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西交ASS: DFT計算吸附能、能帶、CDD、DOS和分子軌道等,研究MoTe2的吸附和檢測特性!

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西交ASS: DFT計算吸附能、能帶、CDD、DOS和分子軌道等,研究MoTe2的吸附和檢測特性!
研究背景
NOx是典型的工業(yè)有毒氣體,其主要產(chǎn)生于火力發(fā)電廠、工業(yè)爐、汽車尾氣和垃圾焚燒,而這些氣體會形成酸雨,從而在排放到大氣中時加劇土壤酸化和水體富營養(yǎng)化。此外,NH3是一種強烈的刺激性氣體,通常由牲畜糞便和建筑材料產(chǎn)生。溫室中積累的C2H2會嚴(yán)重影響作物的生長。近年來,化學(xué)或農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中排放的NH3、C2H2和NO等有毒氣體正受到越來越多的關(guān)注。
近日,西安交通大學(xué)Ren Ming等人選用金屬氧化物(CuO、Ag2O、In2O3)改性的MoTe2,探究其對三種典型工業(yè)有毒氣體(NH3、C2H2、NO)的吸附和檢測特性。基于第一性原理密度泛函理論(DFT),作者從吸附能、能帶、差分電荷密度(CDD)、態(tài)密度(DOS)和分子軌道等方面研究了其反應(yīng)機理。并結(jié)合解吸性能進(jìn)一步探討了其實際應(yīng)用可行性。
計算方法
作者利用Materials Studio的DMol3包進(jìn)行密度泛函理論(DFT)計算,并利用含有Perdew Burke Enzzhof(PBE)函數(shù)的廣義梯度近似(GGA)來計算交換相關(guān)能量。此外,考慮到金屬氧化物的相對論效應(yīng),作者采用了雙數(shù)值原子軌道加d極化(DNP)基組和DFT半核贗勢(DSSP)來提高模型的計算精度。
為了更好地描述范德瓦爾斯(vdW)和遠(yuǎn)距離相互作用,作者采用了Tkatchenko Scheffler(TS)方法,并且還在該計算中采用了自旋極化。
結(jié)果與討論
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圖1. 氣體分子和MoTe2模型結(jié)構(gòu)
MoTe2和氣體分子(NH3、C2H2、NO)的優(yōu)化結(jié)構(gòu)如圖所1示,在圖1(a)中,NH3分子中的N-H鍵為1.022?,H-N-H鍵角為105.297°。線性C2H2分子的C-H鍵長度(1.072?)比NH3中的N-H短,因為C原子的原子半徑大于N原子的原子直徑。
NO分子中的N-O鍵為1.164?。此外,圖1(d)和(e)描繪了MoTe2單層的俯視圖和側(cè)視圖,其結(jié)構(gòu)由Te-Mo-Te-Mo序列組成的六邊形環(huán)構(gòu)成。且Te-Mo鍵為2.755?,Te-Mo-Te角為80.467°。
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圖2. 最穩(wěn)定模型結(jié)構(gòu)和差分電荷密度
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圖3. 能帶結(jié)構(gòu)
從圖2(a1)和(a2)可以看出,CuO分子在TH位點垂直向下穩(wěn)定結(jié)合到襯底上,且Ed為0.041eV,從而形成2.088?的Cu-Te鍵。在圖2(a3)、(b3)和(c3)中,O原子周圍的強紅色證實了其電荷接受度為0.575e。且與CuO摻雜不同,Ag2O分子以最強的形式結(jié)合到MoTe2上,且位于對角TB位置上方,Ed為0.046 eV。而在In2O3摻雜時,幾何結(jié)構(gòu)發(fā)生了顯著變形。
一方面,In2O3的鍵長被拉長,且其內(nèi)部兩端的兩個In-O鍵變成了雙鍵。另一方面,MoTe2也發(fā)生了巨大結(jié)構(gòu)變化,且每個內(nèi)部六邊形環(huán)都不再對稱,鍵長也變得不同。此外,從圖3所示的能帶結(jié)構(gòu)可以發(fā)現(xiàn),摻雜之后的帶隙按In2O3-MoTe2<CuO-MoTe2>Ag2O-MoTe2的順序減小,這意味著電導(dǎo)率增加。
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圖4. 吸附結(jié)構(gòu)
如圖4(a1)所示,CuO-MoTe2/NH3的最短原子距離為2.025?,這比本能系統(tǒng)中的原子距離小得多(收縮44.87%)。其Eads(-1.302 eV)比未摻雜的高約4倍。C2H2在CuO-MoTe2上吸附后發(fā)生了明顯變形,從最初的線性分子變?yōu)檎郫B分子,兩側(cè)的H-C-C鍵角分別為165.025°和164.359°。
其Eads為?1.110 eV。CuO-MoTe2/NO的最短原子距離為2.017?,且Eads(?1.773 eV)提高了52.8%。同樣地,Ag2O-MoTe2和In2O3-MoTe2上的氣體分子吸附構(gòu)型如圖4b和圖4c所示。
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圖5. 差分電荷密度
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圖6. PDOS
如圖5(a1)、(a2)和(a3)所示,CuO-MoTe2與氣體反應(yīng)期間轉(zhuǎn)移了足夠的電荷。圖5(a1)中N原子周圍的深紅色表示NH3從CuO-MoTe2中獲得電子。然而,三個H原子中的電子很容易丟失,導(dǎo)致NH3中的總損失為0.2e。在圖5(b1)中,C2H2向CuO-MoTe2輸送0.298e的電荷。對于Ag2O-MoTe2系統(tǒng),只有少量電荷(0.044e)從Ag2O轉(zhuǎn)移到NH3;即使對于C2H2,也只有0.136e。如圖5(b3)所示, In2O3-MoTe2表面與C2H2的相互作用最弱(0.009e),即C2H2的吸附是較弱的物理吸附。
如圖6(a1)-(a9)所示,對于CuO-MoTe2,在NH3吸附后,TDOS在?6.31 eV至?7.28 eV的微小范圍內(nèi)明顯升高。此外,C2H2吸附后的TDOS向左移動,并在費米能級處下降,這意味著電導(dǎo)率降低,而這與NO吸附后的趨勢相反。關(guān)于Ag2O-MoTe2,圖6(a4)中的TDOS幾乎不變,表明Ag2O-MoTe2不利于對NH3的檢測。在圖6(a6)中,費米能級右側(cè)所有軌道的態(tài)密度幾乎為零,從而導(dǎo)致NO吸附的Ag2O-MoTe2電導(dǎo)率降低。如圖6(a7)所示,在In2O3-MoTe2上吸附NH3之后,TDOS曲線向右移動,并且更多的電子填充到費米能級附近,從而提升導(dǎo)電性。如圖6(a8)所示,在NO吸附之后,電荷再分配是曲線向左移動的主要因素。
在圖6(b1)-(b9)中,作者通過PDOS的分布進(jìn)一步分析原子之間的相互作用。如圖6(b3)所示,在?6.32eV和?0.21eV處Cu-3d軌道和O軌道的重疊,表明NO和CuO-MoTe2之間具有強烈化學(xué)相互作用。類似地,對于Ag2O-MoTe2上的NH3吸附,圖6(b4)中的PDOS變化不大。此外,NH3和In2O3-MoTe2之間的相互作用也比較弱。
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圖7. HOMO和LUMO
如圖7所示,對于CuO-MoTe2,吸附NH3和C2H2后,Eg分別上升16.46%和31.40%。相反,NO吸附后的Eg具有4.73%的收縮,表明導(dǎo)電性增強。對于Ag2O-MoTe2,吸附NH3后Eg只有2.15%的變化。
從圖7(c)中可以看出,HOMO的部分分布轉(zhuǎn)移到C2H2分子,使Eg急劇變窄了30.53%。而NO吸附中出現(xiàn)了不同的變化趨勢,即Eg上升到1.236eV,變化約為20.94%。這意味著其需要更多的能量來實現(xiàn)電子從價帶到導(dǎo)帶的躍遷。
在In2O3-MoTe2體系中,電導(dǎo)率變化的大小順序為:C2H2>NH3>NO,并且分別變化了29.23%、27.97%和12.73%。
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圖8. 氣體恢復(fù)時間
如圖9(a)所示, NH3和C2H2的脫附時間大幅減少,且在358 K時均降至略多于1小時。即使對于C2H2,當(dāng)溫度持續(xù)升高至418 K時,其脫附效果也非常明顯。
這意味著該材料可以在半分鐘內(nèi)再次使用,從而證實了CuO-MoTe2單層用作氣體傳感器的潛力。而圖8(b)中的Ag2O-MoTe2系統(tǒng),其對NH3的弱吸附導(dǎo)致其解吸時間太短,無法在室溫下使NH3穩(wěn)定吸附在表面上。

然而,其對C2H2和NO的吸附使其在418 K下也有很長的解吸時間,其可作為消除C2H2和NO的優(yōu)異吸附劑。對于In2O3-MoTe2系統(tǒng),其在室溫下對這三種氣體的解吸時間極低,從而不利于其作為氣體傳感器。

結(jié)論與展望
CuO和Ag2O改性的MoTe2可以很好地提高三種氣體的吸附性能,使其達(dá)到強化學(xué)吸附作用,而In2O3-MoTe2的物理吸附性能保持不變。CuO-MoTe2單層上NH3和C2H2的吸附能分別為?1.302 eV和?1.110 eV,且經(jīng)過人工加熱后可在短時間內(nèi)實現(xiàn)解吸,從而使CuO-MoTe2可用作NH3和C2H2的可回收加熱型傳感器。
對于Ag2O-MoTe2單層,其對C2H2的吸附能(?2.480eV)約為原始吸附能的10倍,即使在高溫環(huán)境中也能進(jìn)行脫附,因此其可以用作C2H2的專用清除劑。此外,其對NO的吸附能(-3.028eV)提高了2.6倍,使其成為可在室溫下使用的可靠NO吸附劑。
文獻(xiàn)信息
Liu Yujie et.al A DFT study of toxic gases (NH3, C2H2, NO) adsorption and detection on metal oxides (CuO, Ag2O, In2O3) modified MoTe2 monolayer Applied Surface Science 2023, DOI: 10.1016/j.apsusc.2023.156858
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.156858
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