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先發(fā)JACS再發(fā)Angew,單原子催化“持續(xù)被打臉”?

催化劑的重構現(xiàn)象已普遍存在于熱催化反應,其對確定真正的活性位點是十分關鍵的,然而,此類重構在電催化中的研究仍然較少,特別是一類M-Nx結構的M-N-C單原子催化劑(SACs)。例如,對于M-N-C SACs電催化硝酸鹽產氨,需要考慮M-Nx結構在高還原條件下是否穩(wěn)定,而這仍然是一個懸而未決的問題。倘若不穩(wěn)定,那么對于這個要求很高的電化學過程,其真正的活性位點結構是什么?
不久前,《Journal of the American Chemical Society》上發(fā)表了題為《Potential-Driven Restructuring of Cu Single Atoms to Nanoparticles for Boosting the Electrochemical Reduction of Nitrate to Ammonia》的研究論文。
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在該文中,中科院大連化學物理研究所楊小峰、劉偉、王愛琴,廈門大學李劍鋒等人利用X射線吸收光譜技術與先進的電子顯微鏡技術相結合,揭示了在硝酸鹽還原為氨的電化學過程中,合成的Cu-N4單原子位點會發(fā)生重構,形成為5 nm的納米顆粒。
當外加電勢的驅動下,外加電位從0.00 V負移至-1.00 V時,隨著NH3產率的提高,Cu2+向Cu+和Cu0的還原以及隨后Cu0單原子的聚集也同時發(fā)生。在-1.00 V時,該催化劑的最大產NH3速率達到4.5 mg cm-2?h-1?(12.5 molNH3?gCu-1?h-1),法拉第效率為84.7%,優(yōu)于此前報道的大多數(shù)其他Cu催化劑。
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經電解后,聚集的Cu納米顆粒也能可逆地分解為單個原子,然后暴露在環(huán)境大氣中恢復為Cu-N4結構,而這通常會掩蓋反應過程中難以觀察到的電位驅動的重構現(xiàn)象。結果表明,Cu納米顆粒是硝酸鹽還原為氨的真正活性位點,這與沉積后的Cu NP催化劑以及DFT計算結果相一致。
詳細報道可見:

繼續(xù)出發(fā),單原子再為顆粒做“嫁衣”!

在陰離子交換膜燃料電池(AEMFC)中,單原子催化劑因具有高的ORR活性而被認為是傳統(tǒng)Pt基催化劑的替代品之一。其中,單原子位點(SAS)中金屬負載量將極大地影響催化劑的活性,最終影響AEMFC的性能。
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黑龍江大學王蕾研究員、付宏剛教授等人報道了一種雙N源配位策略來制備三維N摻雜碳納米管/石墨烯復合電催化劑。該催化劑含有高密度的、金屬載量達5.61 wt%的Cu-N4位點,同時在堿性介質中表現(xiàn)出優(yōu)異的ORR活性和穩(wěn)定性。當應用于H2-O2?AEMFC時,其其開路電壓可達0.90 V,峰值功率密度可達324 mW cm-2?,F(xiàn)場同步輻射分析發(fā)現(xiàn),在電化學過程中,初始的Cu-N4將重構為Cu-N4/Cu納米團簇,進而重構為Cu-N3/Cu納米團簇,該過程將逐漸調節(jié)中心金屬的d帶中心,從而平衡*OOH和*O中間體的吉布斯自由能,有利于提高ORR活性。
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相關工作以《Reconstruction of Highly Dense Cu?N4?Active Sites in Electrocatalytic Oxygen Reduction Characterized by Operando Synchrotron Radiation》為題在《Angewandte Chemie International Edition》上發(fā)表論文。

圖文介紹

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圖1. Cu-N-C/GC的制備與結構表征
本文通過雙氮源策略來合成具有高密度Cu SAS的Cu-N-C/GC催化劑。首先,用聚醚酰亞胺(PEI)對氧化石墨烯(GO)進行改性,然后與碳納米管形成三維網絡結構。隨后,甲酰胺和甘氨酸的雙重氮源固定在GO-PEI-CNTs載體上,然后與Cu2+進行配位。最后經冷凍干燥,在900℃的惰性環(huán)境下熱解得到Cu-N-C/GC。甲酰胺與甘氨酸通過縮合反應形成環(huán)狀的碳氮分子結構,為金屬離子提供了豐富的配位結合位點,有效地防止了金屬原子在熱解過程中的遷移和團聚。以單一氮源的甲酰胺和甘氨酸為原料分別制備Cu-FA-C/GC和Cu-Gly-C/GC,作為對照樣品。
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圖2. 光譜表征
通過XAFS光譜進一步確定了金屬物種的原子分散狀態(tài)和相應的配位環(huán)境。Cu-N-C/GC表現(xiàn)出與CuO相似的Cu的K邊光譜,表明其Cu的價態(tài)接近+2。EXAFS譜圖顯示,Cu-N-C/GC在1.5 ?附近出現(xiàn)主峰,對應Cu-N鍵。擬合結果顯示,Cu-N-C/GC中以Cu-N4物種為主。
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圖3. ORR性能
Cu-N-C/GC具有較高的ORR活性,其起始電位為0.98 V,與Pt/C催化劑(0.99 V)相似。而Cu-FA-C/GC和Cu-Gly-C/GC的電催化性能較差,起始電位分別為0.91 V和0.90 V。此外,Cu-N-C/GC也具有較高的半波電位(E1/2),達0.84 V;極限電流密度達6.2 mA cm-2。另外,RRDE測試揭示Cu-N-C/GC的平均電子轉移數(shù)為3.97,對應的H2O2產率低于4%,表明Cu-N-C/GC遵循四電子ORR機制。
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圖4. H2-O2?APEMFC性能
進一步以所合成的樣品為H2-O2?APEMFC陰極催化劑,結果顯示,基于Cu-N-C/GC的APEFC的峰值功率密度為324 mW cm-2,顯著高于基于Cu-FA-C/GC、Cu-Gly-C/GC的APEFC的峰值功率密度(197、116 mW cm-2)。
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圖5. 現(xiàn)場XAS測試
利用現(xiàn)場XANES光譜進一步研究了Cu SAS在真實電化學環(huán)境中活性位點的來源和結構的變化。如Cu的K邊XANES譜圖所示,總的來說,白線峰邊能量在外加電位中呈現(xiàn)明顯的負移,說明隨著反應的進行,Cu的價態(tài)降低,即在陰極ORR過程中,Cu2+逐漸還原為Cu+。值得注意的是,在開路電位(OCP)下收集的近邊緣光譜與初始催化劑相似,即初始的Cu-N4位點在無外加電位下不能吸附電解液中的氧或OH物種。因此,上述Cu2+對Cu+的動態(tài)演化是由外加電位驅動的,而不是反應物的吸附所致。當外加電位降至0.50和0.30 V時,更多的Cu2+還原為Cu+。同時,可以檢測到從Cu-N4到Cu-N3的結構演變,原始的Cu-N4構型中四個對稱的Cu-N鍵中有一個Cu-N鍵發(fā)生斷裂,此時吡啶N被質子化。
Cu的K邊FT-EXFAS譜圖顯示,電位從0.9降低至0.3 V,Cu-N鍵配位數(shù)從4.5下降到2.8左右,同時出現(xiàn)了配位數(shù)在3左右的Cu-Cu鍵,表明Cu納米團簇的形成。在外加電場作用下,單原子Cu位點由于催化劑表面含氧物種的完全反應而容易發(fā)生聚集、形成納米團簇。結果表明:初始的Cu-N4在0.7 V時形成Cu-N4/Cu納米團簇結構,在0.5 V和0.3 V時形成Cu-N3/Cu納米團簇結構。有趣的是,當外加電場去除時,Cu物種的原子分散態(tài)可以發(fā)生恢復。
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圖6. DFT計算
采用DFT計算研究了Cu-N-C/GC的電催化活性來源。首先分別建立了Cu-N3、Cu-NC、Cu-N4/Cu-NC以及Cu-N3/Cu-NC模型。計算了不同模型下ORR自由能分布。在ORR第一個基元步驟中,Cu-N4模型需要克服0.54 eV的勢壘才能實現(xiàn)O2到OOH*的還原過程。與O*、OH*和OH中間體的其他步驟相比,OOH*的形成是吸熱的,因此Cu-N4模型上ORR的RDS是OOH*中間體的形成和分解。并對Cu-N4模型的2e途徑進行了比較,結果表明Cu-N4更容易發(fā)生4e?ORR過程。隨著反應的進行,當Cu-N4模型引入了Cu-NC時,OOH*的形成勢壘有所降低,此時RDS為O*的質子化過程,能壘為2.56 eV,表明O*中間體在Cu-N4/Cu-NC模型上具有很強的吸附能力。
當反應進行到0.5 V時,新形成的Cu-N3/Cu-NC上各基元步驟的勢壘均發(fā)生降低,這對提高ORR活性至關重要。值得注意的是,當Cu-NC與Cu-N4或Cu-N3共存時,由于單原子與納米團簇之間的協(xié)同作用,有效降低了反應勢壘。因此,這種連續(xù)動態(tài)的結構演化可以有效提升ORR活性。

文獻信息

Reconstruction of Highly Dense Cu?N4?Active Sites in Electrocatalytic Oxygen Reduction Characterized by Operando Synchrotron Radiation,Angewandte Chemie International Edition,2022.
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202211098

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