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南大Nano Research:F摻雜穩(wěn)定Fe-N-C催化劑Fe3?位點用于提升CO? 還原

南大Nano Research:F摻雜穩(wěn)定Fe-N-C催化劑Fe3?位點用于提升CO? 還原
南京大學(xué)胡征,楊立軍和吳強等人報道構(gòu)建F 摻雜的 Fe-N-C 單位點催化劑(SSCs) ,F(xiàn)的吸電子特性可以穩(wěn)定 Fe3+ 位點。F摻雜導(dǎo)致FECO-電位曲線從Fe-N-C的“火山型”(?0.4 V時最大值88.2%)轉(zhuǎn)變?yōu)镕e-FN-C的“高平臺”轉(zhuǎn)變(?0.40 V~-0.60 V寬電位窗口內(nèi)大于88.5%)。電流密度JCO從Fe-N-C催化的3.24 mA·cm?2提升到Fe-FN-C催化的11.23 mA·cm?2。
南大Nano Research:F摻雜穩(wěn)定Fe-N-C催化劑Fe3?位點用于提升CO? 還原
DFT計算模擬F摻雜對催化性能改善的作用。構(gòu)建七個具有或不具有 F 摻雜的面內(nèi)和邊緣 Fe-N4 模型,包括平面承載的 Fe-N4(FeN4-平面)、邊緣承載的 FeN4(FeN4-zigzag和 FeN4-armchair)和相應(yīng)的 F 摻雜的(F1-FeN4-平面和 F2-FeN4-平面;F3 -FeN4-zigzag和 F3-FeN4– armchair)。DFT計算發(fā)現(xiàn),所有模型的CO2RR到CO和競爭HER的限速步驟是*CO脫附和*H吸附/脫附。
南大Nano Research:F摻雜穩(wěn)定Fe-N-C催化劑Fe3?位點用于提升CO? 還原
與FeN4-平面相比,邊緣承載的 FeN4-zigzag 和 FeN4-armchair模型具有較低的 *CO 脫附自由能 (ΔG(*CO)) 以及較高的 *H 吸附/脫附自由能 (ΔG(*H)) -托管 FeN4 平面模型,表明邊緣缺陷對提高 CO2RR 到 CO 和抑制競爭 HER 的重要作用。重要的是,F(xiàn)摻雜后,邊緣承載的F3-FeN4-zigzag和F3-FeN4-armchair比相應(yīng)的未摻雜FeN4-zigzag和FeN4-armchair具有更低的ΔG(*CO)和更高的ΔG(*H)
此外,與相應(yīng)的未摻雜的平面FeN4相比,平面承載的 F1-FeN4 平面和 F2-FeN4 平面同樣具有更低的 ΔG(*CO) 和更高的 ΔG(*H)。以上結(jié)果表明F 摻雜可以促進 CO2RR 轉(zhuǎn)化為 CO 并抑制競爭性 HER其中,F(xiàn)3-FeN4-zigzag表現(xiàn)出最低的 ΔG(*CO) 和相當(dāng)高的 ΔG(*H)。因此是最活躍的 Fe-N4 位點,可加速限速步驟 *CO 解吸以增強 CO2RR 和屏蔽電解質(zhì)中的H+用于抑制競爭性 HER。綜上,吸電子 F 摻雜降低ΔG(*CO) 以增強 CO2RR生成CO 并提高 ΔG(*H) 以抑制競爭 HER。
Yiqun Chen, Guochang Li al. Boosting faradaic efficiency of CO2 electroreduction to CO for Fe-NC single-site catalysts by stabilizing Fe3+ sites via F-doping. Nano Research. 2022
https://doi.org/10.1007/s12274-022-4441-0

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