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【MS純計算】Results phys.:MGe2(M=V,Nb和Ta)的機械、熱、電子、光學和超導性能研究

【MS純計算】Results phys.:MGe2(M=V,Nb和Ta)的機械、熱、電子、光學和超導性能研究

具有獨特物理性質的非中心對稱鍺系超導體引起了人們的極大關注。近日,吉大港工程技術大學S.H. Naqib、M.M. Hossain等人使用密度泛函理論全面研究了鍺系超導體MGe2(M=V、Nb和Ta)的結構和電子、光學、機械、熱和超導性。

計算方法

基于密度泛函理論,作者利用CASTEP包進行第一性原理計算,并采用含有Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)泛函的廣義梯度近似(GGA)來描述電子交換關聯(lián)作用,而離子和電子之間的相互作用則由OTFG超軟贗勢描述。在贗勢計算中,作者考慮了以下電子構型:V-3s23p63d34s2、Nb-4s24p64d45s1、Ta-5d36s2和Ge-4s24p2。

此外,作者將第一布里淵區(qū)中的平面波截止能量和k點網(wǎng)格分別設置為500 eV和6×6×4。在所有計算過程中,總能量收斂標準為5.0×10?6 eV/atom,自洽場(SCF)收斂標準設置為5.0×10?7 eV/atom。其他收斂標準如下:最大力為0.01 eV/?,最大應力為0.02 GPA,最大原子位移為5.0×10?4?。

結果與討論
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圖1. MGe2(M=V,Nb和Ta)晶體結構
MGe2的三維視圖、側視圖和俯視圖如圖1所示,其中每個晶胞包括三個M原子和六個Ge原子。M原子與十個Ge原子建立了十坐標幾何結構,而Ge原子與五個M原子和五個Ge原子相連。
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圖2. MGe2(M=V,Nb和Ta)的聲子色散譜
MGe2(M=V,Nb和Ta)的聲子色散譜如圖2所示,其具有27個聲子分支,其中三個較低的分支是聲學分支,而其他的則是光學分支。在整個布里淵區(qū)中,所有原子的頻率都是正的,這表明所有化合物都具有動力學穩(wěn)定性。
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圖3. MGe2(M=V,Nb和Ta)上不同彈性模量的三維各向異性分布
MGe2(M=V,Nb和Ta)化合物彈性模量的三維(3D)各向異性分布如圖3所示,對于各向同性材料,其三維分布為完全球形。如圖3所示,壓縮性、剪切模量和楊氏模量的3D分布表明MGe2(M=V,Nb和Ta)化合物具有各向異性。
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圖4. MGe2(M=V,Nb和Ta)的能帶結構和PDOS
如圖4所示,作者研究了MGe2(M=V,Nb和Ta)的能帶結構和電子態(tài)密度,并且MGe2(M=V,Nb和Ta)沒有帶隙,這有助于價電子進入導帶,進而表明它們具有金屬性質。
此外,對于VGe2、NbGe2和TaGe2,在費米能級處的TDOS計算值分別為5.41state/eV、3.62 state/eV和3.21 state/eV。價態(tài)M?d軌道和Ge-4p軌道在費米能級的TDOS中起主要作用。與Nb和Ta相比,原子V具有最高的部分態(tài)密度。此外,費米能級以上和以下的TDOS值主要來源于M?d和Ge-4p軌道。
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圖5. MGe2(M=V,Nb和Ta)的光學參數(shù)(介電常數(shù)實部和虛部,折射率和消光系數(shù))
介電常數(shù)的實部與電極化有關,虛部與入射光能的吸收有關。圖5(a和b)分別說明了介電常數(shù)的實部和虛部,其中實部隨著光子能量的增加而急劇下降,然后幾乎保持零值。與其他兩種材料相比,TaGe2在可見光范圍內具有最高的介電常數(shù)。另一方面,TaGe2的虛部在可見光范圍內呈現(xiàn)最低值。
此外,折射率(n)和消光系數(shù)(k)是另外兩個關鍵參數(shù),具體如圖5(c和d)所示。這三種化合物的折射率靜態(tài)值幾乎相同,然而,TaGe2的下降率與其他的非常不同。而消光系數(shù)的值在可見光范圍內隨著能量的增加而增加,VGe2和NbGe2的增加率比TaGe2更高。因此,與TaGe2相比,VGe2和NbGe2具有更高的光學吸收性質。
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圖6. MGe2(M=V,Nb和Ta)的光學參數(shù)(吸光度、反射率、電導率和損失函數(shù))
如圖6(a和b)所示,VGe2、NbGe2和TaGe2的吸收隨著光子能量的增加而增加,在UV區(qū)域分別高達5.3、7.5和12.7eV。然而,在特定的光子能量(比如2eV)下,TaGe2化合物的光子吸收為0.4×105cm?1,而VGe2和NbGe2化合物分別為1.0×105cm?1和1.1×105 cm?1。在圖6(b)中,這三種化合物的反射率在可見光范圍內保持不變。如果材料的反射率大于44%,則可以減少太陽能加熱。而這些化合物的反射率在可見光范圍內甚至在紫外線區(qū)域附近都不會低于50%。因此,它們可以作為減少太陽能加熱的涂層材料。
圖6(c和d)顯示了MGe2(M=V,Nb和Ta)化合物的光學電導率和損耗函數(shù)光譜。因為這些化合物沒有帶隙,所以電導率曲線從零開始。VGe2在4.08eV處具有最高峰值,而NbGe2在~6.0eV處獲得相對較低的峰值;然而,與NbGe2相比,TaGe2的峰值向更高的能量移動。此外,能量損失函數(shù)定義了電子在穿過固體時的損失能量。其中VGe2在17.66eV處具有較低的等離子體頻率,NbGe2和TaGe2的等離子體頻率分別偏移到19.76eV和39.1eV。
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圖7. MGe2(M=V,Nb和Ta)的晶格熱導率,恒定體積下的比熱Cv,恒定壓力下的比熱Cp和化合物的線性熱膨脹系數(shù)與溫度的關系
如圖7(a)所示,隨著溫度的升高,這三種化合物的Kph值都降低。如圖7(b)和圖7(c)所示,恒定體積下的比熱Cv和恒定壓力下的比熱Cp都隨著溫度的升高而增加,并且在500K時幾乎達到恒定值。相應的順序分別為67.8(TaGe2)>66.7(NbGe2)>65.3(VGe2)和68.1(TaGe2)>66.9(NbGe2)>65.6(VGe2)。而對于線性熱膨脹系數(shù)(圖7d),這三種化合物的值都是相似的。
結論與展望
MGe2(M=V,Nb和Ta)化合物具有動態(tài)和機械穩(wěn)定性,并且都具有脆性(NbGe2<VGe2<TaGe2)和彈性各向異性,而MGe2(M=V,Nb和Ta)的硬度值分別為16.95、14.96和19.6GPa。作者研究了不同的光學參數(shù)(介電常數(shù)、反射率、吸收系數(shù)、光電導率、折射率和損耗函數(shù))和熱性質(熱導率、熱膨脹系數(shù)、德拜溫度、比熱和熔點),并且發(fā)現(xiàn)所有這些化合物在可見光和近紫外區(qū)域的反射光譜均大于50%,證明了它們可以作為涂層材料。最后,該工作可以為未來的研究提供數(shù)據(jù)參考。
文獻信息
M.H. Kabir et.al First principles study of mechanical, thermal, electronic, optical and superconducting properties of C40-type germanide-based MGe2 (M = V, Nb and Ta) ,results in physics 2023
https://doi.org/10.1016/j.rinp.2023.106701
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