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?【DFT+實(shí)驗(yàn)】李軒科/張琴/楊年俊AEM:具有自平衡軌道占據(jù)的NiS/NiS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高效全水解

?【DFT+實(shí)驗(yàn)】李軒科/張琴/楊年俊AEM:具有自平衡軌道占據(jù)的NiS/NiS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高效全水解
碳中和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展主要依賴于能源轉(zhuǎn)換技術(shù)。電化學(xué)水分解被認(rèn)為是可持續(xù)能源轉(zhuǎn)換體系的核心技術(shù),因?yàn)樗軐㈦娔苻D(zhuǎn)化為綠色氫燃料(如氫)。然而,由于析氫反應(yīng)(HER)和析氧反應(yīng)(OER)的動(dòng)力學(xué)緩慢,這種方法存在法拉第效率和能源效率低的問題。在這種背景下,許多催化劑被設(shè)計(jì)和開發(fā),以提高HER和/或OER性能。在大多數(shù)情況下,這些催化劑通過降低催化劑和反應(yīng)中間體之間的能壘來加速這些反應(yīng)。不幸的是,大多數(shù)已報(bào)道的催化劑僅由單一成分組成,因此它們很難同時(shí)做到與含氫和含氧中間體(例如,*H,*O,*OOH)很好的結(jié)合,這也使得應(yīng)用于電解水的雙功能催化劑相對(duì)較少。
基于此,武漢科技大學(xué)李軒科、張琴和哈瑟爾特大學(xué)楊年俊(共同通訊)等人采用了“軌道占據(jù)自平衡”的策略設(shè)計(jì)了一種雙功能催化劑,即將V摻雜到NiS/NiS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)中。
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本文在沒有校正的情況下,利用典型的三電極體系在1.0 M KOH電解液中研究了催化劑的HER活性。測(cè)試后發(fā)現(xiàn),V0.3-NiS/NiS2催化劑僅需要94 mV的過電位就能達(dá)到10 mA cm-2的電流密度。而對(duì)于催化劑NiS2、NiS/NiS2、V0.1-NiS/NiS2、V0.5-NiS/NiS2、V0.3-NiS2和Pt/C,則分別需要188、151、147、173、181、53 mV的過電位才能達(dá)到相同的電流密度。
令人滿意的是,在IR校正的極化曲線中也可以看出類似的HER性能變化趨勢(shì)。除了測(cè)試V0.3-NiS/NiS2催化劑的HER性能外,本文還測(cè)試了其OER性能。在堿性條件下,催化劑V0.3-NiS/NiS2表現(xiàn)出優(yōu)異的催化活性,甚至優(yōu)于RuO2催化劑。具體而言,V0.3-NiS/NiS2催化劑只需要220 mV的過電位就可以達(dá)到10 mA cm-2的電流密度,其過電位低于NiS2(290 mV)、NiS/NiS2(280 mV)、V0.1-NiS/NiS2(250 mV)催化劑。
更加重要的是,V0.3-NiS/NiS2催的OER性能還優(yōu)于大部分報(bào)道的V基或Ni基電催化劑。由于V0.3-NiS/NiS2的HER和OER性能都十分優(yōu)異,本文還構(gòu)建了由V0.3-NiS/NiS2組成的全水解體系并與商業(yè)化的Pt/C||RuO2全水解體系進(jìn)行對(duì)比。不出所料,V0.3-NiS/NiS2||V0.3-NiS/NiS2只需要1.6 V的低電壓就可以達(dá)到10 mA cm-2的電流密度。令人驚訝的是,當(dāng)電流密度超過100 mA cm-2時(shí),V0.3-NiS/NiS2||V0.3-NiS/NiS2所需的過電位甚至比商業(yè)Pt/C||RuO2所需的過電位還要小。
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對(duì)于催化劑的HER機(jī)理,本文首先計(jì)算了H*中間體在不同吸附位點(diǎn)上的吉布斯能(ΔGH*)。其中,NiS2的ΔGH*為-1.07 eV,這說明其與H中間體的結(jié)合強(qiáng)度較強(qiáng)。對(duì)于NiS/NiS2,界面Ni位點(diǎn)的ΔGH*值為1.04 eV,這表明其與H中間體的結(jié)合較弱。不同的是,V0.3-NiS/NiS2的所有計(jì)算位點(diǎn)的ΔGH*都接近于零。因此,V0.3-NiS/NiS2催化劑的界面Ni、V和S位點(diǎn)實(shí)際上是H*中間體轉(zhuǎn)化的活性位點(diǎn)。
本文的計(jì)算結(jié)果還表明,V-NiS/NiS2催化劑的NiS2側(cè)活性位點(diǎn)促進(jìn)了H2O的吸附和解離,隨后V-NiS/NiS2催化劑中所有的活性位點(diǎn)都加速了這些H*中間體的轉(zhuǎn)化。對(duì)于OER,根據(jù)計(jì)算出的中間產(chǎn)物OH*、O**OOH的吸附方式,本文提出了V0.3-NiS/NiS2催化劑的OER途徑。催化劑V-NiS/NiS2從O*中間體到*OOH中間體的能壘最大,證實(shí)了從O*中間體到*OOH中間體的過程是V-NiS/NiS2的電位決定步驟(PDS)。
由于良好的界面電子配位,V-NiS/NiS2中V位點(diǎn)附近的Ni的PDS能壘為2.41 eV,這遠(yuǎn)低于NiS/NiS2(3.07 eV)和NiS2(3.47 eV)。因此,在V-NiS/NiS2催化劑上實(shí)現(xiàn)了一個(gè)熱力學(xué)更有利的OER過程。顯然,V-NiS/NiS2催化劑上的電子軌道自平衡效應(yīng)有效地提高了其OER催化活性??傊疚牡牟呗蕴峁┝艘环N獨(dú)特的方法來設(shè)計(jì)和制備高效的電解水催化劑,也有望進(jìn)一步推動(dòng)電解水的發(fā)展。
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Overall Water Splitting on The NiS/NiS2 Heterostructures Featuring Self-Equilibrium Orbital Occupancy, Advanced Energy Materials, 2023, DOI: 10.1002/aenm.202300978.
https://doi.org/10.1002/aenm.202300978.

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