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摩爾定律75年,Science連發(fā)4篇專(zhuān)刊!

今日Science重磅

75年前晶體管被發(fā)明,不久之后集成電路(IC)也被發(fā)明出來(lái)。使晶體管更小的進(jìn)步也導(dǎo)致它們變得更便宜,這被稱為摩爾定律。當(dāng)今復(fù)雜的處理器芯片包含超過(guò)1000億個(gè)晶體管,但縮小尺寸的步伐已經(jīng)放緩,它不再是提高特定應(yīng)用性能的唯一甚至主要設(shè)計(jì)目標(biāo)。摩爾定律如何繼續(xù)前進(jìn)?
今日,Science官方以“75 years of transistors”為特刊,發(fā)表了4篇關(guān)于晶體管的報(bào)道,且被選為今日的封面。
介紹到:最初于1959年9月9日在法國(guó)巴黎凡爾賽門(mén)展覽中心舉行的第21屆廣播電視展上展出,75年前晶體管的發(fā)明激發(fā)了影響通信、計(jì)算、控制系統(tǒng)、儀器儀表和其他技術(shù)的創(chuàng)新。今天,新晶體管技術(shù)在許多方面仍在繼續(xù)發(fā)展。
摩爾定律75年,Science連發(fā)4篇專(zhuān)刊!
盡管摩爾定律預(yù)測(cè)了每個(gè)晶體管成本的下降速度,但它通常以晶體管尺寸來(lái)看,對(duì)于二維(2D)芯片陣列,晶體管尺寸轉(zhuǎn)化為面尺寸。在過(guò)去的75年里,隨著足跡從微米級(jí)減少到納米級(jí),新制造技術(shù)的問(wèn)題多次引發(fā)了對(duì)“摩爾定律終結(jié)”的擔(dān)憂。二十年前,對(duì)于開(kāi)發(fā)幾種難以繼續(xù)擴(kuò)展的技術(shù),人們普遍持悲觀態(tài)度。在這種情況下,其中一位作者預(yù)測(cè),金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在所謂的65納米節(jié)點(diǎn)以下的縮放速度不會(huì)減慢,在達(dá)到縮放極限之前,將持續(xù)至少十年。
摩爾定律75年,Science連發(fā)4篇專(zhuān)刊!
圖1. 二維(2D)納米電子學(xué)、三維(3D)積分和功能集成都可以擴(kuò)展摩爾定律,但都面臨著巨大的挑戰(zhàn)和基本限制
計(jì)算的目標(biāo)不是每秒操作數(shù),而是每秒信息數(shù)。在這方面,生物學(xué)提供了指導(dǎo)。人類(lèi)的感官在將信息轉(zhuǎn)發(fā)到大腦之前在本地處理信息。在本地內(nèi)存和數(shù)據(jù)處理(邊緣分析)的支持下,為連接模擬世界的邊緣傳感器賦能,可以防止數(shù)據(jù)洪流淹沒(méi)計(jì)算機(jī)。
摩爾定律75年,Science連發(fā)4篇專(zhuān)刊!
圖2. CNT晶體管具有廣泛的潛在應(yīng)用
其中半導(dǎo)體碳納米管是具有納米級(jí)直徑的堅(jiān)固分子,可用于場(chǎng)效應(yīng)晶體管,從較大的薄膜實(shí)現(xiàn)到與硅電子器件配合使用的器件,并有可能用作高性能數(shù)字電子以及射頻和傳感應(yīng)用的平臺(tái)。對(duì)半導(dǎo)體碳納米管的廣泛興趣也激發(fā)了對(duì)其他納米材料的密集和持續(xù)探索,包括半導(dǎo)體納米線,2D石墨烯,過(guò)渡金屬硫族化合物和Xenes。盡管納米材料選擇越來(lái)越多,但碳納米管在提供穩(wěn)定性、帶隙以及卓越的電學(xué)和熱性能方面脫穎而出,這是其他候選材料無(wú)法比擬的。
圖3. CMOS晶體管密度和開(kāi)關(guān)能量的進(jìn)展
在80年代后期,從雙極到互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管技術(shù)進(jìn)行了廣泛的設(shè)計(jì)過(guò)渡。CMOS自60年代以來(lái)一直在開(kāi)發(fā)中,并受到日本制造商的青睞,為電力挑戰(zhàn)提供了急需的緩解。與雙極晶體管不同,CMOS技術(shù)的互補(bǔ)上拉和下拉晶體管配置在穩(wěn)定的邏輯狀態(tài)下消耗的待機(jī)功率可以忽略不計(jì),因?yàn)樗鼉H在狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間耗散功率。
電子產(chǎn)品正處于拐點(diǎn)。75年來(lái),使晶體管更小成為可能,但這不會(huì)成為未來(lái)幾十年進(jìn)步的動(dòng)力。如果摩爾定律被理解為指每個(gè)集成系統(tǒng)(不一定是每個(gè)芯片)的晶體管數(shù)量不斷增加,那么摩爾定律的終結(jié)就看不到了。晶體管數(shù)量的增加不會(huì)通過(guò)使它們更小來(lái)實(shí)現(xiàn),而是通過(guò)垂直堆疊或?qū)⑺鼈儥M向組合在復(fù)雜的封裝中,最終形成單片3D芯片并增加功能。
從納米電子學(xué)(專(zhuān)注于減小晶體管尺寸)到太兆級(jí)電子學(xué)(由晶體管數(shù)量和相關(guān)功能的增加驅(qū)動(dòng))的轉(zhuǎn)變定義了未來(lái)的范式轉(zhuǎn)變和核心研究挑戰(zhàn)。這將需要在材料、設(shè)備、加工以及人類(lèi)有史以來(lái)最復(fù)雜系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和制造方面取得根本性的進(jìn)步??傆幸惶欤姎馑淼篮蜔崞款i將定義3D集成的極限。在那之前,摩爾定律可能會(huì)繼續(xù)下去。
  1. https://doi.org/10.1126/science.ade2191
  2. https://www.science.org/doi/10.1126/science.add2713
  3. https://www.science.org/doi/10.1126/science.abp8278
  4. https://www.science.org/doi/10.1126/science.ade7656

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