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華東理工李春忠/江浩AFM:用于儲鉀的異質(zhì)MoSe2/氮摻雜碳納米陣列

華東理工李春忠/江浩AFM:用于儲鉀的異質(zhì)MoSe2/氮摻雜碳納米陣列
由于價格更低、安全性更高,開發(fā)高性能鉀離子電池(KIBs)作為鋰離子電池的替代品具有重要意義。高能量密度的MoSe2已被確定為有前途的KIB負(fù)極材料,然而其電化學(xué)可逆性仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)。
華東理工李春忠/江浩AFM:用于儲鉀的異質(zhì)MoSe2/氮摻雜碳納米陣列
在此,華東理工大學(xué)李春忠教授、江浩教授等人報道了在rGO表面合成了異質(zhì) MoSe2 /N摻雜碳納米陣列(MoSe2 @C/rGO)作為KIB的高性能負(fù)極材料。研究表明,原子相互重疊的特性確保了放電過程中有豐富的K2Se/N摻雜碳的異質(zhì)界面同時削弱了放電產(chǎn)物 (K2Se) 的K-Se鍵。
與純K2Se相比,K-Se鍵的長度拉伸了3.9%,角度擴(kuò)大了19.2%,在充電過程中極大地促進(jìn)了Mo-Se鍵的再生。此外,MoSe2層間距離擴(kuò)大為1.20 nm,從而實(shí)現(xiàn)更快的K離子擴(kuò)散。
華東理工李春忠/江浩AFM:用于儲鉀的異質(zhì)MoSe2/氮摻雜碳納米陣列
圖1. MoSe2 @C/rGO的合成與表征
因此,這種結(jié)構(gòu)設(shè)計不僅加速了K離子擴(kuò)散和電子轉(zhuǎn)移,而且顯著增強(qiáng)了電化學(xué)可逆性。MoSe2 @C/rGO負(fù)極材料在0.2 A g-1下超過200次循環(huán)仍實(shí)現(xiàn)了402 mAh g-1的高K離子存儲容量。
以1.0和5.0 A g-1長時間循環(huán)1000次后其容量仍可保持307和196 mAh g-1,保持率分別為90.5% 和83.9%,這是目前報道已知的最優(yōu)異的KIBs性能。此外,作者結(jié)合DFT計算、原位拉曼光譜和非原位XAS分析闡明了在脫鉀/鉀化過程中該材料的K離子存儲機(jī)制和結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系。
華東理工李春忠/江浩AFM:用于儲鉀的異質(zhì)MoSe2/氮摻雜碳納米陣列
圖2. MoSe2 @C/rGO負(fù)極材料的儲鉀性能
Heterogeneous MoSe2/Nitrogen-Doped-Carbon Nanoarrays: Engineering Atomic Interface for Potassium-Ion Storage, Advanced Functional Materials 2021. DOI: 10.1002/adfm.202110223

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