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孫世剛院士/廖洪鋼/梅濤ACS Nano: 構(gòu)建黑曲霉衍生碳/MoS2的“雙凹緩和”策略,用于超穩(wěn)定儲(chǔ)鈉!

孫世剛院士/廖洪鋼/梅濤ACS Nano: 構(gòu)建黑曲霉衍生碳/MoS2的“雙凹緩和”策略,用于超穩(wěn)定儲(chǔ)鈉!
二維層狀材料普遍面臨電子轉(zhuǎn)移受阻和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差的問(wèn)題,從而限制了其在高倍率和長(zhǎng)效鈉離子電池(SIBs)中的應(yīng)用。
為了滿足高性能SIBs的要求,應(yīng)綜合考慮離子/電子通道、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和內(nèi)部空間,但仍難以確定二維層狀材料的合理結(jié)構(gòu)。有限元模擬是當(dāng)前加速尋找有前途的空心結(jié)構(gòu)的強(qiáng)大工具。
孫世剛院士/廖洪鋼/梅濤ACS Nano: 構(gòu)建黑曲霉衍生碳/MoS2的“雙凹緩和”策略,用于超穩(wěn)定儲(chǔ)鈉!
在此,廈門大學(xué)孫世剛院士、廖洪鋼教授以及湖北大學(xué)梅濤副教授等人采用有限元模擬方式提出了一種基于黑曲霉衍生碳(ANDC)的“雙凹緩和”策略,以構(gòu)建具有中空雙凹結(jié)構(gòu)的ANDC/MoS2。
通過(guò)非原位拉曼光譜、XPS、XRD和HRTEM研究證明了ANDC/MoS2的優(yōu)勢(shì),從納米結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的角度來(lái)看,中空雙凹面結(jié)構(gòu)為快速氧化還原反應(yīng)提供了豐富的電荷存儲(chǔ)位點(diǎn),而本征雜原子摻雜增加了活性材料的親和力,促進(jìn)了電子轉(zhuǎn)移。
孫世剛院士/廖洪鋼/梅濤ACS Nano: 構(gòu)建黑曲霉衍生碳/MoS2的“雙凹緩和”策略,用于超穩(wěn)定儲(chǔ)鈉!
圖1. 有限元建模及ANDC/MoS2的合成過(guò)程示意圖
ANDC/MoS2作為鈉離子電池的負(fù)極具有出色的長(zhǎng)期循環(huán)性能,在1 A g-1下循環(huán)1000次后可提供496 mAh g-1的放電容量,容量保持率為94.5%,比裸MoS2納米片增加了近七倍。
即使在5 A g-1的高電流密度下,300次循環(huán)后仍可保持約400 mAh g-1的可逆放電容量。此外,ANDC/MoS2也可用于高效的鋰存儲(chǔ)。通過(guò)原位 TEM,作者進(jìn)一步揭示了ANDC/MoS2的空心雙凹結(jié)構(gòu)使穩(wěn)定和快速的鍍鈉/脫鈉成為可能。
孫世剛院士/廖洪鋼/梅濤ACS Nano: 構(gòu)建黑曲霉衍生碳/MoS2的“雙凹緩和”策略,用于超穩(wěn)定儲(chǔ)鈉!
圖2. ANDC/MoS2和裸MoS2納米片的電化學(xué)性能
A “Biconcave-Alleviated” Strategy to Construct Aspergillus niger-Derived Carbon/MoS2 for Ultrastable Sodium Ion Storage, ACS Nano 2021. DOI: 10.1021/acsnano.1c05590

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