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迄今為止，傳統(tǒng)的p型氧化物半導(dǎo)體表現(xiàn)出較差的遷移率和穩(wěn)定性，這阻礙了所有基于氧化物的邏輯器件的發(fā)展。此外，以往對p型氧化物晶體管的研究受到典型平面型結(jié)構(gòu)的限制。

2022年3月7日，韓國成均館大學(xué)宋承貞（Sung Hyeon Jung）等人在Materials Horizons（IF=13）在線發(fā)表題為“Progressive p-channel vertical transistors fabricated using electrodeposited copper oxide designed with grain boundary tunability”的研究論文，該研究設(shè)計的加入Sb元素的Cu2O電沉積方法促進了晶界的垂直排列，并且與垂直場效應(yīng)晶體管中從源極到漏極的電荷輸運方向完全吻合。

但是，在2023年10月18日，該文章被撤回，主要原因是結(jié)果無法重復(fù)。

另外，2023年4月3日，韓國成均館大學(xué)宋承貞（Sung Hyeon Jung）等人在Materials Horizons（IF=13）在線發(fā)表題為“Ambipolar operation of progressively designed symmetric bidirectional transistors fabricated using single-channel vertical transistor and electrochemically prepared copper oxide”的研究論文，該研究提出了一種對稱雙向晶體管(SBT)。該器件在單通道垂直晶體管(V-Tr)的不同偏置方向上同時實現(xiàn)了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管和TFT的“強反轉(zhuǎn)”和“積累”機制。但是，在2023年10月18日，該文章被撤回，主要原因是結(jié)果無法重復(fù)。

英國皇家化學(xué)學(xué)會(The Royal Society of Chemistry)，經(jīng)作者同意，出于對可重復(fù)性的考慮，在此完全撤回這篇Materials Horizons?。這項研究代表了首次嘗試使用電化學(xué)方法制造半導(dǎo)體晶體管的氧化物半導(dǎo)體，導(dǎo)致垂直晶體管的生產(chǎn)。與傳統(tǒng)的平面晶體管相比，本研究提出了基于垂直制造晶體管的結(jié)果。

最近，當(dāng)我們重復(fù)垂直晶體管的制造時，我們無法重現(xiàn)文章中的結(jié)果。我們意識到，以前的研究忽略了通過電化學(xué)手段產(chǎn)生的半導(dǎo)體層的一些可靠性問題，以及用于制備結(jié)果的測量方法的誤差。垂直結(jié)構(gòu)在通道配置方面與傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)有很大不同，這就需要對器件的電氣特性進行評估和計算時考慮新的因素。

遺憾的是，這方面沒有得到充分的考慮，導(dǎo)致對晶體管中最關(guān)鍵的參數(shù)——溝道遷移率的高估，這可能導(dǎo)致論文中的錯誤結(jié)果。我們作為這份材料視野通訊的作者，希望撤回這份通訊。

參考消息：

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/MH/D3MH90059B

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/MH/D3MH90060F