhǎng)距離色散相互作用校正的DFT-D平面波電子密度泛函理論。此外,作者采用雙重?cái)?shù)值極化(DNP)基組和密度泛函半核贗勢(shì)(DSPP)來進(jìn)行MoP(010)表面和吸附物的結(jié)構(gòu)優(yōu)化,并且采用3×3×1的k點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)對(duì)布里淵區(qū)進(jìn)行采樣。當(dāng)能量收斂到2×10?5 Ha,最大力收斂到2 x 10?3 Ha/?,最大位移收斂到0.005?時(shí),作者將計(jì)算得到的結(jié)構(gòu)確定為優(yōu)化結(jié)構(gòu),并且將SCF收斂標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置為1.0×10?5 Ha,以及使用4.5?的截止半徑來加速收斂。對(duì)于過渡狀態(tài)的搜索,作者利用的是DMol3中的LST/QST方法,而其余參數(shù)與幾何結(jié)構(gòu)優(yōu)化相同。
結(jié)果與討論
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圖1. MoP(010)Mo終止表面和喹啉分子結(jié)構(gòu)
如圖1所示,作者使用具有六層原子的p(3×3)晶胞作為MoP(010)模型,并且周期性平板模型由15?真空層隔開,以及底部的兩層原子固定在體相晶格位置,而頂部的四層板層和吸附質(zhì)在所有維度上保持馳豫。
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圖2. MoP(010)表面的喹啉反應(yīng)網(wǎng)絡(luò)
MoP(010)表面上的四種不同喹啉HDN路徑如圖2所示,路徑1是喹啉氫化生成THQ1,然后通過霍夫曼消除(E2)機(jī)制進(jìn)行C-N鍵斷裂。在路徑2中,通過喹啉氫化形成的THQ5進(jìn)一步氫化生成OHQ,然后通過E2機(jī)制進(jìn)行C-N鍵斷裂。路徑3與路徑2的不同之處在于苯環(huán)和雜環(huán)的氫化順序。路徑4只是一個(gè)氫化過程,即OHQ繼續(xù)氫化為DHQ。
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圖3. 喹啉在MoP(010)表面上的吸附構(gòu)型和能量
如圖3所示,在MoP(010)表面上喹啉結(jié)構(gòu)和吸附能種,MoP(010)表面具有兩種吸附構(gòu)型,即側(cè)置和端置構(gòu)型。側(cè)置構(gòu)型主要指苯環(huán)和氮雜環(huán)分別在橋和hcp位點(diǎn)的吸附(圖3a)。端置構(gòu)型是通過MoP(010)表面上的雜原子N和Mo之間的鍵形成吸附(圖3b)。側(cè)置和端置構(gòu)型的吸附能分別為?535.3和?271.9 kJ·mol?1。因此,側(cè)置構(gòu)型是最穩(wěn)定的吸附構(gòu)型,并且隨后的中間體和產(chǎn)物都以側(cè)置構(gòu)型吸附。
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圖4. MoP(010)表面的氫解離
MoP(010)表面的氫解離結(jié)構(gòu)和相應(yīng)能量如圖4所示,而能量勢(shì)壘僅為20.6 kJ·mol?1,這意味著H2可以在MoP(010)表面上容易地解離,并表明MoP比商業(yè)催化劑具有更好的活化H2的能力。
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圖5. MoP(010)表面Q→THQ1的反應(yīng)網(wǎng)絡(luò)
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圖6. MoP(010)表面Q→THQ1反應(yīng)中的中間態(tài)結(jié)構(gòu)
如圖5所示,由于喹啉的不對(duì)稱性,第一個(gè)H在MoP(010)表面上氫化為喹啉存在四個(gè)可能步驟,這取決于H在相應(yīng)產(chǎn)物中的位置,第一個(gè)氫化過程的初始狀態(tài)(IS)對(duì)應(yīng)于η7(N1、C2、C3、C6、C7、C9、C10)構(gòu)型和相鄰吸附的H原子的側(cè)置構(gòu)型,而最終狀態(tài)(FS)為n-1HQ(n=1–4)。1–1HQ表示H氫化到N原子,2–1HQ是H氫化到C2原子,3–1HQ和4–1HQ分別表示H氫化C3和C4原子。第二個(gè)氫化步驟從2–1HQ或3–1HQ和共吸附的H開始,并且有三個(gè)可能的氫化步驟分別將2–1H或3–3HQ氫化為二氫喹啉(2HQ)。對(duì)于第三個(gè)氫化步驟,有兩種可能的氫化方式,從共吸附態(tài)2,3–2HQ和H原子開始,產(chǎn)物3HQ作為FS。第四個(gè)氫化步驟使用2,3,4–3HQ和H原子作為IS,以產(chǎn)物THQ1作為FS,相應(yīng)的結(jié)構(gòu)如圖6所示。
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圖7. MoP(010)表面Q→THQ5反應(yīng)的勢(shì)能面
如圖7所示,喹啉的第一氫化步驟在MoP(010)表面上有四個(gè)基元反應(yīng)。其中,Q+6_H→6–1HQ的反應(yīng)是最有利的氫化步驟,能量勢(shì)壘(Ea)為77.1 kJ·mol?1。喹啉在MoP(010)表面上的第二次氫化有三種可能的步驟路線,其中C5的氫化具有最低的活化能壘(104.6kJ·mol?1)。喹啉氫化的第三步有兩個(gè)氫化步驟,即5,6–2HQ+7_H→5,6,7–3HQ的反應(yīng)步驟是最有利的氫化步驟,活化能為93.9 kJ·mol?1,氫化反應(yīng)的最后一步為5,6,7-3HQ+8_H→THQ5,相應(yīng)的能壘為83.6kJ·mol?1。通過比較Q→ THQ1和Q→ THQ5路線的氫化能壘,可以知道Q→ THQ5途徑優(yōu)于Q→THQ1路徑。
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圖8MoP(010)表面THQ-OHQ反應(yīng)的勢(shì)能面
如圖8所示,第一次和第二次氫化反應(yīng)(黑線:THQ5–5–8,4–5HQ和5–8–4–5HQ-5–8、3、4–6HQ)需要分別克服47.9 kJ·mol?1和58.2 kJ·mol-1的能壘。此外,第三步氫化的能量勢(shì)壘為92.1 kJ·mol?1,第四步氫化需要克服161.1 kJ·ol?1的能壘以生成OHQ,這被認(rèn)為是Q → THQ5 → OHQ過程的速率決定步驟。在不同路徑下氫化過程中的速率決定步驟是氫化成具有類似能量勢(shì)壘的氮。因此,喹啉通過THQ1和THQ5氫化為OHQ之間存在競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系。
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圖9. MoP(010)表面THQ1 C-N鍵斷裂的勢(shì)能面
對(duì)于THQ1,C-N鍵斷裂有兩種可能的機(jī)制:親核取代(SN2)和霍夫曼消除(E2)機(jī)制,如圖9所示,SN2是H原子直接攻擊C2-N鍵,并且C2-N鍵通過TS 26的過渡態(tài)完全斷裂。E2是H原子從β-C轉(zhuǎn)移到MoP(010)表面,隨后C2-N鍵斷裂并形成C2=C3。而過SN2機(jī)制直接斷裂的C-N鍵需要克服454.3 kJ·mol?1的能壘。相比之下,H原子通過E2機(jī)制從β-C轉(zhuǎn)移到MoP(010)表面相對(duì)容易,活化能為131.7 kJ·mol?1。隨后,C-N斷裂的活化能為131.6 kJ·mol?1。通過比較MoP(010)表面THQ1到P1的能壘,可以發(fā)現(xiàn)E2機(jī)制在C-N斷裂中起主要作用。
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圖10. MoP(010)表面OHQ C-N鍵斷裂的勢(shì)能面
如圖10所示,OHQ的Cs-N斷裂也有兩種機(jī)制,即通過SN2機(jī)制斷裂OHQ的C-N鍵的能壘為447.1 kJ·mol?1,高于通過E2機(jī)制斷裂的能壘,分別為100.8和183.4 kJ·mol-1。因此,E2機(jī)制也是斷裂C-N鍵的主要機(jī)制。
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圖11. 喹啉HDN的含S MoP(010)表面模型
為了充分研究S對(duì)喹啉在不同位置的氫化以及隨后的C-N鍵斷裂的影響,構(gòu)建了喹啉HDN的含S MoP(010)模型,如圖11所示。作者選擇4S是因?yàn)樗膫€(gè)S原子可以圍繞喹啉,從而可以更全面地研究S對(duì)喹啉氫化和C-N鍵斷裂過程的影響。
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圖12. 的勢(shì)能面
MoP(010)-4s表面Q-THQ1反應(yīng)的最佳氫化順序?yàn)镠→ C2,H→ C3,H→ C4,H→ N1,能量勢(shì)壘圖如圖12所示??梢钥闯觯琎-THQ1氫化為1,2-二氫喹啉(1,2–2HQ)需要68.0和82.0 kJ·mol?1的活化能,而連續(xù)氫化為THQ1的能量勢(shì)壘分別為80.5和120.9 kJ·mol-1。它們都低于純MoP(010)表面。隨著S的引入,氫化成N的能壘從161.9顯著降低到120.9 kJ·mol?1,表明S的存在可以顯著增強(qiáng)MoP(010)對(duì)雜環(huán)的氫化活性。
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圖13. MoP(010)-4s表面Q-THQ5反應(yīng)的勢(shì)能面
MoP(010)-4S表面上Q→ THQ5路線中涉及的能量勢(shì)壘圖如圖13所示。已知第一個(gè)C=C(C5=C6)鍵的飽和需要克服101.1和101.1 kJ·mol?1的能壘,MoP(010)-4S表面上第二個(gè)C=CC(C5=C)鍵的氫化飽和能壘為72.6和68.4 kJ·mol-1。氫化為C5和C6的能壘是相同的,并且其為Q→ THQ5的速率決定步驟,相應(yīng)的能壘為101.1 kJ·mol?1,與純MoP(010)表面的能壘104.6 kJ·mol-1幾乎相同。
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圖14. MoP(010)-4s表面THQ-OHQ反應(yīng)的勢(shì)能面
對(duì)于MoP(010)-4S表面上THQ5→ OHQ路線,第一和第二氫化步驟需要分別克服41.3 kJ·mol?1和35.4 kJ·mol-1的能壘(見圖14)。在S-5–8,3,4–6HQ氫化的第三步中,需要克服206.2 kJ·mol?1的高能壘,這不利于隨后的C-N鍵斷裂,因此作者尚未進(jìn)一步研究該路徑。
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圖15. MoP(010)-4s表面THQ1 C-N鍵斷裂的勢(shì)能面
為了理解S對(duì)C-N鍵斷裂的影響,作者在MoP(010)-4S表面上研究了C-N鍵的斷裂。如圖15所示,作者首先考慮了S通過THQ1中間體對(duì)C-N斷裂的影響,S的引入不會(huì)改變C-N斷裂機(jī)制,即E2機(jī)制比SN2機(jī)制更容易發(fā)生。作者還研究了通過OHQ中間體的C-N斷裂。然而,E2和SN2機(jī)制所需速率決定步驟的活化能分別為226.6和232.9 kJ·mol?1。因此,在MoP(010)-4S表面上,通過THQ1中間體的C-N斷裂比通過OHQ更容易發(fā)生。S的引入對(duì)通過中間THQ1的C-N斷裂的影響可忽略不計(jì)(137.0 kJ·mol?1 vs 131.7 kJ·mol-1),而通過OHQ的能量勢(shì)壘大大增加(226.6 kJ·mol-1 vs 183.4 kJ·mol-1)。
結(jié)論與展望
喹啉加氫脫氮的最佳途徑是喹啉通過氫化生成1,2,3,4-四氫喹啉(THQ1),然后通過霍夫曼消除機(jī)制(E2)進(jìn)行C-N鍵斷裂。此外,作者還研究了煤基原油中S對(duì)喹啉HDN的影響。S的引入導(dǎo)致更多的電子從MoP(010)表面轉(zhuǎn)移到S,并通過降低喹啉到THQ1的氫化能壘來提高M(jìn)oP(2010)表面的HDN活性。
文獻(xiàn)信息
Yin L, Ma J, Ling L, et al. Insight into the hydrodenitrogenation mechanism of quinoline on the MoP (010) surface with and without the effect of sulfur[J]. Molecular Catalysis, 2023, 538: 112970.
https://doi.org/10.1016/j.mcat.2023.112970
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