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第17篇Sci. Adv.!他,巧用單原子Ni,激活惰性Ce位點(diǎn)!

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成果簡(jiǎn)介
在原子水平上調(diào)控多相催化劑的本征活性是提高其電催化性能的有效策略,但仍具有一定的挑戰(zhàn)性。
南洋理工大學(xué)Deyan Luan、香港城市大學(xué)樓雄文教授等人合理設(shè)計(jì)了一種具有花生形、空心且氮摻雜碳結(jié)構(gòu)的a-Ni/CeO2@NC催化劑,其中原子分散的Ni錨定在CeO2顆粒上,制備的a-Ni/CeO2@NC催化劑在電催化析氧反應(yīng)(OER)中表現(xiàn)出顯著增強(qiáng)的本征活性和更低的過電位。
實(shí)驗(yàn)和理論結(jié)果表明,在CeO2表面上修飾分離的Ni元素會(huì)引起電子耦合和重分布,從而激活Ni原子周圍鄰近的Ce位點(diǎn),大大加快析氧動(dòng)力學(xué)。這項(xiàng)工作為在原子水平上探索電子調(diào)控和本征活性的改善,從而提高電催化活性提供了一個(gè)新的策略。
相關(guān)工作以《Atomically dispersed Ni activates adjacent Ce sites for enhanced electrocatalytic oxygen evolution activity》為題在《Science Advances》上發(fā)表論文。值得注意的是,這也是樓雄文教授在《Science Advances》上發(fā)表的第17篇論文。
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圖文導(dǎo)讀
第17篇Sci. Adv.!他,巧用單原子Ni,激活惰性Ce位點(diǎn)!
圖1. a-Ni/CeO2@NC的示意圖
a-Ni/CeO2@NC的合成示意圖如圖1所示。首先,合成了高度均勻的花生狀Fe2O3顆粒,平均長(zhǎng)度約為1.1 μm。然后,在堿性溶液中通過自聚合過程在Fe2O3顆粒表面生長(zhǎng)出一層薄薄的聚多巴胺(PDA)層,形成Fe2O3/PDA核殼結(jié)構(gòu)。這些花生形狀的Fe2O3/PDA顆粒在高溫下碳化,然后對(duì)Fe進(jìn)行酸性蝕刻,然后得到空心花生形狀的NC。在空心NC結(jié)構(gòu)表面生長(zhǎng)CeO2 NPs后,孤立的Ni原子被修飾和約束在CeO2 NPs的晶格上,形成a-Ni/CeO2@NC。
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圖2. 形態(tài)和結(jié)構(gòu)特征
在圖2A中,F(xiàn)ESEM圖像顯示了CeO2@NC保持良好的花生狀結(jié)構(gòu)。TEM和HRTEM圖像顯示CeO2 NPs在空心花生形NC上均勻生長(zhǎng)(圖2B-C)。經(jīng)過Ni修飾后,這些原子分散的Ni物質(zhì)被很好地錨定在CeO2@NC上,從而形成a-Ni/CeO2@NC(圖2D-F)。圖2G的HAADF-STEM圖像顯示,在a-Ni/CeO2@NC樣品中只觀察到CeO2的晶格。這些結(jié)果表明,Ni元素被限制在CeO2的晶格中,沒有以NiOx或Ni粒子的形式聚集。通過ICP-OES測(cè)定a-Ni/CeO2@NC的Ni含量為0.96 wt%。同時(shí),HAADF-STEM圖像和相應(yīng)的a-Ni/CeO2@NC元素映射圖像顯示,孤立的Ni原子均勻分布在空心花生狀NC結(jié)構(gòu)中(圖2H-I)。
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圖3. 催化劑的結(jié)構(gòu)表征
通過XANES和EXAFS測(cè)量進(jìn)一步了解了局部配位環(huán)境。a-Ni/CeO2@NC的Ni的K邊FT-EXAFS譜圖顯示,在1.62 ?處,Ni-O配位占主導(dǎo)地位,這與NiO的Ni-O峰幾乎相同(圖3A)。此外,在a-Ni/CeO2@NC中沒有檢測(cè)到Ni-Ni/Ni-O-Ni配位,這表明存在孤立的Ni原子錨定在CeO2載體上,a-Ni/CeO2@NC的定量EXAFS曲線擬合分析也證實(shí)了這一點(diǎn)。圖3B顯示了a-Ni/CeO2@NC及其參照物的Ni的K邊XANES光譜。與Ni箔相比,a-Ni/CeO2@NC的吸收閾值發(fā)生了正位移,表明Niδ+具有氧化態(tài)(δ>0)。
為了進(jìn)一步驗(yàn)證上述原子配位,還進(jìn)行了Ce的L3邊XAFS和XANES分析。如圖3C所示,a-Ni/CeO2@NC在約1.9 ?處表現(xiàn)出與Ce-O配位有關(guān)的優(yōu)勢(shì)峰。此外,通過分析圖3D中a-Ni/CeO2@NC和純CeO2的Ce的L3邊XANES光譜,可以得到它們的吸收閾值位置。其中,a-Ni/CeO2@NC的Ce價(jià)態(tài)略有降低,進(jìn)一步證明了引入Ni后的電子重分布特性。
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圖4. 電催化OER性能
為了評(píng)價(jià)a-Ni/CeO2@NC及相關(guān)樣品的電催化性能,在1.0 M KOH電解液中進(jìn)行了電化學(xué)OER測(cè)試。圖4A顯示,a-Ni/CeO2@NC催化劑的起始過電位最小,約為232 mV,在整個(gè)施加電位范圍內(nèi)電流密度最高。同時(shí),a-Ni/CeO2@NC催化劑只需要286 mV的過電位就能達(dá)到10 mA cm-2的電流密度,優(yōu)于a-Ni@NC(338 mV)、CeO2@NC-300(418 mV)和RuO2(371 mV)(圖4B)。結(jié)果表明a-Ni/CeO2@NC的OER活性大大提高。通過分析這些催化劑的Tafel圖,進(jìn)一步研究了它們的OER動(dòng)力學(xué)。計(jì)算結(jié)果表明,a-Ni/CeO2@NC催化劑的Tafel斜率最小,為49 mV dec-1(圖4C)。
根據(jù)LSV曲線得到的電流密度,計(jì)算出了不同Ni物種的轉(zhuǎn)換頻率(TOF)。如圖4D所示,在過電位250~400 mV范圍內(nèi),a-Ni/CeO2@NC的TOF值幾乎是a-Ni@NC的4倍,這證明了a-Ni/CeO2@NC的固有活性得到了極大的提高。
如圖4E所示,a-Ni/CeO2@NC的電化學(xué)雙層電容(Cdl)值為3.33 mF cm-2,大于a-Ni@NC (1.99 mF cm-2)和CeO2@NC-300 (1.49 mF cm-2)。同時(shí),ECSA歸一化LSV曲線顯示,a-Ni/CeO2@NC催化劑具有更高的電流密度,表明其具有更優(yōu)異的本征OER催化活性。根據(jù)上述結(jié)果,由于a-Ni/CeO2@NC的本征催化活性和動(dòng)力學(xué)顯著增強(qiáng),可能表明引入的Ni原子對(duì)相鄰Ce位點(diǎn)有活化作用,從而提高了OER活性。
耐久性作為電催化劑的一個(gè)重要參數(shù),在此通過長(zhǎng)時(shí)間恒電流測(cè)量進(jìn)行評(píng)估。與CeO2@NC相比,a-Ni/CeO2@NC催化劑表現(xiàn)出更出色的OER耐久性,在堿性介質(zhì)中運(yùn)行100小時(shí)OER后的電位增加可以忽略不計(jì)。a-Ni/CeO2@NC與CeO2@NC相比,其優(yōu)異的耐久性可能源于單原子Ni與CeO2載體之間的相互作用,以穩(wěn)定金屬活性位點(diǎn)。
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圖5. DFT計(jì)算
為了解釋催化性能并探索在CeO2載體上修飾孤立Ni原子后大大提高本征活性的反應(yīng)機(jī)制,進(jìn)行了DFT計(jì)算。首先,基于XAFS分析和HAADF-STEM結(jié)果,構(gòu)建了具有不同吸附位點(diǎn)的a-Ni@CeO2模型和兩個(gè)對(duì)應(yīng)的模型(a-Ni@NC和CeO2)。
根據(jù)偏態(tài)密度(PDOS)計(jì)算結(jié)果,a-Ni@CeO2的Ni 3d和Ce 5d在-5~-2 eV之間,表明Ni和Ce原子之間存在強(qiáng)電子相互作用(圖5A)。此外,Ce 4f/5d的PDOS在費(fèi)米能級(jí)(Ef)附近的強(qiáng)度也較CeO2略有增加,從而提高了a-Ni/CeO2的電導(dǎo)率,促進(jìn)了電子轉(zhuǎn)移(圖5B)。
此外,本文計(jì)算了這些模型在U=0 V和U=1.23 V兩種狀態(tài)下各步的自由能,確定了OER過程中的速率決定步(RDS)及其極限反應(yīng)勢(shì)壘。如圖5C所示,*O的形成是a-Ni@NC和CeO2的RDS,*O和*OOH的形成是a-Ni/CeO2(Ce位點(diǎn))和a-Ni@CeO2(Ni位點(diǎn))的RDS。同時(shí),a-Ni/CeO2(Ni位點(diǎn))表現(xiàn)出最小的熱力學(xué)極限勢(shì)(1.42 V)和反應(yīng)能壘。
注意到,引入孤立的Ni原子后,相鄰Ce位點(diǎn)的反應(yīng)能壘比CeO2的反應(yīng)能壘小得多,說明孤立的Ni原子可以激活相鄰Ce位點(diǎn)。通過差分電荷密度分析來研究電子轉(zhuǎn)移和結(jié)構(gòu)間的相互作用。頂視圖和側(cè)視圖顯示了電子從Ni原子到相鄰的CeO2的轉(zhuǎn)移。同時(shí),*O中間吸附結(jié)構(gòu)模型顯示了電子從Ni原子向被吸附的O原子轉(zhuǎn)移(圖5D),還分析了吸附O前后的PDOS對(duì)a-Ni@CeO2的影響。
結(jié)果顯示,O吸附到a-Ni@CeO2后,Ef的Ni 3d的d帶中心(εd)發(fā)生上移,也表明Ni原子發(fā)生電子損耗。理論計(jì)算結(jié)果表明,引入孤立的Ni原子可以有效地操縱a-Ni/CeO2的電子結(jié)構(gòu),從而改善其熱力學(xué)反應(yīng)能量,激活相鄰的Ce位點(diǎn),從而提高OER本征活性。
文獻(xiàn)信息
Atomically dispersed Ni activates adjacent Ce sites for enhanced electrocatalytic oxygen evolution activity,Science Advances,2023.
https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.adh1320

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