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熊勝林/奚寶娟Nano Research:Od-Ce@V2O5實(shí)現(xiàn)高效的水系鋅離子存儲(chǔ)

本文報(bào)道了利用一步水熱處理的雙效策略,制備了插有Ce和引入富氧缺陷的V2O5納米帶(Od-Ce@V2O5)

熊勝林/奚寶娟Nano Research:Od-Ce@V2O5實(shí)現(xiàn)高效的水系鋅離子存儲(chǔ)
低成本、環(huán)保的可再充電水系鋅離子電池(AZIBs)受到廣泛關(guān)注,成為儲(chǔ)能系統(tǒng)的候選產(chǎn)品。然而,AZIBs的發(fā)展受到了合適且價(jià)格合理的正極材料的限制。
基于此,山東大學(xué)熊勝林教授和奚寶娟副教授(共同通訊作者)等人報(bào)道了利用一步水熱處理的雙效策略,制備了插有Ce和引入富氧缺陷的V2O5納米帶(Od-Ce@V2O5),以協(xié)同提高電化學(xué)性能。
測試發(fā)現(xiàn),理想的正極在電流密度為0.5 A·g-1時(shí)提供了444 mAh·g-1的可逆容量,并表現(xiàn)出優(yōu)異的庫侖效率,以及非凡的能量密度304.9 Wh·kg-1。
熊勝林/奚寶娟Nano Research:Od-Ce@V2O5實(shí)現(xiàn)高效的水系鋅離子存儲(chǔ)
通過DFT計(jì)算,以探究V2O5中Ce摻雜和氧缺陷的雙效應(yīng)策略作用和詳細(xì)的Zn2+存儲(chǔ)機(jī)制。
值得注意的是,從Od-Ce@V2O5和V2O5之間的不同結(jié)構(gòu)和電荷密度,可直觀地觀察到Zn2+插層在基體晶格中的狀態(tài)。
幾乎沒有電子從Zn2+遷移到氧,所以大部分電荷集中在Od-Ce@V2O5中的缺陷位點(diǎn)附近。
熊勝林/奚寶娟Nano Research:Od-Ce@V2O5實(shí)現(xiàn)高效的水系鋅離子存儲(chǔ)
在純V2O5中,有更多的電子從Zn2+轉(zhuǎn)移到晶格氧,因此更多的電荷聚集在氧附近。Od-Ce@V2O5(-0.511 eV)的吸附能低于V2O5(-3.45 eV)的吸附能。
因此,Zn2+與Od-Ce@V2O5之間的相互作用較弱。適當(dāng)?shù)奈侥苁筞n2+容易釋放,表明Od-Ce@V2O5正極是Zn2+可逆吸附/解吸的極好宿主。
但是,純V2O5與Zn2+客體吸附的較高吉布斯自由能,導(dǎo)致結(jié)構(gòu)可逆性較差。
熊勝林/奚寶娟Nano Research:Od-Ce@V2O5實(shí)現(xiàn)高效的水系鋅離子存儲(chǔ)
Introducing Ce ions and oxygen defects into V2O5 nanoribbons for efficient aqueous zinc ion storage. Nano Res., 2022, DOI: 10.1007/s12274-022-4990-2.
https://doi.org/10.1007/s12274-022-4990-2.

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