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中科院上硅所李馳麟AFM:缺陷調(diào)制的T-Nb2O5負(fù)極實(shí)現(xiàn)耐用快充鋰電

中科院上硅所李馳麟AFM:缺陷調(diào)制的T-Nb2O5負(fù)極實(shí)現(xiàn)耐用快充鋰電
亞穩(wěn)態(tài)斜方晶五氧化二鈮(T-Nb2O5)是一種很有前景的負(fù)極,可滿足高倍率鋰離子電池(LIBs)的要求。化學(xué)計(jì)量T-Nb2O5受到重復(fù)充放電過程后低電導(dǎo)率和顆粒粉化的困擾。
中科院上海硅酸鹽研究所李馳麟等通過酸浸Nb2O5·nH2O并形成路易斯酸位點(diǎn),將氧空位注入T-Nb2O5顆粒中,以改善其電化學(xué)性能。
中科院上硅所李馳麟AFM:缺陷調(diào)制的T-Nb2O5負(fù)極實(shí)現(xiàn)耐用快充鋰電
圖1 T-Nb2O5?x合成步驟示意圖
多重表征和模擬揭示了Nb-O鍵的延長(zhǎng),以及NbO7五方雙錐和NbO6四方雙錐在T-Nb2O5?x中的轉(zhuǎn)化。氧空位的富集賦予T-Nb2O5?x更高的電導(dǎo)率、更好的電化學(xué)動(dòng)力學(xué)和更大的贗電容貢獻(xiàn)。但多余的空位不利于T-Nb2O5作為負(fù)極的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,并影響其循環(huán)耐久性。
進(jìn)一步,作者首次提出采用氧摻雜石墨C3N4(O-g-C3N4)作為氧源來修復(fù)多余的氧空位,它也可以作為Nb2O5-x生長(zhǎng)的犧牲模板,以構(gòu)建多孔的單片電極網(wǎng)絡(luò)。結(jié)果,O-g-C3N4模板化-Nb2O5 (CN-NbO)的氧缺陷濃度降低到酸浸Nb2O5(L-NbO)的約1/60。
中科院上硅所李馳麟AFM:缺陷調(diào)制的T-Nb2O5負(fù)極實(shí)現(xiàn)耐用快充鋰電
圖2 Li/CN-NbO電池性能
研究顯示,缺陷調(diào)制的CN-NbO顯示出非凡的循環(huán)穩(wěn)定性(5 C下循環(huán)1100次后為164 mAh g-1)、超高倍率(25 C)下的高容量保持(104 mAh g-1)和高質(zhì)量負(fù)載(4 mg cm-2)下的大面積容量(0.74 mAh cm-2)。
此外,具有高平均平臺(tái)(2.12 V)和高比容量(229 mAh g-1)的CN-NbO/LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2全電池證明了其實(shí)用前景。氧化物負(fù)極上的氧缺陷調(diào)制策略為快充和耐用的LIBs提供了一種替代解決方案。
中科院上硅所李馳麟AFM:缺陷調(diào)制的T-Nb2O5負(fù)極實(shí)現(xiàn)耐用快充鋰電圖3 氧空位作用分析及全電池性能
Defect-Concentration-Mediated T-Nb2O5 Anodes for Durable and Fast-Charging Li-Ion Batteries. Advanced Functional Materials 2021. DOI: 10.1002/adfm.202107060

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