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郭玉國/殷雅俠/張千玉Angew.:從緩解電子泄漏的角度抑制SEI的生長

深入研究抑制SEI生長的機制

郭玉國/殷雅俠/張千玉Angew.:從緩解電子泄漏的角度抑制SEI的生長

界面穩(wěn)定性對鈉離子電池(SIBs)的壽命和安全性有很大責(zé)任。然而,持續(xù)的固體-電解質(zhì)界面(SEI)增長會使其穩(wěn)定性惡化。從本質(zhì)上講,SEI的增長與電子泄漏行為有關(guān),但從緩解電子泄漏的角度來看,很少有人試圖抑制SEI的增長。

中科院化學(xué)所郭玉國、殷雅俠、四川大學(xué)張千玉等從緩解電子泄漏的角度,對抑制SEI生長的機制進行了深入研究。

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圖1. 電子轉(zhuǎn)移的能量圖和不同SEI生長的電子泄漏程度圖

具體而言,作者通過氟代碳酸乙烯酯(FEC)和三(三甲基硅基)亞磷酸酯(TMSPi)添加劑,分別建立了兩個具有不同生長行為的SEI層,以揭示電子泄漏如何影響SEI的生長。

研究顯示,與密集生長的厚而粗糙的FEC衍生SEI(厚度~90 nm)相比,薄而均勻的TMSPi衍生SEI即使在100次循環(huán)后也沒有明顯的生長(厚度~30 nm)。

TMSPi衍生的SEI層的成分信息在兩個方面顯示出優(yōu)勢:i)不利的NaF-Na2CO3、NanPOxFy共存物種在外層聚集的明顯緩解;ii)在整個SEI中產(chǎn)生豐富的SiOxFy物種。

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圖2. SEI分析

得益于上述SEI特征,TMSPi衍生的SEI根據(jù)所研究的電子特性(高LUMO能級、大帶隙和高電子功函數(shù))實現(xiàn)了電子驅(qū)動力和高電子絕緣能力。因此,抑制了電子泄漏行為,并且抑制了SEI的連續(xù)增長。

最后,具有減輕的電子泄漏的SEI層還改善了實際電化學(xué)行為,這不僅減少了長期循環(huán)過程中的Na+離子消耗,還確保了穩(wěn)定的Na+轉(zhuǎn)移,以抵抗可變的界面環(huán)境。作者相信,這項工作將擴展對SEI生長的基本理解,并為具有穩(wěn)定SEI層的長壽命SIB的電解液設(shè)計提供指導(dǎo)。

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圖3. 采用不同添加劑電解液的電池性能

Mitigating Electron Leakage of Solid Electrolyte Interface for Stable Sodium-Ion Batteries. Angewandte Chemie International Edition 2022. DOI: 10.1002/anie.202216354

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